大電流高電壓的IGBT已模塊化,，它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,，已制造出集成化的IGBT**驅(qū)動電路,。其性能更好,，整機的可靠性更高及體積更小,。選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表,。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,，開關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負載電流,。特別是用作高頻開關(guān)時，由于開關(guān)損耗增大,，發(fā)熱加劇,，選用時應(yīng)該降等使用。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V,。長寧區(qū)品牌IGBT模塊銷售廠家

3,、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗??；反之則慢，同時開關(guān)損耗大,。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作,，因此必須統(tǒng)籌兼顧,。二,、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,，柵極電阻的選取會有很大的差異,。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,，可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試,。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動的功率決定,，一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動功率的2倍,。IGBT柵極驅(qū)動功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率,；U 為驅(qū)動輸出電壓的峰峰值,；徐匯區(qū)品牌IGBT模塊費用為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施。

為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施,。具體地來說,，p+n-p的電流放大系數(shù)α設(shè)計為0.5以下。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。IGBT的驅(qū)動原理與電力MOSFET基本相同,，通斷由柵射極電壓uGE決定。 [2]導通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET 的結(jié)構(gòu)十分相似,，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個部分）,，其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件。

通常為達到更好的驅(qū)動效果,，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動速度,，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的。IGBT驅(qū)動器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了,。有些驅(qū)動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度,。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅(qū)動引線的情況下,，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge,。MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大,，載流密度小,。

IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，流過反向基極電流,，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對N 一層進行電導調(diào)制，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。 [1] [4]IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性,。開關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇,，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負載電流。崇明區(qū)選擇IGBT模塊報價

當柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時,，P/NJ3結(jié)受反向電壓控制,。長寧區(qū)品牌IGBT模塊銷售廠家

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性,。當MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調(diào)制,，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時對其進行保護的電路,。長寧區(qū)品牌IGBT模塊銷售廠家

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