fsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述,。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,，然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣,，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障,。常熟新型IGBT模塊哪里買

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點,，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很***,；IGBT也是三端器件：柵極,，集電極和發(fā)射極。01:04一分鐘了解絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點,，具有良好的特性,，應(yīng)用領(lǐng)域很***；IGBT也是三端器件：柵極,，集電極和發(fā)射極,。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件,。常熟新型IGBT模塊哪里買在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊;

在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,，以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,，在柵極—發(fā)射極間開路時,，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過,，柵極電位升高,，集電極則有電流流過。這時,，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

1,、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動器靠近IGBT減小引線長度；b) 驅(qū)動的柵射極引線絞合,，并且不要用過粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無感電阻,；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個并聯(lián)以減小電感。2,、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻通常為達(dá)到更好的驅(qū)動效果,，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。

2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件,，如果沒有柵極電阻,，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多,。3,、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快,，開關(guān)損耗?。环粗畡t慢,，同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,，從而產(chǎn)生較大的干擾,，嚴(yán)重的將使整個裝置無法工作,，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二,、柵極電阻的選取1,、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會有很大的差異,。初試可如下選?。篒GBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。昆山智能IGBT模塊私人定做

為了減少接觸熱阻,，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。常熟新型IGBT模塊哪里買

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作,。常熟新型IGBT模塊哪里買

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