3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,，開關(guān)器件通斷快,，開關(guān)損耗小,；反之則慢,，同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,，從而產(chǎn)生較大的干擾,，嚴(yán)重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧,。二,、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,，柵極電阻的選取會有很大的差異,。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,，可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試,。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動的功率決定,，一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動功率的2倍,。IGBT柵極驅(qū)動功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率,；U 為驅(qū)動輸出電壓的峰峰值,；為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施。靜安區(qū)選擇IGBT模塊費用

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,，它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù),。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系,。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值,，在實際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù),，因為它是通過電橋測得的，在測量電路中,，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2),。由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,，在實際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測量中也沒有被包括在內(nèi)，在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多,。因此,，在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實際應(yīng)用中**只能作為一個參考值使用。靜安區(qū)選擇IGBT模塊費用6. 檢測IGBT模塊的的辦法,。

Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,，那么只用Cies 近似計算負(fù)象限的門極電荷會更接近實際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動器時，必須考慮下列細(xì)節(jié)：

b,、主電路用螺絲擰緊,，控制極g要用插件,，盡可能不用焊接方式,。c、裝卸時應(yīng)采用接地工作臺,，接地地面,，接地腕帶等防靜電措施。  d,、儀器測量時,，將1000電阻與g極串聯(lián)。e,、要在無電源時進(jìn)行安裝,。f,焊接g極時，電烙鐵要停電并接地,，選用定溫電烙鐵**合適,。當(dāng)手工焊接時，溫度260±5℃.時間（10±1）秒,，松香焊劑,。波峰焊接時，PCB板要預(yù)熱80℃-105℃,在245℃時浸入焊接3-4IGBT發(fā)展趨向是高耐壓,、大電流,、高速度、低壓降,、高可靠,、低成本為目標(biāo)的,，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路,，減少使用器件,，提高可靠性，降**造成本,，簡化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系,，所以世界各大器件公司都在奮力研究,、開發(fā)，予估近2-3年內(nèi),，會有突破性的進(jìn)展,。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。此時,，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓,。

?IGBT驅(qū)動電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進(jìn)行保護(hù)的電路,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域,。圖1圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),， N+ 區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極,。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動電流較大,；嘉定區(qū)質(zhì)量IGBT模塊聯(lián)系人

在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊;靜安區(qū)選擇IGBT模塊費用

對于大功率IGBT，選擇驅(qū)動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置,、門極電荷,、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,，對IGBT的通態(tài)壓降,、開關(guān)時間、開關(guān)損耗,、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響,。門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性,、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,，而門極負(fù)偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大,。在門極電路的設(shè)計中,，還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1),。靜安區(qū)選擇IGBT模塊費用

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