冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,，那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。姑蘇區(qū)好的IGBT模塊銷售廠家

IGBT是強電流,、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化,。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率,，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然***一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,，但是在高電平時,，功率導通損耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT較低的壓降,，轉換成一個低VCE(sat)的能力,，以及IGBT的結構，與同一個標準雙極器件相比,，可支持更高電流密度,，并簡化 IGBT驅動器的原理圖。 [1]常熟加工IGBT模塊推薦廠家特別是用作高頻開關時,，由于開關損耗增大,，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用,。

有些驅動器只有一個輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡，用以調節(jié)2個方向的驅動速度,。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅動引線的情況下,，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。對于大功率IGBT,，選擇驅動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關斷偏置、門極電荷,、耐固性和電源情況等,。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降,、開關時間,、開關損耗,、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1,。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性,、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大,。在門極電路的設計中,，還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1),。

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關,。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時,，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇,，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,，由于開關損耗增大,，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用,。IGBT Modules 在使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時,，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時,，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊,；盡量在底板良好接地的情況下操作。保管時,，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓,，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此,，通常采用雙絞線來傳送驅動信號,，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓,。此外,，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,，則隨著集電極電位的變化,，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高,，集電極則有電流流過,。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。MOSFET驅動功率很小，開關速度快,，但導通壓降大,，載流密度小。姑蘇區(qū)好的IGBT模塊銷售廠家

由于IGBT模塊為MOSFET結構,，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。姑蘇區(qū)好的IGBT模塊銷售廠家

1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅動器靠近IGBT減小引線長度,；b) 驅動的柵射極引線絞合，并且不要用過粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅動線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無感電阻；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個并聯(lián)以減小電感,。2、IGBT 開通和關斷選取不同的柵極電阻通常為達到更好的驅動效果,，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。,。姑蘇區(qū)好的IGBT模塊銷售廠家

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