Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電壓-9V,，則U=24V，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián),。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長度,；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合，并且不要用過粗的線,；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近,；d) 柵極電阻使用無感電阻；e) 如果是有感電阻,，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感,。2,、IGBT 開通和關(guān)斷選取不同的柵極電阻一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),，不應(yīng)偏離太大,。松江區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間,，由于電路中其他部分的工作,，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),，增加管子的功耗,。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V),，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,，保護(hù)柵極不被擊穿,。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極,。虹口區(qū)選擇IGBT模塊聯(lián)系人穿通(PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù),，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。

將萬用表撥在R×10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT 的漏極(D),，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時(shí)萬用表的指針指在無窮處,。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G),，這時(shí)IGBT 被阻 斷,，萬用表的指針回到無窮處。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的,。 注意：若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí),，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。 任何指針式萬用表皆可用于檢測(cè)IGBT,。注意判斷IGBT 好壞時(shí),，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,，而無法判斷IGBT 的好壞,。

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點(diǎn)是通過強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來,。[2]在那個(gè)時(shí)候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計(jì),。后來,，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)***改進(jìn)，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步,，以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的[3],。幾年當(dāng)中，這種在采用PT設(shè)計(jì)的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu),，其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米,。保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一,、柵極電阻Rg的作用1,、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu),，柵極回路的寄生電感又是不可避免的,，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩,，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減,。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器的功率損耗電容電感都是無功元件,，如果沒有柵極電阻,，驅(qū)動(dòng)功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多,。裝IGBT模塊的容器,，應(yīng)選用不帶靜電的容器。楊浦區(qū)質(zhì)量IGBT模塊供應(yīng)商

因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。松江區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,，柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí),，必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求,、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況,。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,，故可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高,。IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間,，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加,。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng),。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。松江區(qū)銷售IGBT模塊廠家現(xiàn)貨

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