此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作,。90年代后半期,，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開(kāi)始縮小到0.35um（350nm）以下,，因而開(kāi)始要求更高分辨率的光刻技術(shù),。深紫外光由于波長(zhǎng)更短，衍射作用小,，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨著 KrF、ArF等稀有氣體鹵化物準(zhǔn)分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展,，248nm（KrF）,、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開(kāi)始成熟并投入實(shí)際使用。然而,由于 DQN 體系光刻膠對(duì)深紫外光波段的強(qiáng)烈吸收效應(yīng),，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無(wú)法穿透DQN光刻膠,，這意味著光刻分辨率會(huì)受到嚴(yán)重影響,。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g-line光刻膠完全不同的技術(shù)體系，這種技術(shù)體系被稱為化學(xué)放大光阻體系(Chemically Amplified Resist, CAR),。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑,、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂,、單體,、溶劑和其他助劑。浦東顯示面板光刻膠其他助劑

雖然在2007年之后,，一些波長(zhǎng)更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無(wú)法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等，成本長(zhǎng)期居高不下,。再加上浸沒(méi)光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn),，193nm波長(zhǎng)ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中,，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用,。在與浸沒(méi)光刻相對(duì)的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒(méi)光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過(guò)這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射,，波長(zhǎng)變短,。這樣，在不改變光源的前提條件下,，更短波長(zhǎng)的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率。昆山顯示面板光刻膠顯示面板材料氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用,。

歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長(zhǎng)呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢(shì),。不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間,。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被大量使用,。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開(kāi)始采用365nm波長(zhǎng)光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長(zhǎng)**短的兩個(gè)譜線,。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此很早被用來(lái)當(dāng)作光刻光源,。使用波長(zhǎng)短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國(guó)科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長(zhǎng)的光譜分別命名為G線和I線,。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來(lái),。

    光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場(chǎng)上不同種類光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡,。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示,，受益于半導(dǎo)體、顯示面板,、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì),，自 2011年至今，光刻膠中國(guó)本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率達(dá)到11%,，高于全球平均 5%的增速,。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，全球占比約 10%,，發(fā)展空間巨大,。目前，中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化光刻膠結(jié)合了有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的優(yōu)點(diǎn),，在可加工性,、抗蝕刻性、極紫外光吸收具有優(yōu)勢(shì),。

半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中除了美國(guó)杜邦，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR,、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場(chǎng)高度壟斷,。近年來(lái)，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售,，光刻膠方面，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國(guó)內(nèi)主要12英寸,、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中,，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行,，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過(guò)下游客戶驗(yàn)證，有望在未來(lái)形成銷售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個(gè)月以內(nèi)，無(wú)法囤貨,，一旦斷供可能會(huì)引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面，由此國(guó)產(chǎn)化重要性更加凸顯,。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷。昆山ArF光刻膠印刷電路板

光刻膠下游為印刷電路板,、顯示面板和電子芯片,，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子,、航空航天等領(lǐng)域。浦東顯示面板光刻膠其他助劑

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移,，加上我國(guó)持續(xù)增長(zhǎng)的下游需求和政策支持力度,。同時(shí),，國(guó)內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn),，國(guó)內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,。當(dāng)前我國(guó)光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距,，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下,，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國(guó)內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠,，所以必須要對(duì)光刻膠足夠的重視,，不斷向日本和歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家學(xué)習(xí),，努力開(kāi)發(fā)出性能優(yōu)異的國(guó)產(chǎn)光刻膠,，使我國(guó)在未來(lái)的市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。浦東顯示面板光刻膠其他助劑

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