環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠,。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的,。一般來說,，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差,。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上,，因此溶解性甚低,，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠,。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑,，又稱架橋劑，可以起到光化學(xué)固化作用,，依賴于帶有雙感光性官能團(tuán)的交聯(lián)劑參加反應(yīng),，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹脂相作用,，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵,，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系,，市場新進(jìn)入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競爭,，簽約新客戶的難度高。昆山化學(xué)放大型光刻膠光致抗蝕劑
靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 ,。負(fù)膠通常需5~15 s時間曝光,，正膠較慢，其曝光時間為負(fù)膠的3~4倍 ,。靈敏度反映了光刻膠材料對某種波長的光的反應(yīng)程度,。不同的光刻膠對于不同的波長的光是有選擇性的。比如248 nm波長光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu),，對193 nm波長的光具有很強(qiáng)的吸收作用,，即對193 nm波長的光是不透明的，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體,。同時,，高的產(chǎn)出要求短的曝光時間，對光刻膠的靈敏度要求也越來越高,。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo),，曝光劑量值越小，光刻膠的靈敏度越高,。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右,，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 ,。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對比度曲線上。昆山半導(dǎo)體光刻膠樹脂在平板顯示行業(yè),；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠,、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等。
在CAR技術(shù)體系中,，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度,，而是產(chǎn)生酸。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下,，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度,。因此CAR技術(shù)體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在,，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用,。CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng)，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少,，因此加強(qiáng)了光刻的效率,。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右。
歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢,。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間,。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用,。在90年代前半期，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn),，光刻開始采用365nm波長光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長**短的兩個譜線,。高壓汞燈技術(shù)成熟,，因此很早被用來當(dāng)作光刻光源。使用波長短,，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長的光譜分別命名為G線和I線,。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來,。在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠、i線光刻膠,、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等。
光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠,、軟烘、曝光,、曝光后烘烤,、顯影,、堅膜烘烤、顯影檢查等工序,。在光刻過程中,，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光,、顯影與刻蝕等工藝,，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形,。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%,，耗時占整個芯片工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝,。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小,，光刻工藝對光刻膠要求逐步提高，需求量也隨之增加,。從全球市場來看,，專注電子材料市場研究的TECHCET預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場規(guī)模將同比增長11%,，達(dá)到19億美元,。按曝光波長可分為紫外光刻膠、深紫外光刻膠,、極紫外光刻膠,、電子束光刻膠、離子束光刻膠,、X射線光刻膠等,。嘉定黑色光刻膠印刷電路板
按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。昆山化學(xué)放大型光刻膠光致抗蝕劑
g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑,。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度,。曝光后,，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩c水接觸時,，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸,，從而得以在曝光區(qū)被稀堿水顯影時除去。由此,，曝光過的光刻膠會溶解于顯影液而被去除,，而未曝光的光刻膠部分則得以保留。雖然g-line光刻膠和i-line 光刻膠使用的成分類似，但是其樹脂和感光劑在微觀結(jié)構(gòu)上均有變化,，因而具有不同的分辨率,。G-line光刻膠適用于0.5um(500nm)以上尺寸的集成電路制作,，而i-line光刻膠使用于0.35um（350nm至0.5um（500nm）尺寸的集成電路制作,。昆山化學(xué)放大型光刻膠光致抗蝕劑
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