光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑,，是指通過紫外光,、電子束、離子束,、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂,、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體,。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料,。半導(dǎo)體材料在表面加工時,，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像,。光刻膠按其形成的圖像分類有正性,、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過程中,，涂層曝光,、顯影后，曝光部分被溶解,，未曝光部分留下來,，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來,，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠,、X-射線膠,、電子束膠、離子束膠等,。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板,、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè) 。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜,，品種規(guī)格較多,，在電子工業(yè)集成電路的制造中,，對所使用光刻膠有嚴(yán)格的要求。光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。江浙滬LCD觸摸屏用光刻膠單體
目前國內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電,、上海新陽,、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主,，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域,，北京科華,、博康已實現(xiàn)量產(chǎn)。國內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對較快的企業(yè)為南大光電,，其先后承擔(dān)國家02專項“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國內(nèi)通過客戶驗證的國產(chǎn)ArF光刻膠，其他國內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗證階段,。蘇州PCB光刻膠溶劑目前,，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。
黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力,。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān),，而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系 。作為刻蝕阻擋層,，光刻膠層必須和晶圓表面黏結(jié)得很好,，才能夠忠實地把光刻層圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形,。光刻膠的黏附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝（刻蝕,、離子注入等）。通常負(fù)膠比正膠有更強(qiáng)的黏結(jié)能力,。
表面張力指液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力,。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋,。
雖然在2007年之后,，一些波長更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn)，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作,。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等，成本長期居高不下,。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn)，193nm波長ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸,，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中,，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用。在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變短,。這樣，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率。經(jīng)過多年技術(shù)積累,，國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能,，國內(nèi)公司市場份額逐步提升，國產(chǎn)替代正在進(jìn)行,。
隨著IC集成度的提高,，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級,、深亞微米級進(jìn)入到納米級階段,。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，對包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn),。在半導(dǎo)體制程的光刻工藝中,，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸,；k1是瑞利常數(shù),，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個相關(guān)系數(shù)；λ是曝光波長,，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機(jī)的孔徑數(shù)值,。因此，光刻機(jī)需要通過降低瑞利常數(shù)和曝光波長,，增大孔徑尺寸來制造具有更小特征尺寸的集成電路,。其中降低曝光波長與光刻機(jī)使用的光源以及光刻膠材料高度相關(guān),。光刻膠只是一種形象的說法，因為光刻膠從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體,。正性光刻膠光致抗蝕劑
碳酸甲酯型光刻膠：這種類型的光刻膠在制造高分辨率電路元件方面非常有用,。江浙滬LCD觸摸屏用光刻膠單體
半導(dǎo)體光刻膠市場中除了美國杜邦，其余四家均為日本企業(yè),。其中JSR,、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種，尤其在EUV市場高度壟斷,。近年來,，隨著光刻膠的需求攀升，疊加日本減產(chǎn),，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售,，光刻膠方面,，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應(yīng)國內(nèi)主要12英寸、8英寸晶圓廠,，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中,，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進(jìn)行，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗證,，有望在未來形成銷售,。光刻膠保質(zhì)期通常在6個月以內(nèi)，無法囤貨,，一旦斷供可能會引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面,，由此國產(chǎn)化重要性更加凸顯。江浙滬LCD觸摸屏用光刻膠單體
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