在CAR技術(shù)體系中,，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度，而是產(chǎn)生酸,。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下,，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度。因此CAR技術(shù)體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑,。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會(huì)在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在,，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng),，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少,，因此加強(qiáng)了光刻的效率。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右,。光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類,，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠,。浦東光分解型光刻膠樹脂

雖然在2007年之后，一些波長(zhǎng)更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等,，成本長(zhǎng)期居高不下。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn),，193nm波長(zhǎng)ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸,，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用,。在與浸沒光刻相對(duì)的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體,。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射,，波長(zhǎng)變短。這樣,，在不改變光源的前提條件下,，更短波長(zhǎng)的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率,。上海光刻膠印刷電路板在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。

根據(jù)2019年數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場(chǎng)87%份額,。其中日本占有四家,，分別是JSR、東京應(yīng)化(TOK),、信越化學(xué)與富士電子材料,，這四家的市場(chǎng)份額達(dá)到72%，市場(chǎng)集中度明顯,。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域,，日本廠商在市場(chǎng)中具有較強(qiáng)話語權(quán)。（1）g/i線光刻膠市場(chǎng)：日本的東京應(yīng)化,、JSR,、住友化學(xué)和富士膠片分別占據(jù)26%、15%,、15%,、8%的份額，在全球市場(chǎng)占據(jù)64%份額,。（2）KrF光刻膠市場(chǎng)：日本企業(yè)東京應(yīng)化,、信越化學(xué)和JSR在全球KrF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)分別占據(jù)34%、22%和18%份額,，合計(jì)占比達(dá)到74%,。（3）ArF光刻膠市場(chǎng)：日本企業(yè)JSR、信越化學(xué),、東京應(yīng)化和住友化學(xué)包攬前四,，分別占據(jù)全球ArF光刻膠細(xì)分市場(chǎng)25%,、23%、20%和15%市場(chǎng)份額,，合計(jì)市場(chǎng)份額達(dá)到83%,。（4）EUV光刻膠市場(chǎng)：較先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域完全被日本企業(yè)所主導(dǎo)，日本JSR,、東京應(yīng)化,、信越化學(xué)成為EUV光刻膠市場(chǎng)可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠商。目前引入EUV工藝的*有三星電子和臺(tái)積電兩家公司,。

通常光刻膠等微電子化學(xué)品不僅品質(zhì)要求高,，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒有規(guī)模效益,，供應(yīng)商就無法承擔(dān)滿足多樣化需求帶來的開銷,。因此，品種規(guī)模構(gòu)成了進(jìn)入該行業(yè)的重要壁壘,。同時(shí),，一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求,，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無塵或微塵處理,。制備微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程,，以避免污染,，提高質(zhì)量。因此,，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn),、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng),、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高,。如果沒有強(qiáng)大的資金實(shí)力，企業(yè)就難以在設(shè)備,、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此,，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘,。在平板顯示行業(yè)；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠,、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等。

歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長(zhǎng)呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢(shì)。不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被大量使用,。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn),，光刻開始采用365nm波長(zhǎng)光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長(zhǎng)**短的兩個(gè)譜線,。高壓汞燈技術(shù)成熟,，因此很早被用來當(dāng)作光刻光源。使用波長(zhǎng)短,，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國(guó)科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長(zhǎng)的光譜分別命名為G線和I線,。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來,。我國(guó)光刻膠行業(yè)起步較晚，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠,、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品,。上海黑色光刻膠光致抗蝕劑

光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在展開，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè),。浦東光分解型光刻膠樹脂

目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域,，有2-3代差距,，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,，未來國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大,。當(dāng)今，中國(guó)通過國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）撬動(dòng)全社會(huì)資源對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行投資和扶持,。同時(shí),，國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù),，力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平,，打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在展開,，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域,，盡管國(guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距,，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下,，中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。浦東光分解型光刻膠樹脂

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