1,、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動器靠近IGBT減小引線長度,；b) 驅(qū)動的柵射極引線絞合,，并且不要用過粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無感電阻,；e) 如果是有感電阻，可以用幾個并聯(lián)以減小電感,。2,、IGBT 開通和關斷選取不同的柵極電阻通常為達到更好的驅(qū)動效果，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅(qū)動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的IGBT驅(qū)動器有些是開通和關斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。,。任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT,。常熟好的IGBT模塊私人定做

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出,，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述,。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E，然后再計算出QG,。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手昆山使用IGBT模塊品牌電導調(diào)制效應使電阻RN減小,，使通態(tài)壓降小,。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大,；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快,，但導通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器,、開關電源,、照明電路、牽引傳動等領域,。

導通壓降電導調(diào)制效應使電阻RN減小,，使通態(tài)壓降小。關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時,，溝道被禁止,，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降,，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后,，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）,。這種殘余電流值（尾流）的降低，完全取決于關斷時電荷的密度,，而密度又與幾種因素有關,，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓撲，層次厚度和溫度,。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形,，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題,，特別是在使用續(xù)流二極管的設備上,，問題更加明顯。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅(qū)動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù),，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG intern其性能更好,，整機的可靠性更高及體積更小。常熟好的IGBT模塊私人定做

使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。常熟好的IGBT模塊私人定做

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴,，進行電導率調(diào)制（雙極工作）,，所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管,。若n+pn－寄生晶體管工作,，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動,，直到輸出側(cè)停止供給電流,。通過輸出信號已不能進行控制。一般將這種狀態(tài)稱為閉鎖狀態(tài),。為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施,。具體地來說，p+n-p的電流放大系數(shù)α設計為0.5以下,。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。IGBT的驅(qū)動原理與電力MOSFET基本相同，通斷由柵射極電壓uGE決定,。 [2]常熟好的IGBT模塊私人定做

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