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（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_(kāi)關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。寶山區(qū)質(zhì)量晶閘管銷售廠家可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可...

至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,，E=10mA,，C=15mA，F(xiàn)=25mA,，G=50mA,，R=200uA或5mA,，型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒(méi)有統(tǒng)一的定義,，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA,，CW=35mA，BW=50mA,，C=25mA,，B=50mA，H=15mA,，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值,，而非“=”一個(gè)參數(shù)值,。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為...

大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個(gè)PN結(jié),，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR?？煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管,。長(zhǎng)寧區(qū)選擇晶...

至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流,，各個(gè)廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA,，C=15mA,，F(xiàn)=25mA,，G=50mA，R=200uA或5mA,，型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流,，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒(méi)有統(tǒng)一的定義,，以產(chǎn)品的封裝不同而不同,。意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA,，CW=35mA,，BW=50mA，C=25mA,，B=50mA,，H=15mA，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值,。α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)...

從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程：晶閘管是四層三端器件，它有J1,、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門(mén)極電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。寶山區(qū)銷售晶閘管銷售價(jià)格PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(...

Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào)，如：三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C,、BTA12-600B,、BTA16-600B、BTA41-600B等等,；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B、BTB16-600B,、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)***一個(gè)字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”,。如“BW”,、“CW”、“SW”...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值,。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí),， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。奉賢區(qū)如何晶閘管聯(lián)系人（五）按關(guān)斷...

設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門(mén)極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,，而門(mén)極未受電壓的情況下,，式（1—1）中，Ig=0,(a1+...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值,。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí),， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。楊浦區(qū)如何晶閘管設(shè)計(jì)常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單...

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,，具有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸,、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。它具有體積小,、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。金山區(qū)選擇晶閘管供應(yīng)商可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)...

為了克服上述問(wèn)題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關(guān)于可控硅(晶閘管)開(kāi)路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和M...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U...

（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。（六）過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅。（七）非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,，常見(jiàn)的是移相觸發(fā),，即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來(lái)改變輸出百分比,。按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定,，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。青浦區(qū)進(jìn)口晶閘管報(bào)價(jià)這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)...

可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用,。其***特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng),。可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1,、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,。嘉定區(qū)哪里晶閘...

測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反,，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò),，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好,。α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。虹口區(qū)品牌晶...

再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,，如:BCR1AM-12,、BCR8KM、BCR08AM等等,。雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端：Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來(lái)命名雙向可控硅。**型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D,、BT134-600E,、BT136-600E、BT138-600E,、BT139-600E,、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅,；...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),，1000V以上的管子每200V為一級(jí),。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。崇明區(qū)質(zhì)量晶閘管供應(yīng)商可控硅...

雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向?qū)?在正負(fù)半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點(diǎn),更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,在交流電的正、負(fù)半周,從規(guī)定時(shí)刻(通常為零值),，開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導(dǎo)通期間所對(duì)應(yīng)的電角度叫導(dǎo)通角0,。在右圖(a)中,適當(dāng)調(diào)整觸發(fā)電路的RC時(shí)間常數(shù)即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導(dǎo)通:角150°時(shí)的UAi-z及負(fù)載的電壓波形,。一般雙向可控硅所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比單向可控硅...

可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng),?？煽毓?**陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V,。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài),。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1,、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。浦東新區(qū)如何晶...

當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,，從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流I...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花,、無(wú)噪音,；效率高，成本低等等,?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；黃浦區(qū)哪里晶閘管設(shè)計(jì)將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)．再...

通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。普陀區(qū)銷售晶閘管設(shè)計(jì)在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件...

可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧ǘ┌匆_和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、小功率可控硅三種,。金山區(qū)質(zhì)量...

在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成可控硅,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。我畫(huà)一個(gè)**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫(huà)出它的波形圖,，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早,；U...

Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào)，如：三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C,、BTA12-600B,、BTA16-600B、BTA41-600B等等,；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B、BTB16-600B,、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)***一個(gè)字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”,。如“BW”,、“CW”、“SW”...

另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說(shuō)明元件已損壞,。可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等,。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,，其有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸,、***科研以至商...

另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞,?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實(shí)際上,，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、***科研以至商...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí),。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示,，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個(gè)電極,，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由畫(huà)出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。楊浦區(qū)...

至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,，E=10mA,，C=15mA，F(xiàn)=25mA,，G=50mA,，R=200uA或5mA，型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流,，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒(méi)有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA,，CW=35mA，BW=50mA,，C=25mA,，B=50mA，H=15mA,，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值,，而非“=”一個(gè)參數(shù)值,。反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花,、...

從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程：晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個(gè)PN結(jié),，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門(mén)極電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用,。靜安區(qū)如何晶閘管聯(lián)系人額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯...