大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié),，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱晶閘管T,，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR,。鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。青浦區(qū)如何晶閘管報(bào)價(jià)

至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,，E=10mA,，C=15mA，F(xiàn)=25mA,，G=50mA,，R=200uA或5mA，型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流,，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒(méi)有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同,。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA,，C=25mA,，B=50mA，H=15mA,，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值,，而非“=”一個(gè)參數(shù)值,。奉賢區(qū)進(jìn)口晶閘管報(bào)價(jià)大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,。

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此功率,，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花、無(wú)噪音,；效率高,，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通。

5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓栌卸喾N分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,，三個(gè)電極分別是T1、T2,、G,。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1,、T2表示，不再劃分成陽(yáng)極或陰極,。其特點(diǎn)是,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1，的電壓均為正時(shí),，T2是陽(yáng)極,，T1是陰極。反之,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽(yáng)極，T2為陰極,。雙向可控硅由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)āｋp向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1,、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1,、第二陽(yáng)極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。楊浦區(qū)如何晶閘管費(fèi)用

通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。青浦區(qū)如何晶閘管報(bào)價(jià)

實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái),，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。青浦區(qū)如何晶閘管報(bào)價(jià)

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