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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-17

單向可控硅和雙向可控硅,都是三個(gè)電極,。單向可控硅有陰極(K),、陽極(A)、控制極(G),。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G),。?1,、單、雙向可控硅的判別:先任測兩個(gè)極,若正,、反測指針均不動(dòng)(R×1擋),,可能是A、K或G,、A極(對(duì)單向可控硅)也可能是T2,、T1或T2、G極(對(duì)雙向可控硅),。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,,黑筆接的為G極,,剩下即為A極。若正,、反向測批示均為幾十至幾百歐,,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,,其中必有一次阻值稍大,,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,,余下是T2極,。?常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。蘇州好的可控硅模塊品牌

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(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅,。(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),,導(dǎo)通可控硅,。(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),,即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),,來改變輸出百分比。按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定,,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》,。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:太倉本地可控硅模塊量大從優(yōu)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。

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可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個(gè)方面進(jìn)行,。***是三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好;第二是當(dāng)陰極和陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷,,不導(dǎo)通,;第三是當(dāng)控制極開路時(shí),,陽極和陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通;第四是給控制極加上正向電流,,給陰極和陽極加正向電壓時(shí),,可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉,,仍處于導(dǎo)通狀態(tài),。用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷,。具體方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極和陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),,此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,,表明正反向漏電電流愈小,。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,,此可控硅不能使用了。

若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極,,指針立即退回∞位置,,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞??砂磮D2方法進(jìn)一步測量,,對(duì)于單向可控硅,閉合開關(guān)K,,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,,否則說明可控硅損壞,。對(duì)于雙向可控硅,閉合開關(guān)K,,燈應(yīng)發(fā)亮,,斷開K,燈應(yīng)不息滅,。然后將電池反接,,重復(fù)上述步驟,均應(yīng)是同一結(jié)果,,才說明是好的,。否則說明該器件已損壞 [2]。對(duì)可控硅的引腳區(qū)分,,有的可從外形封裝加以判別,,如外殼就為陽極,,陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅,,可用萬用表R×100或R×1K擋,,測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻,當(dāng)萬用表指示低阻值(幾百歐至幾千歐的范圍)時(shí),,黑表筆所接的是控制極G,,紅表筆所接的是陰極K,余下的一只管腳為陽極A,。塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。

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可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,,是采用模塊封裝形式,,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA),、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管,、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ),、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等,。按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、可控硅和小功率可控硅三種,。昆山好的可控硅模塊報(bào)價(jià)

可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多,。蘇州好的可控硅模塊品牌

⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),,俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB、TO-220,、TO-220ABC,、TO-3P、SOT-89,、TO-251,、TO-252、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,,就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),,晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形(c)及(d),,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),,負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。蘇州好的可控硅模塊品牌

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