若保持接通A極或T2極時(shí)斷開(kāi)G極,，指針立即退回∞位置，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞,?？砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量，對(duì)于單向可控硅,，閉合開(kāi)關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K燈仍不息滅,，否則說(shuō)明可控硅損壞,。對(duì)于雙向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮,，斷開(kāi)K，燈應(yīng)不息滅,。然后將電池反接,，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果,，才說(shuō)明是好的,。否則說(shuō)明該器件已損壞 [2]。對(duì)可控硅的引腳區(qū)分,，有的可從外形封裝加以判別,，如外殼就為陽(yáng)極,，陰極引線比控制極引線長(zhǎng)。從外形無(wú)法判斷的可控硅,，可用萬(wàn)用表R×100或R×1K擋,，測(cè)量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻，當(dāng)萬(wàn)用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時(shí),，黑表筆所接的是控制極G,，紅表筆所接的是陰極K，余下的一只管腳為陽(yáng)極A,。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。吳中區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)

主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA,，JX ,，SANREX，SANKEN ,，SEMIKRON ,，EUPEC，IR,，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門(mén)極觸發(fā)電流VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門(mén)極峰值功率PG----門(mén)極平均功率吳中區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。

為了克服上述問(wèn)題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關(guān)于可控硅(晶閘管)開(kāi)路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。

可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行,。***是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好；第二是當(dāng)陰極和陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷,，不導(dǎo)通,；第三是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極和陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通,；第四是給控制極加上正向電流,，給陰極和陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,，把控制極電流去掉,，仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻,，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷,。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極和陽(yáng)極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大,。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小,。如果測(cè)得的阻值很低,，或近于無(wú)窮大，說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路,，此可控硅不能使用了,。可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多。

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線,。由圖可見(jiàn),，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的,。***象限的曲線說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),，我們稱為正向電壓，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí)，叫做反向電壓,，并用符號(hào)U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí)，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的電流為I12,，其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線,，如圖4中第三象限所示,。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。吳中區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)

控制極的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,，卻不能使它關(guān)斷,。吳中區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)

這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái)，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G,、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a）,，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極,、K為負(fù)極,，所以，按照測(cè)試二極管的方法,，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測(cè)它的正、反向電阻,，電阻小時(shí),，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的。吳中區(qū)使用可控硅模塊量大從優(yōu)

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