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etchingamount)的相互關(guān)系的圖表。具體實施方式本發(fā)明人確認(rèn)了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿足特定參數(shù)值時能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化,，從而完成了本發(fā)明,。本發(fā)明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優(yōu)異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑,、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法,。本發(fā)明中,，蝕刻對象膜可以為氮化物膜,，保護(hù)對象膜可以為氧化物膜。此外,，本發(fā)明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑,。<蝕刻液組合物>具體而言，本發(fā)明可以包含磷酸,、...

圖7：本實用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實施例的擋液板結(jié)構(gòu)運作局部放大圖,。圖8：本實用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖9：本實用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖,。圖10：本實用新型蝕刻設(shè)備其二較佳實施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖,。圖11：本實用新型蝕刻設(shè)備其三較佳實施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖12：本實用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖,。圖13：本實用新型蝕刻方法的步驟流程圖,。圖號說明：傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)a擋液板結(jié)構(gòu)b風(fēng)刀c氣體本實用新型1蝕刻設(shè)備10擋液板結(jié)構(gòu)11***擋板12第二擋板121宣泄孔1211**...

近年來,，oled顯示器廣泛應(yīng)用于手機(jī)和平板顯示。金屬銀以優(yōu)異的電導(dǎo)率和載流子遷移率被廣泛應(yīng)用于oled顯示器的陽極布線(ito/ag/ito)結(jié)構(gòu)中,。為了對此進(jìn)行蝕刻,，目前主要使用基于磷酸、硝酸,、醋酸和硝酸鹽的濕蝕刻液(cna),。這樣的體系雖然能有效去除金屬銀，但在實際使用過程中仍會存在少量的銀殘留或銀再吸附沉積問題,。4.本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于如何解決現(xiàn)有的銀蝕刻液在使用過程中存在少量的銀殘留,、銀再吸附沉積問題。5.本發(fā)明通過以下技術(shù)手段實現(xiàn)解決上述技術(shù)問題的：6.一種銀蝕刻液組合物,，其成分由質(zhì)量占比為40-60％磷酸,、2-10％硝酸、％有機(jī)酸,、％硝酸鹽,、％含氮元素有機(jī)物、其...

所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸,、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種,。本發(fā)明的蝕刻液推薦進(jìn)一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸,、蘋果酸,、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種,。推薦為,，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機(jī)硫化合物的濃度為％至10重量％,。另外,，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外,，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法,。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外,，本發(fā)明的蝕刻液實質(zhì)上不含氫氟酸及過氧化氫,，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異,。具體實施方式...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品,，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步,，對該蝕刻液也有了更高的要求,。并且之前市場上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況,。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無氟,，無硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā),，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝,。產(chǎn)品特點：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H,，常溫可穩(wěn)定120H,；無暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好,，taper符合制程要求,。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結(jié)構(gòu)不同膜厚度的機(jī)種。BOE蝕刻液廠家直銷價格,。...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域,，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程,，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液,。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中,，產(chǎn)物親和,、友好、環(huán)境污染少,，刻蝕效率高且使用壽命較長的特點,。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機(jī)酸/有機(jī)酸組分,，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分,。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng)，體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全,。技術(shù)實現(xiàn)要素...

目前的平面顯示裝置,，尤其是有機(jī)電激發(fā)光顯示器,，多使用鉻金屬作為導(dǎo)線的材料,。但是因為鉻金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導(dǎo)線的材料,。以往曾經(jīng)有提議以銀作為平面顯示裝置的導(dǎo)線材料,，但是因為無適當(dāng)穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有***的運用,。近幾年為提高平面顯示裝置的效能,，研究者仍專注于如何降低導(dǎo)線材料的電阻值,。銀合金目前被視為適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線材料，因其阻值低于其他的金屬,。此外,，含銀量超過80％以上的銀合金，雖然阻值未若銀金屬一般低,，但是其阻值遠(yuǎn)低于鉻金屬,。然而由于銀合金未具有適當(dāng)?shù)奈g刻液，所以并沒有廣泛應(yīng)用于晶片或面板的黃光制程,。發(fā)明人爰因于此,，本于積極發(fā)明的精神，亟思一...

也很難保證拖車在地磅頂部不移動,。在地磅的頂部平臺中設(shè)置有兩條卡塊40,，卡塊與平臺之間形成一插槽，在地磅的頂部設(shè)置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動夾緊機(jī)構(gòu),，壓緊塊位于插槽中,，氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車的邊緣沿插槽插入后,，氣缸帶動壓緊塊下行將拖車緊緊壓在地磅的頂部,。實施例二本實施例基于實施例一。如圖2所示,，在拖車的頂部設(shè)置有一圈圍設(shè)在儲存罐外部的護(hù)欄70,，以防止其它物品碰撞儲存罐。實施例三本實施例基于實施例一,。如圖3所示,，在拖車的頂部設(shè)置有一集液盒，儲存罐安裝在集液盒80中,，過濾器的出液管及灌裝頭的快速接頭從儲存罐中拔出時滴落的鋁蝕刻液,，由集液盒進(jìn)行收集。實施例四本實施例基于實施例一,。...

技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,，以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問題,。為實現(xiàn)上述目的,，本實用新型提供如下技術(shù)方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體,、支撐腿,、電源線和單片機(jī)，所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿,，所述裝置主體的后面一側(cè)底部固定連接有電源線,，所述裝置主體的一側(cè)中間部位固定連接有控制器,，所述裝置主體的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)，所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲罐,，所述裝置主體的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲罐,，所述磷酸儲罐的底部固定連接有攪拌倉，所述攪拌倉的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機(jī),，所述攪...

制備裝置主體1的內(nèi)部中間部位活動連接有高效攪拌裝置2,，制備裝置主體1的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板4，制備裝置主體1的底端固定連接有裝置底座5,，裝置底座5的內(nèi)部底部固定連接有成品罐6,，裝置底座5的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐7，裝置底座5的頂端另一側(cè)固定連接有硝酸裝罐8,，高效攪拌裝置2的內(nèi)部頂部中間部位活動連接有旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤12,，高效攪拌裝置2的內(nèi)部頂部兩側(cè)活動連接有震蕩彈簧件14，震蕩彈簧件14的頂端固定連接有運轉(zhuǎn)電機(jī)組13,，運轉(zhuǎn)電機(jī)組13的頂端電性連接有控制面板15,，高效攪拌裝置2的內(nèi)部中間部位固定連接有致密防腐桿16，致密防腐桿16的內(nèi)部內(nèi)側(cè)貫穿連接有攪動孔17,，鹽酸裝罐7的內(nèi)...

伸縮桿12下端固定安裝有圓環(huán)塊13,，圓環(huán)塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設(shè)置,，電解池4內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計為5°,，進(jìn)液管8的形狀設(shè)計為l型，且進(jìn)液管8貫穿分隔板2設(shè)置在進(jìn)液漏斗6與伸縮管9之間,，圓環(huán)塊13通過伸縮桿12活動安裝在噴頭10上方,，且噴頭10通過伸縮管9活動安裝在電解池4上方，通過設(shè)置有伸縮管9與伸縮桿12,，能夠在蝕刻液通過進(jìn)液管8流入到電解池4中時,，啟動液壓缸11帶動伸縮桿12向上移動，從而通過圓環(huán)塊13配合伸縮管9帶動噴頭10向上移動,，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中,，避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)...

過濾器的出液管自動上行離開儲存罐,，將裝滿的儲存罐從鋁蝕刻液生產(chǎn)車間移動至自動灌裝車間中,，將灌裝頭的快速接頭插入儲存罐的出液口中便可將儲存罐內(nèi)的鋁蝕刻液分裝。本實用新型除上述技術(shù)方案外,，還包括以下技術(shù)特征：進(jìn)一步的是,，所述地磅的頂部平臺中設(shè)置有兩條卡塊，所述卡塊與平臺之間形成一插槽,；所述氣動夾緊機(jī)構(gòu)包括氣缸和壓緊塊,，所述壓緊塊位于所述插槽中，所述氣缸的伸縮桿與所述壓緊塊固連,。進(jìn)一步的是,，所述拖車的頂部設(shè)置有一圈圍設(shè)在所述儲存罐外部的護(hù)欄。進(jìn)一步的是,，所述拖車的頂部設(shè)置有一集液盒,，所述儲存罐安裝在所述集液盒中。進(jìn)一步的是,，所述拖車的頂部于所述儲存罐的旁側(cè)設(shè)置有集液腔室,。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實...

其中輸送裝置借由至少一呈順時針方向轉(zhuǎn)動的滾輪帶動基板由噴灑裝置的下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀的下端部的方向移動,。如上所述的蝕刻方法,，其中風(fēng)刀裝置分別借由一設(shè)置于該輸送裝置的上端部的***風(fēng)刀與一設(shè)置于該輸送裝置的下端部的第二風(fēng)刀朝向基板的上表面與下表面吹送氣體。借此,，本實用新型所產(chǎn)生的技術(shù)效果：本實用新型的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備主要借由具有復(fù)數(shù)個宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風(fēng)刀裝置的硬體設(shè)計,，有效使風(fēng)刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板蝕刻不均等異?，F(xiàn)象,，確實達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導(dǎo)...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域,，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝,。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液,。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系,，過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和,、友好,、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長的特點,。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分,、參與溶解的無機(jī)酸/有機(jī)酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分,。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng),，體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實現(xiàn)要素...

其中輸送裝置借由至少一呈順時針方向轉(zhuǎn)動的滾輪帶動基板由噴灑裝置的下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀的下端部的方向移動,。如上所述的蝕刻方法,，其中風(fēng)刀裝置分別借由一設(shè)置于該輸送裝置的上端部的***風(fēng)刀與一設(shè)置于該輸送裝置的下端部的第二風(fēng)刀朝向基板的上表面與下表面吹送氣體。借此，本實用新型所產(chǎn)生的技術(shù)效果：本實用新型的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備主要借由具有復(fù)數(shù)個宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風(fēng)刀裝置的硬體設(shè)計,，有效使風(fēng)刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄,，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板蝕刻不均等異常現(xiàn)象,，確實達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果,，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導(dǎo)...

負(fù)的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征,，上述氧化物膜推薦包含sio2,，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序,，能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問題**少化,。本發(fā)明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時,，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良(參照圖2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照圖3)的發(fā)生**少化,。因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物...

12、伸縮桿,；13,、圓環(huán)塊；14,、連接桿,；15、回流管,；16,、增壓泵；17,、一號排液管,；18、一號電磁閥,；19,、抽氣泵；20,、排氣管,；21、集氣箱,；22,、二號排液管；23,、二號電磁閥,；24,、傾斜板；25,、活動板,；26、蓄水箱,；27,、進(jìn)水管,；28,、抽水管；29,、三號電磁閥,；30、控制面板,。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,，顯然,，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例,?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍,。請參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方...

更推薦滿足,。參照圖4,，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化,，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于,，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此,，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上,，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下,，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力,，由此，即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程,，也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑,。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護(hù)對...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以,，更推薦滿足,。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加,。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate),、雙(三...

也不能在回收結(jié)束后對裝置內(nèi)部進(jìn)行清理的問題。為實現(xiàn)上述目的,，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,，包括裝置主體，所述裝置主體內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板,，所述分隔板左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板,，所述承載板上端表面放置有電解池，所述電解池內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜,，所述裝置主體上端表面靠近右側(cè)安裝有進(jìn)液漏斗,，所述進(jìn)液漏斗上設(shè)置有過濾網(wǎng)，所述裝置主體內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進(jìn)液管,，所述進(jìn)液管左端連接有伸縮管,，所述伸縮管下端安裝有噴頭，所述裝置主體上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸,，所述液壓缸下端安裝有伸縮桿,，所述伸縮桿下端固定安裝有圓環(huán)塊，所述圓環(huán)塊與噴頭之間固定連接有連接桿,，...

步驟一s1：設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10,，其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個宣泄孔121；該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11,、一與該***擋板11接合的第二擋板12,，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個貫穿該第二擋板12且錯位設(shè)置的宣泄孔121,，該復(fù)數(shù)個宣泄孔121呈千鳥排列的直通孔態(tài)樣,，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm,，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象,，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122,，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道,，以借由該宣泄孔1...

步驟一s1：設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10，其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個宣泄孔121,；該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11,、一與該***擋板11接合的第二擋板12,，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個貫穿該第二擋板12且錯位設(shè)置的宣泄孔121,，該復(fù)數(shù)個宣泄孔121呈千鳥排列的直通孔態(tài)樣,，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm,，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象,，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122,，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道,，以借由該宣泄孔1...

所述裝置主體前端表面靠近左上邊角位置設(shè)置有活動板，所述分隔板右端放置有蓄水箱,，所述蓄水箱上端靠近右側(cè)連接有進(jìn)水管,，所述回流管下端連接有抽水管,，所述抽水管內(nèi)部上端設(shè)置有三號電磁閥,，所述裝置主體前端表面靠近右側(cè)安裝有控制面板。作為本發(fā)明的進(jìn)一步方案,，所述分隔板與承載板相互垂直設(shè)置,，所述電解池內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計為5°。作為本發(fā)明的進(jìn)一步方案,，所述進(jìn)液管的形狀設(shè)計為l型,，且進(jìn)液管貫穿分隔板設(shè)置在進(jìn)液漏斗與伸縮管之間。作為本發(fā)明的進(jìn)一步方案,，所述圓環(huán)塊通過伸縮桿活動安裝在噴頭上方,，且噴頭通過伸縮管活動安裝在電解池上方。作為本發(fā)明的進(jìn)一步方案,，所述回流管與進(jìn)水管的形狀均設(shè)計為l型,，所述傾斜板的...

引線框架的腐蝕是如何生產(chǎn)的呢？引線框架的材料主要是電子銅帶,，常見在引線框架中通過亮鎳,、錫和錫鉛鍍層下進(jìn)行鍍鎳完成保護(hù)金屬材料的目的，在材質(zhì)過程中42合金引線相對來說容易發(fā)生應(yīng)力-腐蝕引發(fā)的裂紋,。為了保障引線框架的優(yōu)異的導(dǎo)電性和散熱性,，處理方式通過電鍍銀、片式電鍍線,，將引線和基島表面作特殊處理,，這樣能夠保障焊線和引線框架的良好焊接性能。引線框架電鍍銀蝕刻工藝流程主要分：上料-電解除油-活化-預(yù)鍍銅-預(yù)鍍銀-局部鍍銀-退銀-防銀膠擴(kuò)散-防銅變色-烘干-收料,。通過該蝕刻工藝流程能夠保障引線框架蝕刻過程中電鍍層的厚度,、光亮度,、粗糙度、潔凈度等,。因此,，蝕刻引線框架對工藝和工廠的管理需要嚴(yán)格控制。 維...

內(nèi)嵌觀察窗402通過觀察窗翻折滾輪401內(nèi)嵌入裝置內(nèi)部,，工作人員可通過內(nèi)嵌的透明窗對內(nèi)部的制備狀況進(jìn)行實時查看,，從而很好的體現(xiàn)了該裝置的實時性。推薦的,，鹽酸裝罐7的頂端嵌入連接有熱水流入漏斗9,，在進(jìn)行制備時需要向鹽酸裝罐7內(nèi)倒入一定比例的熱水進(jìn)行均勻調(diào)和，由于熱水與鹽酸接觸會產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng),，濺出容易傷害工作人員,，通過設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi),，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度,，很好的起到了保護(hù)作用。推薦的,，裝置底座5的內(nèi)部兩側(cè)緊密焊接有加固支架10,，由于制備裝置為一體化裝置，承載設(shè)備較多,，質(zhì)量較重,，對底座會產(chǎn)生較大的壓力，通過設(shè)置加固支架...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異?，F(xiàn)象,，確實達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險等主要優(yōu)勢,。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50,，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間,，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上,，以對該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說明,，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程,，故仍舊會有少量的藥液51噴灑...

當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會往該復(fù)數(shù)個宣泄孔121流動,，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出,，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題,；此外,，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題,，因此，該復(fù)數(shù)個宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小,，例如：孔徑a0小于3mm,，即可因毛細(xì)現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內(nèi)的夾角θ等于該水滴與...

使硝酸鉀儲罐21和其它儲罐的內(nèi)部形成一個密閉的空間,，避免環(huán)境外部的雜質(zhì)進(jìn)入儲罐內(nèi),，有效的提高了裝置使用的密封性；緊接著,，將磷酸與醋酸在個攪拌倉23中充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆?，然后在第二個攪拌倉23中與硝酸充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆蚝螅龠M(jìn)入配料罐中混合,，將陰離子表面活性劑和聚氧乙烯型非離子表面活性劑在第三個攪拌倉23混合后再進(jìn)入第四個攪拌倉23中,，與氯化鉀、硝酸鉀,、去離子水一起在第四個攪拌倉23中混合均勻,，然后過濾后封裝，先檢查過濾板26進(jìn)行更換或安裝,，過濾部件9的內(nèi)部兩側(cè)嵌入連接有過濾板26,，常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差,，蝕刻液雜質(zhì)含量多，過濾板26能將蝕刻...

本實用新型涉及資源回收再利用領(lǐng)域,，特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置,。背景技術(shù)：線路板生產(chǎn)工業(yè)中，會對已經(jīng)使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進(jìn)行回收利用,，在回收過程中,，廢液在加熱器中通過蒸汽進(jìn)行換熱，換熱完的廢液在高溫狀態(tài)下進(jìn)入分離器,，會在分離器中發(fā)生閃蒸,，閃蒸產(chǎn)生的二次蒸汽中，攜帶有大小不等的液滴,，現(xiàn)有技術(shù)因缺乏有效的分離氣液的手段,，含有銅的液體隨著蒸汽被排走，導(dǎo)致了產(chǎn)品發(fā)生損失,。技術(shù)實現(xiàn)要素：基于此,，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)氣液分離率低的問題，提供一種含銅蝕刻液氣液分離裝置,。一種含銅蝕刻液氣液分離裝置,，包括分離器及加熱器,，所述分離器設(shè)有液體入口、蒸汽出口及濾液出口,，所述液體入口用于將加熱器產(chǎn)生...

也不能在回收結(jié)束后對裝置內(nèi)部進(jìn)行清理的問題,。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,，包括裝置主體,，所述裝置主體內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板，所述分隔板左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板,，所述承載板上端表面放置有電解池,，所述電解池內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜，所述裝置主體上端表面靠近右側(cè)安裝有進(jìn)液漏斗,，所述進(jìn)液漏斗上設(shè)置有過濾網(wǎng),，所述裝置主體內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進(jìn)液管，所述進(jìn)液管左端連接有伸縮管,，所述伸縮管下端安裝有噴頭,，所述裝置主體上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸，所述液壓缸下端安裝有伸縮桿,，所述伸縮桿下端固定安裝有圓環(huán)塊,，所述圓環(huán)塊與噴頭之間固定連接有連接桿，...