電壓和電流的選擇。額定電壓越大,，器件的成本就越高,。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線(xiàn)電壓或總線(xiàn)電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),，使MOSFET不 會(huì)失效,。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS,。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同,；通常,，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V,、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài),，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的較大電流,，只需直接選擇能承受這個(gè)較大電流的器件便可,。MOSFET適用于各種電路中的信號(hào)放大，功率放大和開(kāi)關(guān)控制等應(yīng)用,。廣州增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

場(chǎng)效應(yīng)管（英語(yǔ)：field-effect transistor,，縮寫(xiě)：FET）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀,，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類(lèi)型載流子的溝道的導(dǎo)電性,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱(chēng)為“單極性晶體管”，以它的單載流子型作用對(duì)比雙極性晶體管,。由于半導(dǎo)體材料的限制,，以及雙極性晶體管比場(chǎng)效應(yīng)晶體管容易制造，場(chǎng)效應(yīng)晶體管比雙極性晶體管要晚造出,，但場(chǎng)效應(yīng)晶體管的概念卻比雙極性晶體管早,。MOS管的寄生二極管，由于生產(chǎn)工藝,，MOS 管會(huì)有寄生二極管,，或稱(chēng)體二極管。這是mos管與三極管較大的一個(gè)區(qū)別,。東莞多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管參考價(jià)場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流，應(yīng)用于精密測(cè)量、激光器等領(lǐng)域,。

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1,、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS,。2,、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率,。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。3,、較大漏源電流,。較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),，漏源間所允許經(jīng)過(guò)的較大電流,。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。

結(jié)型場(chǎng)管腳識(shí)別,，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正,、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正,、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換）,，余下的一個(gè)管腳即為柵極G,。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）,。判定柵極,，用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極,。若兩次測(cè)出的阻值都很大,，說(shuō)明均是反向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小,，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞,。場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型包括N溝道和P溝道兩種,，可以根據(jù)具體需求選擇。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開(kāi)啟電壓 UGSTH時(shí),，MOS 不導(dǎo)通,。可變電阻區(qū)：UDS 很小,，I_DID 隨UDS 增大而增大,。恒流區(qū)：UDS 變化，I_DID 變化很小,。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時(shí),，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大,，如果沒(méi)有限流電阻,，將被燒壞。過(guò)損耗區(qū)：功率較大,，需要加強(qiáng)散熱,，注意較大功率。場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù),。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,，或開(kāi)啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)需注意靜電防護(hù),，防止損壞敏感的柵極。東莞多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管參考價(jià)

使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)需要注意靜電放電問(wèn)題,，避免對(duì)器件造成損壞,。廣州增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

開(kāi)關(guān)時(shí)間：場(chǎng)效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時(shí)間。柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間有明顯影響,，同時(shí)寄生電容的大小也會(huì)影響開(kāi)關(guān)時(shí)間,，此外，器件的物理結(jié)構(gòu),，也會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度,。典型應(yīng)用電路：開(kāi)關(guān)電路：開(kāi)關(guān)電路是指用于控制場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)通和關(guān)斷的電路。放大電路：場(chǎng)效應(yīng)管因其高輸入阻抗和低噪聲特性,，常用于音頻放大器,、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開(kāi)關(guān)電源中,，場(chǎng)效應(yīng)管用于控制能量的存儲(chǔ)和釋放,，實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。廣州增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)