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當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流I...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度。鑒...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220AB、TO-3P,、SOT-89,、TO-251,、TO-252等。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件,。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V),、B...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等,?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,，處于反向關斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度,。在...

通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內(nèi)可控硅導通的電角度叫導通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。楊浦區(qū)如何晶閘管品牌大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導體材料組成的...

晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,，通過開關S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極,，控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管,，若采用KP5型，應接在3V直流電源的正極）,。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開關S,，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通,；再按一下按鈕開關SB,，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了,，說明晶閘管導通了,。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢常用可控硅的VRRM/VDRM...

5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應用的快速可控硅,，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通,，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等,。可控硅有多種分類方法,。（一）按關斷,、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導可控硅,、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；徐匯區(qū)銷售晶閘管費用雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,，夾子壓接、...

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流,，具有無火花、動作快,、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示,。它的型號,，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格,、型號、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時,，電極引腳向下，面對標...

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,，三個電極分別是T1,、T2,、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1、T2表示,，不再劃分成陽極或陰極,。其特點是，當G極和T2極相對于T1,，的電壓均為正時,，T2是陽極，T1是陰極,。反之,，當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極,，T2為陰極,。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對稱性,，所以它可在任何一個方向?qū)?。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1,、A2間壓降也約1V,。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)...

當晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流I...

當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中,，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流I...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220AB、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、B...

安裝過程中,，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量,；和接頭片接觸的散熱器表面應處理，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應在0.55nm 和0.8nm 之間；應避免使用自攻絲螺釘,，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起,，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩無法控制，也是這種安裝方法的缺點,；器件應首先機械固定,，然后焊接引線。這可減少引線的不適當應力,。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。如果把...

Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號,，如：三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B,、BTA16-600B,、BTA41-600B等等；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B,、BTB16-600B、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號***一個字母)帶“W”的,，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”,、“CW”,、“SW”...

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉。3,、關于轉(zhuǎn)換電流變化率當負載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況**易在感性負載的情況下發(fā)生,，很容易導致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重,，在這種情況下可以在MT1和M...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度。按...

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā),，導通可控硅,。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸發(fā),，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位）,，來改變輸出百分比,。按一機部IBI144一75的規(guī)定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》,。普通可控硅的型號采用如下格式標注:不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。虹口區(qū)如何晶閘管銷售價格四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸...

至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,，E=10mA，C=15mA,，F(xiàn)=25mA,，G=50mA，R=200uA或5mA,，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的定義,，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA,，CW=35mA，BW=50mA,，C=25mA,，B=50mA，H=15mA,，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細說明一般分為最小值/典型值/最大值,，而非“=”一個參數(shù)值,。維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導...

安裝過程中,，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應處理,，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應在0.55nm 和0.8nm 之間,；應避免使用自攻絲螺釘,，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩無法控制,，也是這種安裝方法的缺點,；器件應首先機械固定，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當應力,。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。按封裝...

維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關,，結(jié)溫越高， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,，這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù)。此值超限將可能導致可控硅出現(xiàn)誤導通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容,。 [1]對負載小，或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,， 可在自由空間工作,。 但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上,，為了減小熱阻,，可控硅與散熱器間要涂上導熱硅脂。 [1]可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。靜安區(qū)進口晶閘管品牌...

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài),?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備，如果超過此功率,，因元件開關損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低，此時,，標稱電流應降級使用,?？煽毓璧膬?yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,；反應極快，在微秒級內(nèi)開通,、關斷,；無觸點運行，無火花,、無噪音,；效率高，成本低等等,?？煽毓璧娜觞c：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導通,。大,；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。青浦區(qū)質(zhì)量晶閘管費用四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸...

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點,更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,在交流電的正、負半周,從規(guī)定時刻(通常為零值),，開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導通期間所對應的電角度叫導通角0,。在右圖(a)中,適當調(diào)整觸發(fā)電路的RC時間常數(shù)即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導通:角150°時的UAi-z及負載的電壓波形,。一般雙向可控硅所能控制的負載遠比單向可控硅...

可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測,。大家知道,，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)（a）,，相當于一個二極管,，G為正極、K為負極,，所以,，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極,，測它的正,、反向電阻,，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G,，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB,，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出。虹口區(qū)銷售晶閘管廠家現(xiàn)貨在性能上,，可控硅不僅具...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng),。額定電流：IA小于2A。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應用較多?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電...

另外，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,。實際上,，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等,?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn),，使半導體技術(shù)從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運輸、***科研以至商...

5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅,，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等,?？煽毓栌卸喾N分類方法。（一）按關斷,、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導可控硅,、門極關斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。長寧區(qū)選擇晶閘管銷售價格Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“B...

將兩只單向可控硅SCRl,、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接,，就組成了一個簡單實用的大功率無級調(diào)速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源,，只要將負載與本電路串聯(lián)后接通電源,，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角,，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個主可控硅阻斷,，因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通,，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降,，因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時,，SCR1,、SCR2會誤導通，導通程度由電位器R2決定,。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,，...

PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉(zhuǎn)為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后,，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷,。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū),。(5)應在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅,。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。楊浦區(qū)如何晶閘管費用再由這三組英文名詞的較早字母組合...

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備,，如果超過此頻率，因元件開關損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時，標稱電流應降級使用,?？煽毓璧膬?yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,；反應極快，在微秒級內(nèi)開通,、關斷,；無觸點運行，無火花,、無噪音,；效率高，成本低等等,?？煽毓璧娜觞c：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導通,。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度,。青浦區(qū)銷售晶閘管設計主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS，NEC,，ON...

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點,更方便交流功率控制,。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度,。這樣,在交流電的正,、負半周,從規(guī)定時刻(通常為零值),，開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導通期間所對應的電角度叫導通角0,。在右圖(a)中,適當調(diào)整觸發(fā)電路的RC時間常數(shù)即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導通:角150°時的UAi-z及負載的電壓波形,。一般雙向可控硅所能控制的負載遠比單向可控硅...