浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體,。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射，波長變短,。這樣,，在不改變光源的前提條件下，更短波長的紫外光被投影光刻膠上,，提高了光刻加工的分辨率,。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的一種方法是在開始光刻過后平移同一個(gè)光罩進(jìn)行第二次光刻,，以提高加工分辨率,。下圖右展示了這樣一個(gè)過程。下圖右中雙重光刻子進(jìn)行了兩次涂膠,，兩次光刻和兩次刻蝕,。隨著光刻膠技術(shù)的進(jìn)步，只需要一次涂膠,，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能,。從化學(xué)組成來看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機(jī)化合物,。正性光刻膠其他助劑

按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)形成的圖形與光罩（掩膜版）相反,；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,，區(qū)別在于主要原材料不同,。

按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類,；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型,，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基,，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,，生成聚合物；光分解型光刻膠,，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠,；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),，而起到抗蝕作用,，可以制成負(fù)性光刻膠。 浦東光分解型光刻膠光引發(fā)劑有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料,。

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物,，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則，能夠避免結(jié)晶,，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性,。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，有機(jī)配體中包含光敏基團(tuán),，借助光敏基團(tuán)的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能。從化學(xué)組成來看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機(jī)化合物,。

歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長436nm的光刻光源被大量使用,。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開始采用365nm波長光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高,，波長**短的兩個(gè)譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此很早被用來當(dāng)作光刻光源,。使用波長短,，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率,。以研究光譜而聞名的近代德國科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長的光譜分別命名為G線和I線,。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來。光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史,，現(xiàn)已用于集成電路,、顯示、PCB 等領(lǐng)域,，是光刻工藝的重要材料,。

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力,。一般用關(guān)鍵尺寸（CD,，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,，光刻膠的分辨率越好 ,。此性質(zhì)深受光刻膠材質(zhì)本身物理化學(xué)性質(zhì)的影響，必須避免光刻膠材料在顯影過程中收縮或在硬烤中流動(dòng),。因此,，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力，需謹(jǐn)慎選擇高分子基材及所用的顯影劑,。分辨率和焦深都是光刻中圖像質(zhì)量的關(guān)鍵因素,。在光刻中既要獲得更好的分辨率來形成關(guān)鍵尺寸圖形，又要保持合適的焦深是非常矛盾的,。雖然分辨率非常依賴于曝光設(shè)備,，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。經(jīng)過多年技術(shù)積累,，國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能,，國內(nèi)公司市場份額逐步提升，國產(chǎn)替代正在進(jìn)行,。嘉定黑色光刻膠其他助劑

光刻膠也稱為光致抗蝕劑,，是一種光敏材料，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變,，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域,。正性光刻膠其他助劑

日韓材料摩擦：半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化是必然趨勢；2019年7月份,，在日韓貿(mào)易爭端的背景下,，日本宣布對韓國實(shí)施三種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料實(shí)施禁運(yùn)，包含刻蝕氣體,，光刻膠和氟聚酰亞胺,。韓國是全球存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地，顯示屏生產(chǎn)基地,，也是全球晶圓代工基地,，三星，海力士,，東部高科等一大批晶圓代工廠和顯示屏廠都需要日本的半導(dǎo)體材料,。這三種材料直接掐斷了韓國存儲(chǔ)器和顯示屏的經(jīng)濟(jì)支柱。目前中國大陸對于電子材料,，特別是光刻膠方面對國外依賴較高,。所以在半導(dǎo)體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢。正性光刻膠其他助劑