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天津3微米光刻膠

來源： 發(fā)布時間：2025-05-25

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢,，適用于不同領(lǐng)域,。

厚板光刻膠 JT - 3001：具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好,。符合歐盟 ROHS 標準,，保質(zhì)期 1 年，適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景,，如一些特殊的電路板制造,。

SU - 3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好，曝光靈敏度高,，光源適應,。重量為 100g，常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工,、半導體制造等領(lǐng)域,。

液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率,，準確性和穩(wěn)定性好,。主要應用于液晶平板顯示器的制造，能滿足其對光刻膠高精度和穩(wěn)定性的需求,。

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠：耐強酸強堿,，耐高溫達 250°C，長期可靠性高,，粘接強度高,。重量 100g，適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝,，如一些半導體器件的制造,。 半導體光刻膠：技術(shù)領(lǐng)域取得里程碑。天津3微米光刻膠

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 綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟
公司采用水性光刻膠技術(shù),，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%,，符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標準。同時,，其光刻膠廢液回收項目已投產(chǎn),，通過膜分離+精餾技術(shù)實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機物）超100噸,。

 低碳供應鏈管理
吉田半導體與上游供應商合作開發(fā)生物基樹脂,，部分產(chǎn)品采用可再生原料（如植物基丙烯酸酯），碳排放強度較傳統(tǒng)工藝降低30%,。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領(lǐng)域獲得客戶青睞,，相關(guān)訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
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關(guān)鍵工藝流程

 涂布與前烘：

? 旋涂或噴涂負性膠,，厚度可達1-100μm（遠厚于正性膠），前烘溫度60-90℃,，去除溶劑并增強附著力,。

 曝光：

? 光源以**汞燈G線（436nm）**為主，適用于≥1μm線寬，曝光能量較高（約200-500mJ/cm2）,，需注意掩膜版與膠膜的貼合精度,。

 顯影：

? 使用有機溶劑顯影液（如二甲苯、醋酸丁酯）,，未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解,，曝光的交聯(lián)膠膜保留。

 后處理：

? 后烘（Post-Bake）：加熱（100-150℃）進一步固化交聯(lián)結(jié)構(gòu),，提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力,。

客戶認證：從實驗室到產(chǎn)線的漫長“闖關(guān)”

 驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經(jīng)歷PRS（性能測試）、STR（小試）,、MSTR（中批量驗證）等階段,，周期長達2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,，直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證,。試錯成本極高，單次晶圓測試費用超百萬元,，且客戶為維持產(chǎn)線穩(wěn)定,，通常不愿更換供應商。

 設(shè)備與工藝的協(xié)同難題
光刻膠需與光刻機,、涂膠顯影機等設(shè)備高度匹配,。國內(nèi)企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機測試資源，只能依賴二手設(shè)備或與晶圓廠合作驗證,，導致研發(fā)效率低下,。例如，華中科技大學團隊開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試,，性能參數(shù)難以對標國際,。
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工藝流程

? 目的：去除基板表面油污,、顆粒，增強感光膠附著力,。

? 方法：

? 化學清洗（硫酸/雙氧水,、去離子水）；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,，PCB基板用粗化處理）,。

 涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級）,，轉(zhuǎn)速500-5000rpm,；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）,。

? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度,、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）,。

 前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑,，固化膠膜，增強附著力和穩(wěn)定性,。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低,，如90℃；負性膠可至100℃以上）,；

? 時間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整,，厚膠需更長時間）。

 曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）,、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）,；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導體先進制程（分辨率至20nm）,；

? 極紫外（EUV）：13.5nm,，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB,、MEMS,，低成本但精度低）；

? 投影式：通過物鏡聚焦（半導體,，分辨率高,，如ArF光刻機精度達22nm）。

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光刻膠（Photoresist）是一種對光敏感的高分子材料,，主要用于光刻工藝中，通過光化學反應實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移,，是半導體,、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）,、液晶顯示（LCD）等制造領(lǐng)域的材料之一,。

光刻膠特性與組成

? 光敏性：在特定波長（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下,，會發(fā)生化學結(jié)構(gòu)變化（如交聯(lián)或分解）,，從而改變在顯影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 樹脂（成膜劑）：形成基礎(chǔ)膜層,，決定光刻膠的機械和化學性能,。

? 光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學反應（如光分解,、光交聯(lián)）。

? 溶劑：調(diào)節(jié)粘度,，便于涂覆成膜,。

? 添加劑：改善性能（如感光度、分辨率,、對比度等）,。
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