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電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高,。根據(jù)實踐經(jīng)驗,，額定電壓應(yīng)當大于干線電壓或總線電壓,。這樣才能提供足夠的保護,，使MOSFET不 會失效,。就選擇MOSFET而言,，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS,。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變,。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常,，便攜式設(shè)備為20V,、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流,，只需直接選擇能承受這...

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關(guān),。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響,，電子流將從源極流向漏極,。體很簡單的就是指柵、漏,、源極所在的半導體的塊體,。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連，根據(jù)類型不同而不同,。體端和源極有時連在一起,，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu),，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路,。場效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極,、柵極和漏極三個引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓?；葜莨牡蛨鲂?yīng)管廠家供應(yīng)雪崩失效的預防措施,，雪崩失效歸...

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電,，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小,、功耗低、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者,。場效應(yīng)管在新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng),、5G通信等新興領(lǐng)域具有巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力,。深圳MOS場效應(yīng)管測量方...

馬達控制應(yīng)用馬達控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等,。對于這類應(yīng)用,，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時,，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),，此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導電流。于是,，電流重新循環(huán),，繼續(xù)為馬達供電。當頭一個MOSFET再次導通時,，另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,，通過頭一個MOSFET放電，而這是一種能量的損耗,，故trr 越短,，這種損耗越小。場效應(yīng)管是一種...

場效應(yīng)管主要參數(shù)：一,、飽和漏源電流,。飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二,、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。三、開啟電壓,。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應(yīng)管中,，使漏源間剛導通時的柵極電壓。四,、跨導,。跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能,，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。場效應(yīng)管具有體積小,、重量輕的優(yōu)點,，便于在緊湊的電子設(shè)備中使用。珠海MOS場效應(yīng)管注意事項場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型,；...

場效應(yīng)晶體管,。當滿足 MOS 管的導通條件時,，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態(tài),。因為 MOS 管導通內(nèi)阻很小,，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件：PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ,， UGSTH是開啟電壓,；NMOS增強型管：UG-US>0，且 |UG-US|>|UGSTH| ,，UGSTH是開啟電壓,；PMOS導通是在G和S之間加G負S正電壓。NMOS相反,。MOS管工作狀態(tài),。MOSFET 不同于三極管，因為某些型號封裝內(nèi)有并聯(lián)二極管,，所以其 D 和 S 極是不能反接的,，且 N 管必須由 D 流向 S，P 管必須由 S 流向 D,?？梢杂孟卤砼袛喙ぷ鳡?..

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向,。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結(jié)的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。場效應(yīng)管的主要優(yōu)勢之一...

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor,，簡稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗,、噪聲低和低功耗等優(yōu)點,。場效應(yīng)管的用途：一、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。二,、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。三,、場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。四、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。五,、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)?？偨Y(jié)場效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍,，了解基礎(chǔ)知識之后我們接下來就可以運用它做一些電子開發(fā)了。場效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,。上海氧化物場效應(yīng)管批發(fā)價格MO...

MOSFET應(yīng)用案例解析：開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導通和關(guān)斷。同時,，有數(shù)十種拓撲可用于開關(guān)電源,，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠兩個MOSFET來執(zhí)行開關(guān)功能(下圖),，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,，然后把能量開釋給負載。目前,，設(shè)計職員經(jīng)常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率,，由于頻率越高，磁性元件可以更小更輕,。開關(guān)電源中第二重要的MOSFET參數(shù)包括輸出電容,、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量,。場效應(yīng)管是一種重要的半導體器件,，它利用電場效應(yīng)控制電流，實現(xiàn)電路的開關(guān)和放大功能,。徐州多晶硅金場效應(yīng)管制造雪崩失效的預防措施,，雪崩失效歸根結(jié)底是...

場效應(yīng)管注意事項：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測試儀器,、工作臺,、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時,，先焊源極,；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,；當然,，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應(yīng)管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意,。場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。深圳金屬半導體場效應(yīng)管生產(chǎn)廠家LED 燈具的驅(qū)動,。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管,，對LE...

MOS場效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導電方式的不同,，MOSFET又分增強型、耗盡型,。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子,，形成導電溝道。耗盡型則是指,，當VGS=0時即形成溝道,，加上正確的VGS...

溝道增強型MOSFET場效應(yīng)管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié),。當柵——源電壓vGS=0時,，即使加上漏——源電壓vDS,，而且不論vDS的極性如何,，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏——源極間沒有導電溝道，所以這時漏極電流iD≈0,。② vGS>0 的情況,，若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場,。電場方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場,。這個電場能排斥空穴而吸引電子。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,，剩下不能移動的受主離子(負離子),，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子...

LED 燈具的驅(qū)動,。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管,，對LED恒流驅(qū)動而言，一般使用NMOS,。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電,，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通,。因此，設(shè)計時必須注意柵極驅(qū)動器負載能力必須足夠大,，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電,。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無法降低Cin的值,，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值,，從而減小柵極回路 的充放電時間常數(shù)，加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里,，我們談選擇MOSFET是指外置MO...

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電,、短路、斷路,、放大,。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1,、把連接柵極和源極的電阻移開,，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,，則MOS管漏電,，不變則完好。2,、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來,，假如指針立刻返回無限大,，則MOS完好。3,、把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大,。4,、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上,，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,，產(chǎn)生柵...

場效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中,，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r,，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道，從而控制漏極和源極之間的電流流動,。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時,，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),，通道不導電；當VGS超過Vth時,，通道形成,，電流開始流動...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向,。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結(jié)的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源，...

場效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進行控制”,。更正確地說,，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,，表示的過渡層的擴展因為不很大,，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,，即從漏極向源極有電流ID流動,。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和,。將這種狀態(tài)稱為夾斷,。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷,。場效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式,，通常包括源極、柵極和漏極三個引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓,。...

場效應(yīng)管注意事項：（1）為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率,，較大漏源電壓,、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類型場效應(yīng)管在使用時,，都要嚴格按要求的偏置接入電路中,，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),，N溝道管柵極不能加正偏壓,；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等,。（3）MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),，保存時較好放在金屬盒內(nèi),，同時也要注意管的防潮。場效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源,，為負載提供穩(wěn)定的電流,，應(yīng)用于精密測量、激光器等領(lǐng)...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值,，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓,，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過N型半導體與P型半導體襯底形成的PN結(jié)的較大電流,。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度,。場效應(yīng)管利用電場控制載...

場效應(yīng)管由源極（Source）,、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中,，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離,；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離,。當在柵極施加適當?shù)碾妷簳r,，會在柵極下方的半導體中形成一個導電溝道，從而控制漏極和源極之間的電流流動,。主要參數(shù)閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導電的較小柵極電壓,。閾值電壓是場效應(yīng)管從截止區(qū)（Cutoff Region）過渡到飽和區(qū)（Saturation Region）的臨界電壓。當柵極-源極電壓（VGS）低于Vth時,，場效應(yīng)管處于關(guān)閉狀態(tài),，通道不導電；當VGS超過Vth時,，通道形成,，電流開始流動...

MOSFET的作用如下：1.可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換,。3.可以用作可變電阻,。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子開關(guān),。6.在電路設(shè)計上的靈活性大,。柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作,，電子管只能在負偏壓下工作,。另外輸入阻抗高,，可以減輕信號源負載,，易于跟前級匹配。場效應(yīng)管的工作原理基于電場對半導體材料中電荷分布的影響,，從而改變其導電性能,。肇慶雙柵極場效應(yīng)管廠家直銷對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好,，...

場效應(yīng)管使用優(yōu)勢：場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應(yīng)選用晶體管,。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導電，被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。在設(shè)計電路時,，合理選擇場效應(yīng)管的型號和工作參數(shù),，以滿足電路要求。無錫金屬...

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢,？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇,。為設(shè)計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET,。在典型的功率應(yīng)用中，當一個MOSFET接地,，而負載連接到干線電 壓上時,，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,，應(yīng)采用N溝道MOSFET,，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當MOSFET連接到 總線及負載接地時,，就要用高壓側(cè)開關(guān),。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮,。場效應(yīng)管在電子設(shè)備中普遍應(yīng)用,，如音頻放大器、電源管理等,。江門金屬場效應(yīng)管規(guī)格場效應(yīng)管由于它只靠半導...

合理的熱設(shè)計余量,，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析,，做電源設(shè)計,，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類,，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用,，當然就是用它的開關(guān)作用,。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的,。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流,。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),，因此在開關(guān)應(yīng)用中,，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快,。在使用場效應(yīng)管時，應(yīng)避免過流和過壓情況,，以免損壞器件或影響電路性能,。上海N...

現(xiàn)在的高清、液晶,、等離子電視機中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外,，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機的效率,、可靠較大程度上提高,，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu),、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別,，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動電路比晶體三極管復雜,。所有的FET都有柵極（gate）,、漏極（drain）、源極（source）三個端,，分別大致對應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）,。場效應(yīng)管在電子器件中的功率管理,、信號放大等方面有重要作用。南京雙柵極場效應(yīng)管廠家供應(yīng)對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般?。?...

電壓和電流的選擇,。額定電壓越大，器件的成本就越高,。根據(jù)實踐經(jīng)驗,，額定電壓應(yīng)當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,，使MOSFET不 會失效,。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓,，即較大VDS,。設(shè)計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同,；通常,，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V,、85～220VAC應(yīng)用為450～600V,。在連續(xù)導通模式下,，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件,。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這...

在二極管加上正向電壓（P端接正極,，N端接負極）時,，二極管導通，其PN結(jié)有電流通過,。這是因為在P型半導體端為正電壓時,，N型半導體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內(nèi)的正電子則朝N型半導體端運動,，從而形成導通電流,。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極,，N端接正極）時,，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端,，負電子則聚集在N型半導體端,，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過,，二極管截止,。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知,，在源極與漏極之間不會有電流流過,，此時場效應(yīng)管處與截止狀態(tài)（圖7a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極上時,，由于電場的作用,，此時N型...

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名,，場效應(yīng)管[2]是常見的電子元件,，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）,、噪聲小,、功耗低、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管）,，1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，從而大部分代替了JFET,，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義,。MOSFET適用于各種電路...

合理的熱設(shè)計余量，這個就不多說了,，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器,。MOSFET發(fā)熱原因分析,，做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路,，難免要用到MOS管,。MOS管有很多種類，也有很多作用,。做電源或者驅(qū)動的使用,，當然就是用它的開關(guān)作用。無論N型或者P型MOS管,，其工作原理本質(zhì)是一樣的,。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快,。場效應(yīng)管可以通過串聯(lián)或并聯(lián)的方式實現(xiàn)更復雜的電路功能,。肇慶結(jié)型場效應(yīng)管注意...

內(nèi)置MOSFET的IC當然 不用我們再考慮了,，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大,、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨一的選擇方式,，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù),。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān),，可以近似認為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET,，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線,，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進行抑制.考慮到走線...