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但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號,，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格、型號,、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時,，電極引腳向下，面對標有字符的一面),。市場上最常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示,。大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。相城區(qū)使用可控硅...

雙向可控硅可被認為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同,。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2,， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通,，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性,。雙向可控硅門極加正、負觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導通,，因此有四種觸發(fā)方式,。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅,，需定量掌握其主要參數(shù)，對雙向可控硅進行適當選用并采取相應(yīng)措施以達到各參數(shù)的要求,。 [1]·耐壓級別的選擇： 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓,。 選用時，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,，作為允...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路,，是比較理想的交流開關(guān)器件,。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”,。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。雙 向：Bi-directional(取***個字母)控 制：Controlled(取***個字母)整流器：Rectifier(取***個字母)再由這三組英文...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極，黑筆同時接通G,、A極,，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,，此時可控硅已被觸發(fā),，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）,。然后瞬時斷開A極再接通,，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好,。?對于1~6A雙向可控硅,，紅筆接T1極,，黑筆同時接G,、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小,、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào),，重復(fù)上述步驟測一次,，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好,，且觸發(fā)電壓（或電流）小,。?可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形。張...

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右,，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右,。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A,。A,、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通,、關(guān)斷的特性,。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結(jié)構(gòu)成,、有三個電極的半導體器件,。由于主電極的構(gòu)造是對稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極,，而是把與控制極相近的叫做***電極T1,，另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低,。這是因為雙向可控硅在一個方向?qū)?..

用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻,，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋,，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞,。反向阻值應(yīng)很大,，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值,。萬用表選電阻R×1擋,，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極,，此時萬用表指針應(yīng)不動,。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,，陰極接紅表筆時,，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞,?？刂茦O的作用是通過...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅方可關(guān)斷,。當然,，如果Ea極性反接，BG1,、B...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,，它都能被觸發(fā)導通,，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導通后,，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,，這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按***象限的特性進行的,，又因為觸發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。 [可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點。江蘇使用可控硅模塊廠家現(xiàn)貨功...

2,、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極,，黑筆同時接通G,、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置,，則表明可控硅良好,。?對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極,，黑筆同時接G,、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小,、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào),，重復(fù)上述步驟測一次,，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好,，且觸發(fā)電壓（或電流）小,。?可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。可控硅開關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,。張家港使用可控硅模塊現(xiàn)價但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***,、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。高新區(qū)應(yīng)用可控硅模塊聯(lián)系方式可控硅從外形上分類主要有：螺栓形...

雙 向：Bi-directional(取***個字母)三 端：Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來命名雙向可控硅。**型號如：PHILIPS的BT131-600D,、BT134-600E,、BT136-600E、BT138-600E,、BT139-600E,、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅,；Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與...

（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),，必須是過零點才觸發(fā),，導通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅,，常見的是移相觸發(fā),，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比,。按一機部IBI144一75的規(guī)定,，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導通,，但已屬于非正常工作情況了。吳江區(qū)好的可控硅模塊聯(lián)系方式1：小功率塑封雙向可控硅通常用...

主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA,，JX ,，SANREX，SANKEN ,，SEMIKRON ,，EUPEC，IR,，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重...

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。另外，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制...

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上,，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等,?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn),，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運輸、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連...

通常,，小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術(shù),。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱,。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計特點是將模塊分為兩個層次,。功率半導體在底部，驅(qū)動器和保護電路在上部,。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽米控的skiip?,，已面市超過了10年。這種無底板ipm系列產(chǎn)品的比較大額定電流是2400a,，包括一個驅(qū)動器和保護功能,，加上電流傳感器、電氣隔離和電源,。這些模塊裝在風冷或水冷冷卻器上,，并在供貨前進行***的測試,。 在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件,，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。常熟智能可控硅模塊量大從優(yōu)若保持接通A極或T2極時斷...

功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體,，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體,。功率半導體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊,，配用水冷散熱可作水冷模塊等,。功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(功率mosfet，常簡寫為功率mos),、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,，常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,，而電路在高頻工作時能更節(jié)能,、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量,。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,，簡寫psoc)...

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值,；2） 使 A,、K 之間電壓反向?？梢?，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號開通,，并保持一定幅度的流通電流 的話,，則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次,，才能使其關(guān)斷,。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間,，若接受一個觸發(fā)信號,，則一直保持導通，直到電壓過零點到 來,，因無流通電流而自行關(guān)斷,。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號,，可控硅也因 A,、 K 間電壓反向,，而保持于截止狀態(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性,，其觸發(fā)電壓,、觸發(fā)電流值和導通壓降，很難有統(tǒng)一的標準,?？煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣，為電流控制...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級,。取電壓教除以100做為級別標志,，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示,，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。張家港...

4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓,。5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓栌卸喾N分類方法,。（一）按關(guān)斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,?？煽毓鑿耐庑?..

這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通,，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導通后,，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導通狀態(tài),。晶閘管特點“一觸即發(fā)”,。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓,，晶閘管就不能導通,。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通,，卻不能使它關(guān)斷,。那么，用什么方法才能使導通的晶閘管關(guān)斷呢?使導通的晶閘管關(guān)斷,，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導通的最小值（稱為維持電流）,。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么,，在電壓過零時,，晶閘管會自行關(guān)斷。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng),。額定電流：IA小于2A。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N,，螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電...

2,、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極,，黑筆同時接通G、A極,，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,，此時可控硅已被觸發(fā),，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）,。然后瞬時斷開A極再接通,，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好,。?對于1~6A雙向可控硅,，紅筆接T1極，黑筆同時接G,、T2極,，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小,、廠家不同而異）,。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次,，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,，則表明可控硅良好,，且觸發(fā)電壓（或電流）小。?按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件,。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意,。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。雙 向：Bi-directional(取***個字母)控 制：Controlled(取***個字母)整流器：Rectifier(取***個字母)再由這三組英文...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅,，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）,、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連,，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）。單,、雙向可控硅的判別先任測兩個極,，若正、反測指針均不動（R×1擋）,，可能是A,、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2,、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極,，剩下即為A極,。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外，還有驅(qū)動電路,。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻,。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能，如過電流和短路保護,，驅(qū)動器電源電壓控制和直流母線電壓測量等,。 然而，大部分智能功率模塊沒有對功率側(cè)的信號輸入進行電氣隔離,。只有極少數(shù)的ipm包含了一個集成光耦,。另一種隔離方案是采用變壓器 進行隔離。 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。吳中區(qū)好的可控硅模塊銷售廠家測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極...

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值,，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高,，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈,，容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2],。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?..

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A,。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N，螺旋式的應(yīng)用較多,?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié),。可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電...