在使用IGBT的場合,，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓,，則IGBT就會損壞，為防止此類故障,，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻,。在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,。為了減少接觸熱阻,，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,，而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,，當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作 [1]。穿通(PT)技術(shù)會有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞,。青浦區(qū)品牌IGBT模塊銷售廠家

測量靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子,、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大; 表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè)單元沒有明顯的故障. 動(dòng)態(tài)測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時(shí)黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時(shí)電阻應(yīng)為300-400歐,把表筆對調(diào)也有大約300-400歐的電阻表明此IGBT單元是完好的. 用同樣的方法測試1,、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的,。 楊浦區(qū)銷售IGBT模塊品牌6. 檢測IGBT模塊的的辦法。

IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上,、電流10A以上,、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī),、民用小容量電機(jī),、變換器（逆變器）、照相機(jī)的頻閃觀測器,、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域,。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型,，一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型,，從TO－3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD （FleeWheelDiode）成對地（2或6組）封裝起來的模塊型,，主要應(yīng)用在工業(yè)上,。模塊的類型根據(jù)用途的不同，分為多種形狀及封裝方式,，都已形成系列化,。

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性,，應(yīng)用領(lǐng)域很***,；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極,。絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn),，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很***,；IGBT也是三端器件：柵極,，集電極和發(fā)射極。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件,，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件,。I柵射極間施加反壓或不加信號時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失,，晶體管的基極電流被切斷,，IGBT關(guān)斷,。

在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信號,，以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,，在柵極—發(fā)射極間開路時(shí),，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化,，由于集電極有漏電流流過,，柵極電位升高，集電極則有電流流過,。這時(shí),，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個(gè)正電壓時(shí),，P/NJ3結(jié)受反向電壓控制。楊浦區(qū)銷售IGBT模塊品牌

具體地來說,，p+n-p的電流放大系數(shù)α設(shè)計(jì)為0.5以下,。青浦區(qū)品牌IGBT模塊銷售廠家

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D),，紅表筆接IGBT 的源極(S),，此時(shí)萬用表的指針指在無窮處,。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,，并能站住指示在某一位置,。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G)，這時(shí)IGBT 被阻 斷,，萬用表的指針回到無窮處,。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。 注意：若進(jìn)第二次測量時(shí),，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G),。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,，檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷IGBT 的好壞,。青浦區(qū)品牌IGBT模塊銷售廠家

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