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晶閘管T在工作過(guò)程中,，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件,，三個(gè)電極分別是T1,、T2、G,。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用T1,、T2,。表示，不再劃分成陽(yáng)極或陰極,。其特點(diǎn)是,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,，的電壓均為正時(shí)，T2是陽(yáng)極,，T1是陰極,。反之，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽(yáng)極,，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性,，由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。在U2的每個(gè)正半周,，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬...

畫(huà)出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。小功率塑封雙向可控硅通常用...

5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓栌卸喾N分類方法。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。松江區(qū)哪里晶閘管聯(lián)系人PNPN四層組成(2)可控硅...

可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用,。其***特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng),。可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1,、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),，雙向可控硅才截?cái)啵藭r(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｉ虾＿M(jìn)口...

大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱晶閘管T,，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR,。鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。青浦區(qū)如何晶閘管報(bào)價(jià)至于型號(hào)后...

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制,。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度,。這樣,在交流電的正,、負(fù)半周,從規(guī)定時(shí)刻(通常為零值)，開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導(dǎo)通期間所對(duì)應(yīng)的電角度叫導(dǎo)通角0,。在右圖(a)中,適當(dāng)調(diào)整觸發(fā)電路的RC時(shí)間常數(shù)即可改變它的控制角,。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導(dǎo)通:角150°時(shí)的UAi-z及負(fù)載的電壓波形。一般雙向可控硅所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比單向可控硅...

通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。楊浦區(qū)銷售晶閘管供應(yīng)商從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程：晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2...

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，具有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡(jiǎn)稱TRIAC,。崇明區(qū)選擇晶閘管品牌⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控...

通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。它具有體積小,、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。徐匯區(qū)質(zhì)量晶閘管費(fèi)用雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,，夾子壓接,、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得,。 很...

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管,。它具有體積小,、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)...

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無(wú)火花,、動(dòng)作快,、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號(hào)也和普通可控硅不同,，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的，如圖2所示,。它的型號(hào),，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)表示的,。雙向可控硅的規(guī)格,、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),，電極引腳向下,，面對(duì)標(biāo)...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U...

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反,，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通） [1],。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過(guò),，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說(shuō)明控制極特性不好,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。黃浦區(qū)進(jìn)口晶閘管聯(lián)系人雙向可...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值,。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí),， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。寶山區(qū)選擇晶...

主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA,，JX ,，SANREX,，SANKEN ，SEMIKRON ,，EUPEC,，IR，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重...

畫(huà)出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以...

當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流I...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度,。鑒...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220AB,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、B...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等,。可控硅的主要參數(shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí),，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度,。在...

通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。楊浦區(qū)如何晶閘管品牌大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的...

晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái),，通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上,。注意陽(yáng)極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極,，控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管,，若采用KP5型，應(yīng)接在3V直流電源的正極）,。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說(shuō)，給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開(kāi)關(guān)S,，小燈泡不亮，說(shuō)明晶閘管沒(méi)有導(dǎo)通,；再按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,，小燈泡亮了,，說(shuō)明晶閘管導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢常用可控硅的VRRM/VDRM...

5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓栌卸喾N分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。在U2的每個(gè)正半周,，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；徐匯區(qū)銷售晶閘管費(fèi)用雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接,、...

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無(wú)火花,、動(dòng)作快,、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的,，如圖2所示,。它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示,；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)表示的,。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào),、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),，電極引腳向下，面對(duì)標(biāo)...

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,，三個(gè)電極分別是T1,、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1、T2表示,，不再劃分成陽(yáng)極或陰極,。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,，的電壓均為正時(shí),，T2是陽(yáng)極，T1是陰極,。反之,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽(yáng)極,，T2為陰極,。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性,，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V,。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)...

當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流I...

當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流I...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220AB,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件,。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V),、B...

安裝過(guò)程中,，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制,，也是這種安裝方法的缺點(diǎn),；器件應(yīng)首先機(jī)械固定，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力,。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱可控硅T,。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。如果把...

Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào),，如：三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B,、BTA16-600B,、BTA41-600B等等；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B,、BTB16-600B、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)***一個(gè)字母)帶“W”的,，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”,、“CW”,、“SW”...