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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-24

⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),,俗稱(chēng)觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,,VS仍然不能導(dǎo)通,,只有在U2處于正半周,,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫(huà)出它的波形(c)及(d),,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。額定通態(tài)電流(IT)即穩(wěn)定工作電流,,俗稱(chēng)電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。工業(yè)園區(qū)質(zhì)量可控硅模塊哪里買(mǎi)

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若保持接通A極或T2極時(shí)斷開(kāi)G極,,指針立即退回∞位置,則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞,??砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量,對(duì)于單向可控硅,,閉合開(kāi)關(guān)K,,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開(kāi)K燈仍不息滅,,否則說(shuō)明可控硅損壞,。對(duì)于雙向可控硅,閉合開(kāi)關(guān)K,,燈應(yīng)發(fā)亮,,斷開(kāi)K,燈應(yīng)不息滅,。然后將電池反接,,重復(fù)上述步驟,均應(yīng)是同一結(jié)果,,才說(shuō)明是好的,。否則說(shuō)明該器件已損壞 [2]。對(duì)可控硅的引腳區(qū)分,,有的可從外形封裝加以判別,,如外殼就為陽(yáng)極,陰極引線比控制極引線長(zhǎng),。從外形無(wú)法判斷的可控硅,,可用萬(wàn)用表R×100或R×1K擋,測(cè)量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻,,當(dāng)萬(wàn)用表指示低阻值(幾百歐至幾千歐的范圍)時(shí),,黑表筆所接的是控制極G,紅表筆所接的是陰極K,,余下的一只管腳為陽(yáng)極A,。姑蘇區(qū)使用可控硅模塊報(bào)價(jià)可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC,。

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BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程,對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),,觸發(fā)信號(hào)加入控制極,,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,??煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,,而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea,,使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),,可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,,如果Ea極性反接,,BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。

2,、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,,對(duì)于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,,黑筆同時(shí)接通G,、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開(kāi)G極,,指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,,此時(shí)可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開(kāi)A極再接通,,指針應(yīng)退回∞位置,則表明可控硅良好,。?對(duì)于1~6A雙向可控硅,,紅筆接T1極,黑筆同時(shí)接G,、T2極,,在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開(kāi)G極,指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小,、廠家不同而異),。然后將兩筆對(duì)調(diào),重復(fù)上述步驟測(cè)一次,,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,,則表明可控硅良好,且觸發(fā)電壓(或電流)小,。?控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大,。

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[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,,而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b),這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱(chēng)為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c),,輸入正向觸發(fā)信號(hào),,雙向可控硅導(dǎo)通后,通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,,因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12,,輸入的是反向觸發(fā)信號(hào)(圖5d),,雙向可控硅導(dǎo)通后,通態(tài)電流仍從T1流向T2,。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式,。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,但由于負(fù)信號(hào)觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小,。工作比較可靠,,因此在實(shí)際使用時(shí),負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多,??煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管,。工業(yè)園區(qū)質(zhì)量可控硅模塊哪里買(mǎi)

可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,,其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。工業(yè)園區(qū)質(zhì)量可控硅模塊哪里買(mǎi)

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,,等等,。可控硅的主要參數(shù)有:1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),,陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。工業(yè)園區(qū)質(zhì)量可控硅模塊哪里買(mǎi)

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