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黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度,。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力,。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān),而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系 ,。作為刻蝕阻擋層,,光刻膠層必須和晶圓表面黏結(jié)得很好,才能夠忠實(shí)地把光刻層圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面層,,光刻膠的黏附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形,。光刻膠的黏附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝(刻蝕、離子注入等),。通常負(fù)膠比正膠有更強(qiáng)的黏結(jié)能力,。
表面張力指液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,,使光刻膠具有良好的流動(dòng)性和覆蓋,。 經(jīng)過(guò)多年技術(shù)積累,國(guó)內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能,,國(guó)內(nèi)公司市場(chǎng)份額逐步提升,,國(guó)產(chǎn)替代正在進(jìn)行。嘉定光聚合型光刻膠單體
歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長(zhǎng)呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢(shì),。不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代,半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間,。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被大量使用,。在90年代前半期,隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um(500nm)和0.35um(350nm)演進(jìn),,光刻開(kāi)始采用365nm波長(zhǎng)光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高,,波長(zhǎng)**短的兩個(gè)譜線(xiàn)。高壓汞燈技術(shù)成熟,,因此很早被用來(lái)當(dāng)作光刻光源,。使用波長(zhǎng)短,能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率,。以研究光譜而聞名的近代德國(guó)科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長(zhǎng)的光譜分別命名為G線(xiàn)和I線(xiàn)。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來(lái),。上海半導(dǎo)體光刻膠顯影目前,,中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。
光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi),可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場(chǎng)上不同種類(lèi)光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡,。智研咨詢(xún)的數(shù)據(jù)還顯示,,受益于半導(dǎo)體、顯示面板,、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì),,自 2011年至今,光刻膠中國(guó)本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率達(dá)到11%,,高于全球平均 5%的增速,。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷(xiāo)售規(guī)模約70億元,全球占比約 10%,,發(fā)展空間巨大,。目前,中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,,平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。
中美貿(mào)易摩擦:光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,;自從中美貿(mào)易摩擦依賴(lài),中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,,光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),,也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,,對(duì)制造出更先進(jìn),晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?,F(xiàn)在,一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè):主要使用g線(xiàn)光刻膠,、i線(xiàn)光刻膠,、KrF光刻膠、ArF光刻膠等,。
分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物,,其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則,能夠避免結(jié)晶,,與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性,。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),,有機(jī)配體中包含光敏基團(tuán),,借助光敏基團(tuán)的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能。從化學(xué)組成來(lái)看,,金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物,。光刻膠生產(chǎn)工藝復(fù)雜,技術(shù)壁壘高,,其研發(fā)和量產(chǎn)對(duì)企業(yè)都具有極高要求,。昆山i線(xiàn)光刻膠其他助劑
國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球,國(guó)內(nèi)企業(yè)投入加大,,未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超,。嘉定光聚合型光刻膠單體
光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的要點(diǎn),,質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù):由于光刻膠的下游用戶(hù)是IC芯片和FPD面板制造商,,不同的客戶(hù)會(huì)有不同的應(yīng)用需求,,同一個(gè)客戶(hù)也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程,,由于基板不同,、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣,,即使類(lèi)似的光刻過(guò)程,,不同的廠(chǎng)商也會(huì)有不同的要求。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求,,光刻膠的品種非常多,,這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此,,通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方,,滿(mǎn)足差異化的應(yīng)用需求,是光刻膠制造商重要的技術(shù),。嘉定光聚合型光刻膠單體
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