抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中,，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強(qiáng)的抗蝕性,，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能。在干法刻蝕中,，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時,，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度,。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用,，器件的電路性能受阻。目前,，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主,，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。華東TFT-LCD正性光刻膠曝光

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤、旋轉(zhuǎn)涂膠,、軟烘,、曝光,、曝光后烘烤、顯影,、堅膜烘烤,、顯影檢查等工序。在光刻過程中,，光刻膠被均勻涂布在襯底上,，經(jīng)過曝光、顯影與刻蝕等工藝,，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%,，耗時占整個芯片工藝的40-50%,，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求逐步提高,，需求量也隨之增加。從全球市場來看,，專注電子材料市場研究的TECHCET預(yù)測數(shù)據(jù)顯示,，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場規(guī)模將同比增長11%，達(dá)到19億美元,。浦東PCB光刻膠溶劑聚合度越小,，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對應(yīng)的光刻圖形越小,。

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻,、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板,；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+,、H3+,、He+，以鏤空式模板,，縮小投影（4~5倍） ,。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似，不需要掩膜板,，應(yīng)用高能離子束直寫,。離子束的散射沒有電子束那么強(qiáng)，因此具有更好的分辨率,。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金,，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射,，其發(fā)射面積很小（<10 nm）,，因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束,，從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光。

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球,。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大,。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復(fù)合增速為5.4%,，預(yù)計未來5年年均增速約8%-10%,；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復(fù)合增速為9.8%,，預(yù)計未來5年年均增速約10%,。以前，光刻膠主要依賴進(jìn)口,，隨著科技的逐漸發(fā)展,，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟,，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢,。光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度,。曝光后，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時,，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時除去,。由此,，曝光過的光刻膠會溶解于顯影液而被去除，而未曝光的光刻膠部分則得以保留,。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似,，但是其樹脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化，因而具有不同的分辨率。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作,，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作,。產(chǎn)品純度、金屬離子雜質(zhì)控制等也是光刻膠生產(chǎn)工藝中需面臨的技術(shù)難關(guān),，光刻膠純度不足會導(dǎo)致芯片良率下降。光聚合型光刻膠集成電路材料

按曝光波長可分為紫外光刻膠,、深紫外光刻膠,、極紫外光刻膠、電子束光刻膠,、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等。華東TFT-LCD正性光刻膠曝光

在雙重曝光工藝中,，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),，就可以節(jié)省一次刻蝕，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程,。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射,，在兩次曝光過程后，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0,，而發(fā)生錯誤的光刻反應(yīng),。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0，那么就是一次合格的雙重曝光,。從這個例子可以看出,，與單次曝光不同，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強(qiáng)度之間的權(quán)衡,。華東TFT-LCD正性光刻膠曝光