可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng),?？煽毓?**陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V,。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài),。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1,、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｉ虾＿M(jìn)口晶閘管設(shè)計(jì)

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,，工作原理與普通單向可控硅相同,。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2， 一個(gè)門極G,， 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正,、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通,，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅,，需定量掌握其主要參數(shù),，對(duì)雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。 [1]·耐壓級(jí)別的選擇： 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。 選用時(shí),，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍，作為允許的操作過(guò)電壓裕量,。 [1]上海進(jìn)口晶閘管設(shè)計(jì)在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。

維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高,， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會(huì)存在寄生電容。 [1]對(duì)負(fù)載小,，或電流持續(xù)時(shí)間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,， 可在自由空間工作。 但大部分情況下,，需要安裝在散熱器或散熱的支架上,，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂,。 [1]

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓,。晶閘管導(dǎo)通后,，松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān)，去掉觸發(fā)電壓,，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài),。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”。但是,，如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,，晶閘管就不能導(dǎo)通?？刂茦O的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,，卻不能使它關(guān)斷。那么,，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,，可以斷開(kāi)陽(yáng)極電源（圖3中的開(kāi)關(guān)S）或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,，那么,，在電壓過(guò)零時(shí)，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路。

可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。TY300/TY301可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧ǘ┌匆_和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。金山區(qū)如何晶閘管報(bào)價(jià)

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；上海進(jìn)口晶閘管設(shè)計(jì)

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時(shí),，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí),，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來(lái)降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容,，來(lái)濾掉高頻噪聲,。2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓,。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí),，就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。上海進(jìn)口晶閘管設(shè)計(jì)

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