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安裝過程中,，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制,，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR,。Ug到...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),，1000V以上的管子每200V為一級(jí),。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個(gè)電極,，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。虹口區(qū)質(zhì)量晶閘管設(shè)計(jì)1,、柵極上的噪聲電平...

5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,。可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。寶山區(qū)進(jìn)口晶閘管聯(lián)系人測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花、無噪音,；效率高,，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通。按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。松江區(qū)進(jìn)口晶閘管設(shè)計(jì)畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖U...

安裝過程中，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量,；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起,，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn),；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力,。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR,。在電工...

通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。嘉定區(qū)品牌晶閘管聯(lián)系人雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控...

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,，夾子壓接,、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得,。 很多場合下,，鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接：是推薦的方法,，熱阻**小,。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝（sot82 和sot78 ） 和絕緣封裝（ sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack）,。注意,，sot78 就是to220ab。螺栓固定：sot78 組件帶有m3 成套安裝零件,，包括矩形墊圈,，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間,。應(yīng)該不對(duì)器件的塑料體施加任何力量,。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。寶山區(qū)銷售晶閘管廠家現(xiàn)貨雙向可控硅屬于NPN...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。徐匯區(qū)銷售晶閘管品牌常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶...

晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,，通過開關(guān)S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負(fù)極,，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管,，若采用KP5型，應(yīng)接在3V直流電源的正極）,。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開關(guān)S,，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導(dǎo)通,；再按一下按鈕開關(guān)SB,，給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓，小燈泡亮了,，說明晶閘管導(dǎo)通了,。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功...

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同,。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2,， 一個(gè)門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性,。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通,，因此有四種觸發(fā)方式,。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅，需定量掌握其主要參數(shù),，對(duì)雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求,。 [1]·耐壓級(jí)別的選擇： 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。 選用時(shí),，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,，作為允...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS,，NEC,，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA，JX ,，SANREX，SANKEN ,，SEMIKRON ,，EUPEC，IR,，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓,，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向,，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓,，控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(hào)（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，電流I2l的方向從T2流向T1,。由特性曲線可知,，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按***象限的特性進(jìn)行的，又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。松江區(qū)選擇晶閘管銷售廠...

將兩只單向可控硅SCRl,、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級(jí)調(diào)速電路,。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用,。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題,。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí),，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通,，導(dǎo)通程度由電位器R2決定,。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，具有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。金山區(qū)進(jìn)口晶閘管聯(lián)系人從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB、TO-220,、TO-220ABC,、TO-3P、SOT-89,、TO-251,、TO-252、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U...

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制,。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度。這樣,在交流電的正,、負(fù)半周,從規(guī)定時(shí)刻(通常為零值),，開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導(dǎo)通期間所對(duì)應(yīng)的電角度叫導(dǎo)通角0。在右圖(a)中,適當(dāng)調(diào)整觸發(fā)電路的RC時(shí)間常數(shù)即可改變它的控制角,。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導(dǎo)通:角150°時(shí)的UAi-z及負(fù)載的電壓波形,。一般雙向可控硅所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比單向可控硅...

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接,、螺栓固定和鉚接,。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場合下，鉚接不是一種推薦的方法,。 [1]夾子壓接：是推薦的方法,，熱阻**小。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力,。這同樣適用于非絕緣封裝（sot82 和sot78 ） 和絕緣封裝（ sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack）,。注意，sot78 就是to220ab,。螺栓固定：sot78 組件帶有m3 成套安裝零件，包括矩形墊圈,，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間,。應(yīng)該不對(duì)器件的塑料體施加任何力量。使用時(shí),，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。普陀區(qū)質(zhì)量晶閘管聯(lián)系人大家使用的是單向晶閘管，也就是人們...

實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對(duì)可控硅來說,，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然，如果Ea極性反接,，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),，1000V以上的管子每200V為一級(jí),。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。奉賢區(qū)質(zhì)量晶閘管聯(lián)系人（二）按引腳和極性...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。楊浦區(qū)質(zhì)量晶閘管設(shè)計(jì)另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220AB,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件,。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V),、B...

當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流I...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB、TO-220,、TO-220ABC,、TO-3P、SOT-89,、TO-251,、TO-252、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U...

至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流,，各個(gè)廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,，E=10mA，C=15mA,，F(xiàn)=25mA,，G=50mA，R=200uA或5mA,，型號(hào)沒有后綴字母之觸發(fā)電流,，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的定義,，以產(chǎn)品的封裝不同而不同,。意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA,，CW=35mA,，BW=50mA，C=25mA,，B=50mA,，H=15mA，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值,。Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。長寧區(qū)進(jìn)口晶閘管...

可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測(cè),。大家知道，晶閘管G,、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a）,，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極,、K為負(fù)極,，所以，按照測(cè)試二極管的方法,，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測(cè)它的正、反向電阻,，電阻小時(shí),，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC,。徐匯區(qū)哪里晶閘管供應(yīng)商安裝過程中,，螺絲刀決不能...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花、無噪音,；效率高,，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。青浦區(qū)哪里晶閘管廠家現(xiàn)貨可控硅有多種分類方法,。（一）按...

電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的***,、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1...

維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高,， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會(huì)存在寄生電容。 [1]對(duì)負(fù)載小,，或電流持續(xù)時(shí)間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,， 可在自由空間工作。 但大部分情況下,，需要安裝在散熱器或散熱的支架上,，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂,。 [1]畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。普陀區(qū)選擇晶閘管供應(yīng)...

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1],。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。嘉定區(qū)如何晶閘管銷售...

電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的***,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1...