IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，流過反向基極電流,，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。 [1] [4]IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性,。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。普陀區(qū)銷售IGBT模塊聯(lián)系人

IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,，所以其B 值極低,。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分,。由于N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，所以IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ～ 3V ,。IGBT 處于斷態(tài)時,，只有很小的泄漏電流存在。 [1]動態(tài)特性IGBT 在開通過程中,，大部分時間是作為MOSFET 來運行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加了一段延遲時間,。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間,。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。青浦區(qū)選擇IGBT模塊聯(lián)系人GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大,；

2010年，中國科學(xué)院微電子研究所成功研制國內(nèi)***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片,，由中國科學(xué)院微電子研究所設(shè)計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)）在華潤微電子工藝平臺上流片成功,，各項參數(shù)均達到設(shè)計要求，部分性能優(yōu)于國外同類產(chǎn)品,。這是我國國內(nèi)***自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品,，標志著我國全國產(chǎn)化IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化進程取得了重大突破，擁有了***條專業(yè)的完整通過客戶產(chǎn)品設(shè)計驗證的IGBT工藝線,。該科研成果主要面向家用電器應(yīng)用領(lǐng)域，聯(lián)合江蘇矽萊克電子科技有限公司進行市場推廣,，目前正由國內(nèi)***的家電企業(yè)用戶試用,，微電子所和華潤微電子將聯(lián)合進一步推動國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。 [2

?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）,，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。柵射極間施加反壓或不加信號時,，MOSFET內(nèi)的溝道消失,，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷,。

將萬用表撥在R×10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S),，此時萬用表的指針指在無窮處,。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極(S)和柵極(G),，這時IGBT 被阻 斷,，萬用表的指針回到無窮處,。此時即可判斷IGBT 是好的。 注意：若進第二次測量時,，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G),。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通,，而無法判斷IGBT 的好壞,。當柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/NJ3結(jié)受反向電壓控制,。青浦區(qū)選擇IGBT模塊設(shè)計

具體地來說,，p+n-p的電流放大系數(shù)α設(shè)計為0.5以下。普陀區(qū)銷售IGBT模塊聯(lián)系人

fsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出,，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,，然后再計算出QG,。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE普陀區(qū)銷售IGBT模塊聯(lián)系人

茵菲菱新能源(上海)有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個不斷銳意進取,，不斷制造創(chuàng)新的市場高度,，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產(chǎn)品標準，在上海市等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的商業(yè)口碑,，成績讓我們喜悅,，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志,，和諧溫馨的工作環(huán)境,，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進取的無限潛力,，茵菲菱供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來,，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜,，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準備,，要不畏困難,，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家,，共同走向輝煌回來,！