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開關時間：場效應管從完全關閉到完全導通（或相反）所需的時間,。柵極驅(qū)動電路的設計對開關時間有明顯影響,，同時寄生電容的大小也會影響開關時間，此外,，器件的物理結構,，也會影響開關速度,。典型應用電路：開關電路：開關電路是指用于控制場效應管開通和關斷的電路。放大電路：場效應管因其高輸入阻抗和低噪聲特性,，常用于音頻放大器,、射頻放大器等模擬電路中。電源管理：在開關電源中,，場效應管用于控制能量的存儲和釋放,，實現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。場效應管的可靠性較高,，壽命長,。肇慶多晶硅金場效應管廠家直銷場效應管注意事項：（1）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動,，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在...

MOS場效應管電源開關電路,，MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上,。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。場效應管的工作原理是利用電荷的寄主...

場效應管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”,。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積,，它是由pn結反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場,，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動,。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷。MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié),，是現(xiàn)代電子器件中常見的元件,。肇慶MOS場效應管定制價格合理的熱設...

MOSFET的特性和作用：MOS管導作用，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,，由于SiO2絕緣層的存在,，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導致源source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面,，排名頭一的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品,。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB,、計算機類適配器,、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機主板,、計算機類適配器,、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象...

溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結,。當柵——源電壓vGS=0時,，即使加上漏——源電壓vDS,，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結處于反偏狀態(tài),，漏——源極間沒有導電溝道,，所以這時漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況,，若vGS＞0,，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場,。這個電場能排斥空穴而吸引電子,。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負離子),，形成耗盡層,。吸引電子：將 P型襯底中的電子...

判斷源極S、漏極D,，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻,。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極。因為測試前提不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些,。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on），在源-漏之間有一個PN結,，因此根據(jù)PN結正,、反向電阻存在差異，可識別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）,。在開關電路中,，場效應管可以實現(xiàn)快速的開關操作，普遍應用于數(shù)字電路和電源控制中,。珠海增強型場效應管尺寸MOS場效應管...

判斷源極S,、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻,。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極,。因為測試前提不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個PN結,，因此根據(jù)PN結正、反向電阻存在差異,，可識別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）,。JFET是一種可用作功率放大器或開關的場效應管。江門單極型場效應管批發(fā)MOSFET的特性和作用：MOS管導作用,，M...

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,，并以此命名，場效應管[2]是常見的電子元件,，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小,、功耗低、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。場效應晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結型場效應管），1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管,，從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義。場效應管是一種重要的半導體...

場效應管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成,。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結隔離,；而在MOSFET中,，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r,，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道,，從而控制漏極和源極之間的電流流動。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應管開始導電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓,。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時,，場效應管處于關閉狀態(tài)，通道不導電,；當VGS超過Vth時,，通道形成，電流開始流動...

場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型,；當柵壓為零,，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型,。作用：1.場效應管可應用于放大,。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.場效應管可以用作可變電阻,。4.場效應管可以方便地用作恒流源。5.場效應管可以用作電子開關,。JFET有三個電極：柵極,、漏極和源極，工作原理類似MOSFET,?；葜輳娍馆棃鲂茈姌O，所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）,、源極（source）三個端，...

導電溝道的形成：當vGS數(shù)值較小,，吸引電子的能力不強時,，漏——源極之間仍無導電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示,。vGS增加時,，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數(shù)值時,，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道,，其導電類型與P襯底相反,，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。vGS越大,，作用于半導體表面的電場就越強,，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚,，溝道電阻越小,。場效應管利用輸入電場控制輸出電流，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點,。東莞金屬場效應管現(xiàn)貨直發(fā)場效應管注意事項：（1）在安裝場效應管時,，注意安裝的位置要盡量避免...

場效應管主要參數(shù)：1、開啟電壓,，開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應管中,，使漏源間剛導通時的柵極電壓。2,、跨導,，跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權衡場效應管放大才能的重要參數(shù),。3、漏源擊穿電壓,，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。4,、較大耗散功率,，較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù)，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率,。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量,。5、較大漏源電流,，較大漏源...

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓,，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時,，不能形成導電溝道,，管子處于截止狀態(tài)。只有當vGS≥VT時,，才有溝道形成,。這種必須在vGS≥VT時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型MOS管。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS,，就有漏極電流產(chǎn)生,。vDS對iD的影響：當vGS>VT且為一確定值時，漏——源電壓vDS對導電溝道及電流iD的影響與結型場效應管相似,。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,，只不過導電的載流子不同，供電電壓極性不同而已,。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣,。場效應...

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal),、氧化物(oxide),、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator),、半導體,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認為是對稱的,。場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。FET的增益等于它的跨導,， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見的為低壓mos管。JF...

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關導 通,。導通時，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作,，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關閉,，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時,，開關關閉,，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。JF...

場效應管主要參數(shù)：1,、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓,。這是一項極限參數(shù)，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS,。2,、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率,。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。3,、較大漏源電流,。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù)，是指場效應管正常工作時,，漏源間所允許經(jīng)過的較大電流,。場效應管的工作電流不應超越IDSM。場效應管的主要作用是在電路中放大或開關信號,，用于控制電流或電壓,。佛山耗盡型場效應管供應場效應管（FET）是利用控制輸...

計算導通損耗,。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化,。對便攜 式設計來說,，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業(yè)設計,，可采用較高的電壓,。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術資料表中查到。計算系統(tǒng)的散熱要求,。設計人員必須考慮兩種不同的情況,，即較壞情況和真實情況。建議采用針對較壞情況的計算結果,，因為這個結果提供更大的安全余量,，能 確保系統(tǒng)不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù),；比如封裝器件的半導體結與環(huán)境之間的熱阻,，以及較...

雪崩失效的預防措施，雪崩失效歸根結底是電壓失效,，因此預防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。2：合理的變壓器反射電壓,。合理的RCD及TVS吸收電路設計,。4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結構,，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中,，可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收,。場效應管在靜態(tài)工作時功耗較低，有利于節(jié)能降耗,。東莞多晶硅金場效應管價位這些電極的名稱和它們的功能有關,。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制...

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的,，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些,，但沒有辦法避免,，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個寄生二極管,。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負載（如馬達）,，這個二極管很重要,?？梢栽贛OS管關斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句,，體二極管只在單個的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。場效應管有三種類型,，分別是MOSFET,、JFET和IGBT，它們各自具有不同的特性和應用領域,。湖州結型場效應管雪崩失效分析（電壓失效）,，底什么是雪崩失效...

場效應管由于它只靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管,。FET 英文為Field Effect Transistor,，簡寫成FET。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種,；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型,，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,，也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型,；P溝耗盡型和增強型四大類。場效應管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi),，以確保正常工作,。珠海P溝道場效應管廠商導通電阻（R_DS(on)）：場效應管導通...

當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通,，這個時候體二極管是截止狀態(tài),。因為 MOS 管導通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導通,。MOS管的導通條件,，PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強型管：UG-US>0,，且 |UG-US|>|UGSTH| ，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導通是在G和S之間加G負S正電壓,。NMOS相反,。MOS管工作狀態(tài),，MOSFET 不同于三極管,，因為某些型號封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S,，P 管必須由 S 流向 D。MOSFET適用于各種電路中的信號...

導電溝道的形成：當vGS數(shù)值較小,，吸引電子的能力不強時,，漏——源極之間仍無導電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示,。vGS增加時,，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數(shù)值時,，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道,，其導電類型與P襯底相反,，故又稱為反型層，如圖1(c)所示,。vGS越大,，作用于半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多,，導電溝道越厚,，溝道電阻越小。場效應管是一種半導體器件,，用于放大或開關電路中的信號,。紹興結型場效應管C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管），電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型...

MOS管三個極分別是什么及判定方法：mos管的三個極分別是：G（柵極）,，D（漏極）s（源及）,，要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導通,。判斷柵極G,，MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,，MOS管發(fā)燒嚴峻,，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅(qū)動能力不夠,，將嚴峻影響波形跳變的時間,。將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔,，黑表筆接S極,，紅表筆接D極,，阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大,，并且交換表筆后仍為無限大,，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕...

本文介紹N溝道增強型MOSFET場效應管,；（1）結構,，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū),，并用金屬鋁引出兩個電極,，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g,。襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管,。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好),。它的柵極與其它電極間是絕緣的。場效應管的主要作用是在電路中放大或開關信號,，用于控制電流或電壓,。東莞柵極場效應管生產(chǎn)廠家場效應管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是...

在二極管加上正向電壓（P端接正極,，N端接負極）時,，二極管導通，其PN結有電流通過,。這是因為在P型半導體端為正電壓時,，N型半導體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內(nèi)的正電子則朝N型半導體端運動,，從而形成導通電流,。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極,，N端接正極）時,，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端,，負電子則聚集在N型半導體端,，電子不移動，其PN結沒有電流通過,，二極管截止,。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過,，此時場效應管處與截止狀態(tài)（圖7a）,。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時，由于電場的作用,，此時N型...

如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面,，channel形成了,，因此PMOS管的閾值電壓是負值。由于NMOS管的閾值電壓是正的,，PMOS的閾值電壓是負的,，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號，一個工程師可能說,，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V",， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流,。事實上沒有電流流過這個絕緣體,，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體,。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOS...

MOS場效應管，即金屬-氧化物-半導體型場效應管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導電方式的不同,，MOSFET又分增強型、耗盡型,。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子,，形成導電溝道。耗盡型則是指,，當VGS=0時即形成溝道,，加上正確的VGS...

MOS場效應管，即金屬-氧化物-半導體型場效應管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型,。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同,，MOSFET又分增強型,、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子,，形成導電溝道,。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道,，加上正確的VGS...

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關,。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關導 通。導通時,，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空,，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關閉,，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關關閉,，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS。場效...

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal),、氧化物(oxide),、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator),、半導體,。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認為是對稱的,。場效應管（FET）,，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比,。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管,。場效...