場效應(yīng)管注意事項：（1）在安裝場效應(yīng)管時,，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時,，應(yīng)當大于根部尺寸5毫米處進行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，較大功率才能達到30W,。（3）多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞,，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個,，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。使用場效應(yīng)管時，應(yīng)注意其溫度特性,，避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能,。嘉興單極型場效應(yīng)管

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零,，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型,。作用：1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān),。中山絕緣柵場效應(yīng)管加工在設(shè)計電路時,，應(yīng)根據(jù)實際需求選擇合適的場效應(yīng)管類型，以實現(xiàn)較佳的性能和效果,。

LED 燈具的驅(qū)動,。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管，對LED恒流驅(qū)動而言,，一般使用NMOS,。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大,，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電,，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通,。因此，設(shè)計時必須注意柵極驅(qū)動器負載能力必須足夠大,，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電,。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無法降低Cin的值,，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值,，從而減小柵極回路 的充放電時間常數(shù)，加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里,，我們談選擇MOSFET是指外置MOSFET驅(qū)動恒流IC,。

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大,，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道較薄,。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來越薄,，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS，夾斷點將向源極方向移動,，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū)，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進入飽和區(qū),，iD幾乎只由vGS決定。場效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度,、電壓應(yīng)力等因素有關(guān),。

MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻,，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,，假如G信號驅(qū)動能力不夠,，將嚴峻影響波形跳變的時間。將G-S極短路,，選擇萬用表的R×1檔,，黑表筆接S極，紅表筆接D極,，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大,，則證實此腳為G極,，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。JFET有三個電極：柵極,、漏極和源極,，工作原理類似MOSFET。嘉興單極型場效應(yīng)管

在使用場效應(yīng)管時,，需要注意正確連接其源極,、柵極和漏極，以確保其正常工作,。嘉興單極型場效應(yīng)管

SOA失效的預(yù)防措施：1：確保在較差條件下,，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細致,。在進行OCP點設(shè)計時,，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻,。有些有經(jīng)驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內(nèi),。但是此時有個更值得關(guān)注的參數(shù),，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影響呢,，我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚,，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）,。電流波形在快到電流尖峰時,，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間,，這段時間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關(guān)斷后,，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲,，因此電流會有個二次上升平臺,，如果二次上升平臺過大,，那么在變壓器余量設(shè)計不足時，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效,。嘉興單極型場效應(yīng)管