冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門(mén)極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies,，門(mén)極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,，門(mén)極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門(mén)極電荷曲線(xiàn),，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門(mén)極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。姑蘇區(qū)好的IGBT模塊銷(xiāo)售廠家

IGBT是強(qiáng)電流,、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化,。MOSFET由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn),。雖然***一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 高出很多,。IGBT較低的壓降,，轉(zhuǎn)換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu),，與同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化 IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理圖,。 [1]常熟加工IGBT模塊推薦廠家特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇,，選用時(shí)應(yīng)該降等使用,。

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，這就要在原來(lái)的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度,。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線(xiàn)的情況下,，偶然加主電高壓，通過(guò)米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶(hù)比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。對(duì)于大功率IGBT，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置,、門(mén)極電荷,、耐固性和電源情況等。門(mén)極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門(mén)極電阻RG的大小,，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降,、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗,、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響,。門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1。柵極正電壓 的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性,、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,，而門(mén)極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大。在門(mén)極電路的設(shè)計(jì)中,，還要注意開(kāi)通特性,、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問(wèn)題(見(jiàn)表1)。

IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇,，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇,，選用時(shí)應(yīng)該降等使用,。IGBT Modules 在使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一,。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸,；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),，在配線(xiàn)未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作,。保管時(shí),，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;

在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極比較大額定電壓，但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此，通常采用雙絞線(xiàn)來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),，以減少寄生電感,。在柵極連線(xiàn)中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí),，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化,，由于集電極有漏電流流過(guò),，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí),，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開(kāi)關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小,。姑蘇區(qū)好的IGBT模塊銷(xiāo)售廠家

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。姑蘇區(qū)好的IGBT模塊銷(xiāo)售廠家

1,、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線(xiàn)長(zhǎng)度；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線(xiàn)絞合,，并且不要用過(guò)粗的線(xiàn),；c) 線(xiàn)路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線(xiàn)的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻,；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2,、IGBT 開(kāi)通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果,，IGBT開(kāi)通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱(chēng) Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開(kāi)通和關(guān)斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。。姑蘇區(qū)好的IGBT模塊銷(xiāo)售廠家

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