對(duì)于鍺二極管,，開(kāi)啟電壓為0.2V,，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓,，當(dāng)電壓值較小時(shí),，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS,。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí),，電流開(kāi)始急劇增大，稱之為反向擊穿,，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,，用符號(hào)UBR表示,。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏 [4],。正向特性外加正向電壓時(shí),，在正向特性的起始部分，正向電壓很小,，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用,，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū),。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓,。 [4]二極管是早誕生的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用,。黃浦區(qū)質(zhì)量二極管報(bào)價(jià)

平面型二極管是一種特制的硅二極管,，它不僅能通過(guò)較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠,，多用于開(kāi)關(guān),、脈沖及高頻電路中。在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上,，擴(kuò)散P型雜質(zhì),，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上*選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié),。因此,，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整,，故而得名,。并且，PN結(jié)合的表面,，因被氧化膜覆蓋,，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。**初,，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的,，故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言,，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少,，而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號(hào)則很多。閔行區(qū)質(zhì)量二極管報(bào)價(jià)光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測(cè),、光電控制,、自動(dòng)報(bào)警等方面。

動(dòng)態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比,。 [4]電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化量,。 [4]比較高工作頻率比較高工作頻率是二極管工作的上限頻率,。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢(shì)壘電容組成,。所以比較高工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小,。若是超過(guò)此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽?[4]比較大整流電流比較大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí),，允許通過(guò)的比較大正向平均電流值,，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱,，溫度上升,，溫度超過(guò)容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時(shí),，就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞,。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過(guò)二極管比較大整流電流值,。 [4]

當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。 [5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程,，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象,。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分,。 [5]PN結(jié)形成原理P型和N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的,、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等,。種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主,，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子,。

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況,。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,，反向電壓較大時(shí),，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,，產(chǎn)生電子-空穴對(duì),，致使電流急劇增大,，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿,。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,，載流子雪崩式地增加,，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿,。無(wú)論哪種擊穿,，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞,。 [5發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件,，簡(jiǎn)稱LED(Light Emitting Diode)。閔行區(qū)質(zhì)量二極管報(bào)價(jià)

過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小,，能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞,。黃浦區(qū)質(zhì)量二極管報(bào)價(jià)

面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過(guò)較大的電流（幾安到幾十安）,，主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中,。面接觸型晶體二極管比較適用于大電流開(kāi)關(guān)。平面型二極管是一種特制的硅二極管,，它不僅能通過(guò)較大的電流,，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開(kāi)關(guān),、脈沖及低頻電路中,。1、整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動(dòng)直流電,。2、開(kāi)關(guān)元件二極管在正向電壓作用下電阻很小,，處于導(dǎo)通狀態(tài),，相當(dāng)于一只接通的開(kāi)關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大,，處于截止?fàn)顟B(tài),，如同一只斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。利用二極管的開(kāi)關(guān)特性,，可以組成各種邏輯電路,。黃浦區(qū)質(zhì)量二極管報(bào)價(jià)

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