“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件,。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意,。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)控 制：Controlled(取***個(gè)字母)整流器：Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12,、BCR8KM,、BCR08AM等等。反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花,、無噪音；效率高,，成本低等等,。蘇州好的可控硅模塊品牌

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極,，黑筆同時(shí)接通G、A極,，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā),，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。Ｈ缓笏矔r(shí)斷開A極再接通,，指針應(yīng)退回∞位置,，則表明可控硅良好。對(duì)于1~6A雙向可控硅,，紅筆接T1極,，黑筆同時(shí)接G,、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小,、廠家不同而異）。然后將兩筆對(duì)調(diào),，重復(fù)上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,，則表明可控硅良好,，且觸發(fā)電壓（或電流）小。太倉好的可控硅模塊現(xiàn)價(jià)控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能,、模式的組合體,，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能,，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率mosfet,，常簡寫為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic，常簡寫為pic)為主,。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材,，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip，簡寫psoc),，它能把傳感器件與電路,、信號(hào)處理電路、接口電路,、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓,、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能,。國際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)**。

單向可控硅和雙向可控硅,，都是三個(gè)電極,。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）,。?1,、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個(gè)極,，若正,、反測指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A,、K或G,、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、T1或T2,、G極（對(duì)雙向可控硅）,。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極，剩下即為A極,。若正,、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極,，黑筆所接為T1極,，余下是T2極。?這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。

測量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測量控制極正反向電阻時(shí),，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿,?？煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ巍⑵桨逍魏推降仔?。蘇州好的可控硅模塊品牌

其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。蘇州好的可控硅模塊品牌

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b),，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào),，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d),，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式,。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,，但由于負(fù)信號(hào)觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小,。工作比較可靠，因此在實(shí)際使用時(shí),，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多,。蘇州好的可控硅模塊品牌

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