開關(guān)時間：場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導通（或相反）所需的時間。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計對開關(guān)時間有明顯影響,，同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間,，此外，器件的物理結(jié)構(gòu),，也會影響開關(guān)速度,。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路：場效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性,，常用于音頻放大器,、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開關(guān)電源中,，場效應(yīng)管用于控制能量的存儲和釋放，實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換,。場效應(yīng)管的體積小,，適合集成在微型電子設(shè)備中。南京結(jié)型場效應(yīng)管供應(yīng)商

場效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成,。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r,，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),，通道不導電,；當VGS超過Vth時，通道形成，電流開始流動,。肇慶功耗低場效應(yīng)管批發(fā)價格在設(shè)計電路時,，合理選擇場效應(yīng)管的型號和工作參數(shù)，以滿足電路要求,。

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān),。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關(guān)。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,，從而允許或者阻礙電子流過,。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極,。體很簡單的就是指柵,、漏、源極所在的半導體的塊體,。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連,，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時連在一起,，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上,。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路,。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些,，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹,。在MOS管原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管,，在驅(qū)動感性負載（如馬達）,，這個二極管很重要?？梢栽贛OS管關(guān)斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞,。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的,。場效應(yīng)管利用輸入電場控制輸出電流，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點,。

對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點：1.場效應(yīng)管的源極s,、柵極g、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b,、集電極c,，它們的作用相似。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD,，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件,，由iB（或iE）控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流,。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電,，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好,、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管,。場效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度,、電壓應(yīng)力等因素有關(guān)。南京結(jié)型場效應(yīng)管供應(yīng)商

場效應(yīng)管還具有低輸出阻抗,，可以提供較大的輸出電流,。南京結(jié)型場效應(yīng)管供應(yīng)商

MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路，MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導體上,。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。南京結(jié)型場效應(yīng)管供應(yīng)商