若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,，成為工業(yè)、農業(yè),、交通運輸,、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值?；⑶饏^(qū)本地可控硅模塊量大從優(yōu)

4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時,，可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓,。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應用的快速可控硅,，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通,，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等,。可控硅有多種分類方法,。（一）按關斷,、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種?；⑶饏^(qū)質量可控硅模塊私人定做可控硅和其它半導體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點。

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB、TO-220,、TO-220ABC,、TO-3P、SOT-89,、TO-251,、TO-252、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導通,。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出,。

通常，小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術,。穿孔銅板用作功率開關和驅動ic的載體,。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。  用于中高功率應用的ipm模塊的設計特點是將模塊分為兩個層次,。功率半導體在底部,，驅動器和保護電路在上部。本領域內名氣比較大的ipm是賽米控的skiip?,，已面市超過了10年,。這種無底板ipm系列產品的比較大額定電流是2400a，包括一個驅動器和保護功能,，加上電流傳感器,、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風冷或水冷冷卻器上,，并在供貨前進行***的測試,。  在性能上，可控硅不僅具有單向導電性,，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。

一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm?？芍苯踊蚴褂脦寗与娐罚ㄍㄟ^彈簧連接）的適配器板來進行升級,。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。  2,、集成子系統(tǒng)  所有這些ipm的共同點是真實的“智能”,，即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉換器用集成子系統(tǒng)的**制造商,。skaitm模塊也是ipm,，其特點是集成了dsp控制器,，除脈寬調制外，還可進行其它通信任務,。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器,，一個輔助電源，精密電流傳感器和一個液體冷卻器,。,。鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以?；⑶饏^(qū)本地可控硅模塊量大從優(yōu)

按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。虎丘區(qū)本地可控硅模塊量大從優(yōu)

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結,，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通） [1],?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿,?；⑶饏^(qū)本地可控硅模塊量大從優(yōu)

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