導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法,。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在硅片的中心,，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開,，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中,，光刻膠中的溶劑會揮發(fā)一部分,。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片,，量大了會導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面,，影響工藝質(zhì)量。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足新型的硅片加工需求,。相對靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言，動態(tài)噴灑法在光刻膠對硅片進行澆注的時刻就開始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進行**初的擴散,。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展,，以高速旋轉(zhuǎn)形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。江浙滬i線光刻膠光引發(fā)劑

在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流,。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中,，樹脂是具有化學(xué)基團保護因而難以溶解的聚乙烯?；瘜W(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑,。當(dāng)光刻膠曝光后,，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑,，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解,。化學(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍,，對深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性,，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點,。按照曝光波長分類,；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）,、極紫外光刻膠（EUV,，13.5nm）、電子束光刻膠,、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠,，其適用的光刻極限分辨率不同,。通常來說,，在使用工藝方法一致的情況下,，波長越短,，加工分辨率越佳。昆山半導(dǎo)體光刻膠樹脂光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。

半導(dǎo)體光刻膠市場中除了美國杜邦,，其余四家均為日本企業(yè)。其中JSR,、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場高度壟斷。近年來,，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn)，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象,。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售，光刻膠方面,，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國內(nèi)主要12英寸,、8英寸晶圓廠，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中,，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進行,，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗證,，有望在未來形成銷售。光刻膠保質(zhì)期通常在6個月以內(nèi),，無法囤貨,，一旦斷供可能會引起停產(chǎn)的嚴重局面，由此國產(chǎn)化重要性更加凸顯,。

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）,、極深紫外光（EUV）等尤為重要  ,。負膠通常需5~15 s時間曝光，正膠較慢,，其曝光時間為負膠的3~4倍  ,。靈敏度反映了光刻膠材料對某種波長的光的反應(yīng)程度。不同的光刻膠對于不同的波長的光是有選擇性的,。比如248 nm波長光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu),，對193 nm波長的光具有很強的吸收作用,，即對193 nm波長的光是不透明的,，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體。同時,，高的產(chǎn)出要求短的曝光時間,，對光刻膠的靈敏度要求也越來越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標,，曝光劑量值越小,，光刻膠的靈敏度越高。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右,，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對比度曲線上,。經(jīng)過多年技術(shù)積累,，國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能，國內(nèi)公司市場份額逐步提升,，國產(chǎn)替代正在進行,。

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級,。與此同時,，這兩項技術(shù)對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中,；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴散,，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭,；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡,，液體和頂部涂層,。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上；接著,，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變,，影響加工精度；當(dāng)浸沒工藝目標分辨率接近10nm時,，將對于光刻膠多個性能指標的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn),。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一,。光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料,，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。江浙滬i線光刻膠其他助劑

在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠,、濕膜光刻膠,、感光阻焊油墨等。江浙滬i線光刻膠光引發(fā)劑

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球,。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大,。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%,，預(yù)計未來5年年均增速約8%-10%,；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復(fù)合增速為9.8%,，預(yù)計未來5年年均增速約10%,。以前，光刻膠主要依賴進口,，隨著科技的逐漸發(fā)展,，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟,，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢,。江浙滬i線光刻膠光引發(fā)劑

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