場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor,，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件,。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應(yīng)晶體管有時被稱為“單極性晶體管”,，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管,。由于半導體材料的限制,，以及雙極性晶體管比場效應(yīng)晶體管容易制造,，場效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早,。MOS管的寄生二極管,，由于生產(chǎn)工藝，MOS 管會有寄生二極管,，或稱體二極管,。這是mos管與三極管較大的一個區(qū)別,。場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)簡單，易于集成,，有助于電子設(shè)備的小型化,、輕量化。上海半導體場效應(yīng)管

以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電位,。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引,，在兩個擴散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時,，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID,。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管，Junction-FET,，JFET）,。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義,。中山氧化物場效應(yīng)管市價場效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度、電壓應(yīng)力等因素有關(guān),。

場效應(yīng)管注意事項：（1）在安裝場效應(yīng)管時,，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動,，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時，應(yīng)當大于根部尺寸5毫米處進行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，較大功率才能達到30W,。（3）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,，并聯(lián)復合管管子一般不超過4個,，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

C-MOS場效應(yīng)管（增強型MOS場效應(yīng)管）,，電路將一個增強型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個增強型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用,。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應(yīng)管導通,，輸出端與電源正極接通,。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應(yīng)管導通,，輸出端與電源地接通,。在該電路中，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作,，其相位輸入端和輸出端相反,。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響,，使得柵壓在還沒有到0V,，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷,。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同,。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路,。場效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點和電源電壓,，以及連接正確的外部電路。

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇,。為設(shè)計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應(yīng)用中，當一個MOSFET接地,，而負載連接到干線電 壓上時,，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET,，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤],。當MOSFET連接到 總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān),。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。場效應(yīng)管的柵極電壓對其導電性能有明顯影響,，通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以控制電路的輸出,。東莞柵極場效應(yīng)管價格

IGBT結(jié)合了場效應(yīng)管和雙極晶體管的優(yōu)點，適用于高電壓和高頻率的場合,。上海半導體場效應(yīng)管

導通電阻（R_DS(on)）：場效應(yīng)管導通時的漏極與源極之間的電阻,。它決定了電流通過器件時的壓降和功耗，較小的導通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動能力,。較大漏極電流（I_D(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電流,，超過這個電流值可能會導致器件過熱、性能退化甚至長久損壞,。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場效應(yīng)管能夠承受的較大電壓,。超過這個電壓值可能會導致場效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞,。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容,。它影響了信號的傳輸速度和開關(guān)過程中的電荷存儲。上海半導體場效應(yīng)管