中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小,，光刻工藝對(duì)光刻膠要求越來越高,，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%,，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約8%-10%,；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復(fù)合增速為9.8%,，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約10%,。以前，光刻膠主要依賴進(jìn)口,，隨著科技的逐漸發(fā)展,，國產(chǎn)化光刻膠趨勢(shì)越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會(huì)越來越成熟,，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢(shì),。中國半導(dǎo)體光刻膠的快速崛起離不開中國整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。江蘇干膜光刻膠曝光

   光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對(duì)光敏感的混合液體,。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）,、光刻膠樹脂,、單體、溶劑和其他助劑,。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng),，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上,。依據(jù)使用場景,，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板,。據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計(jì),，2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計(jì)近90億美元，自 2010年至今CAGR約5.4%。預(yù)計(jì)該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長,，至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元,。光交聯(lián)型光刻膠其他助劑有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料。

    光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠,。全球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡,。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導(dǎo)體,、顯示面板,、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì)，自 2011年至今,，光刻膠中國本土供應(yīng)規(guī)模年華增長率達(dá)到11%,，高于全球平均 5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,，全球占比約 10%,，發(fā)展空間巨大。目前,，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。

此外,，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期,，遵從摩爾定律的指引,，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù),。深紫外光由于波長更短,，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨著 KrF,、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）,、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實(shí)際使用,。然而,由于 DQN 體系光刻膠對(duì)深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng)，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會(huì)受到嚴(yán)重影響,。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系,，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR)。按曝光波長可分為紫外光刻膠,、深紫外光刻膠,、極紫外光刻膠、電子束光刻膠,、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等。

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下,，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí),。與此同時(shí)，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求,。在浸沒工藝中,；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭,；其次,，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層,。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上；接著,，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變,，影響加工精度；當(dāng)浸沒工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時(shí),，將對(duì)于光刻膠多個(gè)性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn),。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一,。光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。光分解型光刻膠顯示面板材料

金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，借助光敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。江蘇干膜光刻膠曝光

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,，對(duì)制造出更先進(jìn),，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過程,。其中不同的光刻過程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響,。江蘇干膜光刻膠曝光

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