上海高溫光刻膠

來源：發(fā)布時(shí)間：2025-05-22

市場(chǎng)拓展

? 短期目標(biāo)：2025年前實(shí)現(xiàn)LCD光刻膠國內(nèi)市占率10%,，半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國際,、華虹供應(yīng)鏈，納米壓印膠完成臺(tái)積電驗(yàn)證,。

? 長期愿景：成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商,，2030年芯片光刻膠營收占比超40%，布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料,。

. 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

? 受益于廣東省“強(qiáng)芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金,，獲設(shè)備采購補(bǔ)貼（30%）和稅收減免，加速KrF/ArF光刻膠研發(fā),。

? 與松山湖材料實(shí)驗(yàn)室,、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心，共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù),，縮短客戶驗(yàn)證周期（目前平均12-18個(gè)月）,。

. 挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)

? 技術(shù)壁壘：ArF/EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口，計(jì)劃2026年建成中試線,，突破分辨率和靈敏度瓶頸（目標(biāo)曝光劑量<10mJ/cm2）,。

? 供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分原材料（如樹脂）進(jìn)口占比超60%，正推進(jìn)“國產(chǎn)替代計(jì)劃”,，與鼎龍股份,、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應(yīng)。

吉田半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)光刻膠技術(shù)突破,，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供材料支撐,。上海高溫光刻膠

原料準(zhǔn)備

? 主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂,、聚酰亞胺等）,、感光劑（光引發(fā)劑或光敏化合物，如重氮萘醌,、光刻膠單體）,、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））,、添加劑（調(diào)節(jié)粘度,、感光度、穩(wěn)定性等,，如表面活性劑,、穩(wěn)定劑）,。

? 原料提純：對(duì)樹脂、感光劑等進(jìn)行高純度精制（純度通常要求99.9%以上）,，避免雜質(zhì)影響光刻精度,。

配料與混合

? 按配方比例精確稱量各組分，在潔凈環(huán)境,，如萬中通過攪拌機(jī)均勻混合,，形成膠狀溶液。

? 控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度,，避免氣泡產(chǎn)生或成分分解,。

過濾與純化

? 使用納米級(jí)濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾，去除顆粒雜質(zhì)（如金屬離子,、灰塵）,，確保膠液潔凈度，避免光刻時(shí)產(chǎn)生缺陷,。

性能檢測(cè)

? 物理指標(biāo)：粘度,、固含量、表面張力,、分子量分布等,，影響涂布均勻性。

? 化學(xué)指標(biāo)：感光度,、分辨率,、對(duì)比度、耐蝕刻性,，通過曝光實(shí)驗(yàn)和顯影測(cè)試驗(yàn)證,。

? 可靠性：存儲(chǔ)穩(wěn)定性（常溫/低溫保存下的性能變化）、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）,。

包裝與儲(chǔ)存

? 在惰性氣體（如氮?dú)猓┉h(huán)境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐），防止感光劑氧化或光分解,。

? 儲(chǔ)存條件：低溫（5-10℃）,、避光、干燥,，部分產(chǎn)品需零下環(huán)境（如EUV光刻膠）,。

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人才與生態(tài)：跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)的“青黃不接”

前段人才的結(jié)構(gòu)性短缺

光刻膠研發(fā)需材料化學(xué),、半導(dǎo)體工藝、分析檢測(cè)等多領(lǐng)域,。國內(nèi)高校相關(guān)專業(yè)畢業(yè)生30%進(jìn)入光刻膠行業(yè),，且缺乏具有10年以上經(jīng)驗(yàn)的工程師,。日本企業(yè)通過“技術(shù)導(dǎo)師制”培養(yǎng)人才，而國內(nèi)企業(yè)多依賴“挖角”,，導(dǎo)致技術(shù)傳承斷裂,。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的“孤島效應(yīng)”

光刻膠研發(fā)需與晶圓廠、設(shè)備商,、檢測(cè)機(jī)構(gòu)深度協(xié)同,。國內(nèi)企業(yè)因信息不對(duì)稱，常出現(xiàn)“材料性能與工藝需求不匹配”問題,。例如,，某國產(chǎn)KrF光刻膠因未考慮客戶產(chǎn)線的顯影液參數(shù)，導(dǎo)致良率損失20%,。

技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢(shì)

更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標(biāo)＜5nm）,，通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。

缺陷控制：

? 半導(dǎo)體級(jí)正性膠要求金屬離子含量＜1ppb,，顆粒（＞50nm）＜1個(gè)/mL,，需優(yōu)化提純工藝（如多級(jí)過濾+真空蒸餾）。

國產(chǎn)化突破：

? 國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽,、南大光電,、容大感光）已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR,、美國陶氏,、德國默克壟斷，需突破樹脂合成,、PAG純度等瓶頸,。

環(huán)保與節(jié)能：

? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機(jī)溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）,。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線,，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）,。

? DUV正性膠：信越化學(xué)的ArF膠（用于14nm FinFET制程）,、中芯國際認(rèn)證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點(diǎn)）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下,，全球市占率超70%）,。

正性光刻膠是推動(dòng)半導(dǎo)體微縮的主要材料，其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破,，未來將持續(xù)向更高精度,、更低缺陷、更綠色工藝演進(jìn),。

挑戰(zhàn)與未來展望的發(fā)展,。

作為東莞松山湖的企業(yè),，吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年，成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠,。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，良率達(dá) 98% 以上,，已通過中芯國際等晶圓廠驗(yàn)證,；JT-2000 突破耐高溫極限，在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性,，適用于 EUV 光刻前道工藝,。依托進(jìn)口原材料與全自動(dòng)化生產(chǎn)工藝，產(chǎn)品通過 ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),，遠(yuǎn)銷全球并與跨國企業(yè)建立長期合作,，加速國產(chǎn)替代進(jìn)程。政策支持：500億加碼產(chǎn)業(yè)鏈,。重慶正性光刻膠廠家

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光刻膠的工作原理：

1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片,、玻璃,、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠，通過掩膜（或直接電子束掃描）對(duì)特定區(qū)域曝光,。

2. 化學(xué)變化：曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)（正性膠曝光后溶解,，負(fù)性膠曝光后交聯(lián)不溶）。

3. 顯影與刻蝕：溶解未反應(yīng)的部分,，留下圖案化的膠層,，作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模，將圖案轉(zhuǎn)移到基底上,。

在納米技術(shù)中,，關(guān)鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限（λ/2），因此需依賴高能束曝光技術(shù)（如電子束光刻,、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率,、低缺陷）。

上海高溫光刻膠

標(biāo)簽：錫膏光刻膠錫片

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