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場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開關(guān)導(dǎo)通,。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻R...

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）,、源極（source）三個(gè)端,，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。除JFET以外,，所有的FET也有第四端,，被稱為體（body）、基（...

場效應(yīng)管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔,，紅表筆接源極S,，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值,。然后用手指捏柵極G,，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上,。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生...

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高...

場效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)...

場效應(yīng)管電阻法測電極:根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正,、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上,，任選兩個(gè)電極,，分別測出其正、反向電阻值,。當(dāng)某兩個(gè)電極的正,、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí),，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和...

用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管：首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來,，對調(diào)表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來,，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所...

深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū)，成立于2010年,，占地面積10000余平方米,，是一家專業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商,。我司專注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn),、加工和銷售,。作為國家高新技術(shù)企業(yè)，憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展,，現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模,。我司主營場效應(yīng)...

VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效,、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具...

C-MOS場效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管）電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用,。當(dāng)輸入端為低電平時(shí),，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通,。當(dāng)輸入端為高電平時(shí),，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接...

場效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分,。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)...

結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號,，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí),，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,，則漏,、源極之間導(dǎo)電的...

VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效,、功率開關(guān)器件。它不光繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右）,，還具...

場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零,，幾乎不要向信號源吸取電流,，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小,，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體,。場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用...

場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件,，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場效應(yīng)管,。場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對溫度,、輻射等外界條件很...

場效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)...

VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件,。它不光繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動(dòng)電流小（左右0.1μA左右）,，還具...

場效應(yīng)管電阻法測電極:根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正,、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極,。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上,，任選兩個(gè)電極，分別測出其正,、反向電阻值,。當(dāng)某兩個(gè)電極的正,、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí),，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和...

場效應(yīng)管在過渡層由于沒有電子,、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性,，通常電流也難流動(dòng),。但是此時(shí)漏極-源極間的電場，實(shí)際上是兩個(gè)過渡層接觸漏極與門極下部附近,，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層,。因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次,，VG...

場效應(yīng)管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測出的阻值都很大,，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必...

盟科MK3004N大功率MOS用于榨汁機(jī),，手持咖啡機(jī)，破壁機(jī)等家電產(chǎn)品,，其內(nèi)阻可以做到4毫歐以為,，芯片面積大，EAS雪崩能力強(qiáng),，可達(dá)40A,，電流可達(dá)100A，電壓為30V,，N溝道的場效應(yīng)管,，封裝形式為貼片TO-252，產(chǎn)品穩(wěn)定,，可以提供樣品測試,，技術(shù)支持，...

場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載...

場效應(yīng)管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極,、柵極與源極,、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞,。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔,，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在...

場效應(yīng)管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極,。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作，所以不必...

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻R...

MOS場效應(yīng)管的測試方式(1)．打算工作測量之前,，先把人體對地短路后,，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接,，使人體與大地維持等電位,。再把管腳分離，然后拆掉導(dǎo)線,。(2)．判斷電極將萬用表撥于R×100檔,，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻...

場效應(yīng)管使用時(shí)應(yīng)注意:（1）器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝,。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起,，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動(dòng),，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件,。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)...

三極管是流控型器件,，MOS管是壓控型器件,，可控硅不單單是流控型器件，稍微復(fù)雜一點(diǎn),。分別介紹,。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開關(guān),，也可以用作信號放大,。三極管分為NPN型和PNP型，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后,，三極管導(dǎo)通,。對于NPN三極管...

柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線,。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線,。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí)，漏極電流ID將隨之改變,。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓...

柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線,。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),，漏極電流ID將隨之改變。當(dāng)ID=0時(shí),UGS的值為場效應(yīng)管的夾斷電壓...