實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤浻|發(fā)導通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時,，可控硅方可關斷。當然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài),。這時,，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導通,，但已屬于非正常工作情況了。向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向導通功能,。長寧區(qū)品牌晶閘管品牌

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示,。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志,，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示,，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述,，小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極,，用硅半導體材料制成的管芯由長寧區(qū)品牌晶閘管品牌在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；

從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件,，它有J1,、J2、J3三個PN結,，可以把它中間的NP分成兩部分,，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通,，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用,。中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,，兩個互相復合的晶體管電路,，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導通,，晶體管飽和導通。

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的,，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關器件,。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意,。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開關：ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。雙 向：Bi-directional(取***個字母)控 制：Controlled(取***個字母)整流器：Rectifier(取***個字母)可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形。

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220AB、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板,。典型產品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V),、2N6075(4A/600V),，MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝,。按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。金山區(qū)品牌晶閘管費用

反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。長寧區(qū)品牌晶閘管品牌

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導體材料組成的,，有三個PN結,，對外有三個電極〔圖2（P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。長寧區(qū)品牌晶閘管品牌

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