fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內部的門極電阻但是實際上在很多情況下,，數據手冊中這個門極電荷參數沒有給出,，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述,。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,，然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGEIGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。松江區(qū)銷售IGBT模塊品牌

通常為達到更好的驅動效果,，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的,。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。有些驅動器只有一個輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡,，用以調節(jié)2個方向的驅動速度,。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅動引線的情況下,，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。虹口區(qū)進口IGBT模塊費用在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;

IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路,，高性能IGBT芯片,，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM,、電力電子積木PEBB,、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器,。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置,。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB,，**降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率,，現已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中,。智能化,、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一,、柵極電阻Rg的作用1,、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT,、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結構,，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻,，那柵極回路在驅動器驅動脈沖的激勵下要產生很強的振蕩,，因此必須串聯一個電阻加以迅速衰減。2,、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件,，如果沒有柵極電阻，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上,，使其溫度上升很多,。在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;

Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數手冊,。例如,，常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負電壓-9V,，則U=24V,，假設 F=10KHz，Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,，柵極電阻應選取2W電阻,，或2個1W電阻并聯。三,、設置柵極電阻的其他注意事項1,、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：a)驅動器靠近IGBT減小引線長度,；b) 驅動的柵射極引線絞合，并且不要用過粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅動線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無感電阻；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個并聯以減小電感,。2、IGBT 開通和關斷選取不同的柵極電阻具體地來說,，p+n-p的電流放大系數α設計為0.5以下,。寶山區(qū)選擇IGBT模塊銷售價格

MOSFET驅動功率很小，開關速度快,，但導通壓降大，載流密度小,。松江區(qū)銷售IGBT模塊品牌

由于IGBT模塊為MOSFET結構,，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V,。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時,，盡量不要用手觸摸驅動端子部分,，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,，再觸摸;2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊;3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。松江區(qū)銷售IGBT模塊品牌

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