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LED 燈具的驅(qū)動,。設(shè)計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管,，對LED恒流驅(qū)動而言，一般使用NMOS,。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,，它的柵極電容比較大,，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通,。因此,，設(shè)計時必須注意柵極驅(qū)動器負(fù)載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時間內(nèi)完成對等效柵極電容(CEI)的充電,。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系,。使用者雖然無法降低Cin的值，但可以降低柵極驅(qū)動回路信號源內(nèi)阻Rs的值,，從而減小柵極回路 的充放電時間常數(shù),，加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動能力主要體現(xiàn)在這里，我們談選擇MOSFET是指外置MO...

導(dǎo)通時隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui,、關(guān)斷時為DUi,，若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］,。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些,。該電路具有以下優(yōu)點：①電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變化時,，驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化,。②該電路只需一個電源，即為單電源工作,。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動的管子時提供一個負(fù)壓,，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力,。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化,。當(dāng)D較小時，負(fù)向電壓小,，該電路的抗干擾性變差,，且正向電壓較高，應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極...

MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路,，MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓,，...

判斷源極S、漏極D,，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻,。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻,，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極。因為測試前提不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些,。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on），在源-漏之間有一個PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）。場效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓,，可實現(xiàn)精確控制,。東莞雙柵極場效應(yīng)管尺寸作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參...

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電,、短路,、斷路、放大,。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象,。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開,，萬用表紅黑筆不變,，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電,，不變則完好,。2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來,，假如指針立刻返回?zé)o限大,，則MOS完好。3,、把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大,。4,、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上,，黑筆接到MOS管的漏極上,，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,，產(chǎn)生柵...

判斷源極S,、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻,。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極,。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）,，在源-漏之間有一個PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,，可識別S極與D極,。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）,。場效應(yīng)管的價格相對較低，適合大規(guī)模生產(chǎn),。源極場效應(yīng)管加工MOS管的工作原理,，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路...

MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)電路，MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET),。它一般有耗盡型和增強型兩種,。增強型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型,。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因,。場效應(yīng)管的可靠性較高，壽命長,。上海...

SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點,，SOA失效，SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面,，造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式,。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導(dǎo)致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。關(guān)于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片,。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件較大的耗散功率。4：受限于較大單個脈沖電流,。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū),。我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生,。這個是一個非典型...

場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用,。電氣特性：場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點：貼片場效應(yīng)管：1：場效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小,。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大...

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比晶體管好,。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。場效應(yīng)管的使用方法需要注意輸入電壓和功率的...

場效應(yīng)管使用優(yōu)勢：場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負(fù),，靈活性比三極管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場效應(yīng)管的發(fā)展趨勢是向著高集成度,、低功耗,、高可靠性和多功能化方向發(fā)展。中...

對比：場效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點：1.場效應(yīng)管的源極s,、柵極g,、漏極d分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b,、集電極c,，它們的作用相似。2.場效應(yīng)管是電壓控制電流器件,，由vGS控制iD,，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差,；三極管是電流控制電流器件,，由iB（或iE）控制iC。3.場效應(yīng)管柵極幾乎不取電流（ig»0）,；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流,。因此場效應(yīng)管的柵極輸入電阻比三極管的輸入電阻高。4.場效應(yīng)管是由多子參與導(dǎo)電,；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電,，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好,、抗輻射能力強。在環(huán)境條件（溫...

N溝道耗盡型MOSFET場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似,。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時,，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管時,，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負(fù)離子)，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時,，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD。 如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,，...

場效應(yīng)管產(chǎn)品特性：(1)轉(zhuǎn)移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,。(2)輸出特性： UDS與ID的關(guān)系稱為輸出特性。(3)結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用：結(jié)型場效應(yīng)管的放大作用一般指的是電壓放大作用,。電氣特性：場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點：貼片場效應(yīng)管：1：場效應(yīng)管是電壓控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小,。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大...

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET可被看成電氣開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo) 通,。導(dǎo)通時,，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON),。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。MO...

眾所周知,，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動,。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點:頭一,，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),；第二,，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動,，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，然后垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大,，所以能通過大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管,。場效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極,、柵極和漏極三個引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓。深圳雙柵極場效應(yīng)管規(guī)格場效應(yīng)管與晶體管...

與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點,。（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）,；（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強,；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。使用場效應(yīng)管時需注意靜電防護，防止損壞敏感的柵極,?；葜萁饘賵鲂?yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)...

溝道增強型MOSFET場效應(yīng)管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時,，即使加上漏——源電壓vDS,，而且不論vDS的極性如何,，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道,，所以這時漏極電流iD≈0,。② vGS>0 的情況,，若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場,。電場方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場,。這個電場能排斥空穴而吸引電子,。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負(fù)離子),，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子...

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等,，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚,，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道較薄,。但當(dāng)vDS較小（vDS 隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來越薄，當(dāng)vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時,，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,，如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS,，夾斷點將向源極方向移動,，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū)，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進入飽和區(qū)，iD幾乎只由vGS決定,。場效應(yīng)管的主要優(yōu)勢之一是控制融合度相對較高。佛山絕緣柵場效應(yīng)管定制開始...

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān),。柵極可以被認(rèn)為是控制一個物理柵的開關(guān)。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響,，電子流將從源極流向漏極,。體很簡單的就是指柵,、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體,。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連,，根據(jù)類型不同而不同,。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上,。當(dāng)然有時一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流,?；葜菅趸飯鲂?yīng)管廠家精選電壓和電流的選擇。額定電壓越大,，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗,，額...

組成，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造,，使用單晶半導(dǎo)體硅片作為反應(yīng)區(qū),，或者溝道,。大部分的不常見體材料，主要有非晶硅,、多晶硅或其它在薄膜晶體管中,，或者有機場效應(yīng)晶體管中的非晶半導(dǎo)體,。有機場效應(yīng)晶體管基于有機半導(dǎo)體，常常用有機柵絕緣體和電極,。我們知道三極管全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管,、晶體三極管,，是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān),。JFET具有電路簡單、工作穩(wěn)定的特點,，適合于低頻放大器設(shè)計,。肇慶強抗輻場效應(yīng)管這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個物理柵的開關(guān),。這個...

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù),、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS,，夾斷電壓Up,，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）,、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS,、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM,。一、飽和漏源電流,，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流,。二,、夾斷電壓,，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓,。場效應(yīng)管在靜態(tài)工作時功耗較低,，有利于節(jié)能降耗。嘉興場效應(yīng)管市場價格與雙極型晶體管相比,，場效應(yīng)管具有如下特點,。（1）場效應(yīng)管是...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強時,，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn),，如圖1(b)所示。vGS增加時,，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,，且與兩個N+區(qū)相連通,，在漏——源極間形成N型導(dǎo)電溝道,，其導(dǎo)電類型與P襯底相反，故又稱為反型層,，如圖1(c)所示,。vGS越大，作用于半導(dǎo)體表面的電場就越強,，吸引到P襯底表面的電子就越多,，導(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小,。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，可以控制電流的流動,?；葜軻MOS場效應(yīng)管廠家組成，F(xiàn)ET由各種半導(dǎo)體構(gòu)成,，目前硅是較常見的。大部分的FET是由傳統(tǒng)塊體半導(dǎo)體制造技術(shù)制造...

場效應(yīng)管的分類：場效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名,，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。它們由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。我們常說的MOS管就是絕緣柵型場效應(yīng)管中的一種,，它也是應(yīng)用較普遍的一種，所以這一節(jié)接下的內(nèi)容我們主要通過介紹MOS管來了解場效應(yīng)晶體管,。MOSFET有分為增強型和耗盡型兩大類,，增強型和耗盡型每一類又有NMOS和PMOS，和三極管中的PNP和NPN類似,。在選型場效應(yīng)管時,，需要考慮其工作溫度范圍,、最大耗散功率和靜態(tài)特性等參數(shù)。中山半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用...

在要求輸入阻抗較高的場合使用時,，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應(yīng)管的輸入電阻降低,。如果用四引線的場效應(yīng)管,，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性,，應(yīng)注意避光使用,。對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件,。因為功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運用,，必須設(shè)計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值,，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作,。總之,，確保場效應(yīng)管安全使用,，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣,，廣大的專業(yè)技術(shù)人員,，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā),，采取切實可行的辦法,，安全有效地用好場效應(yīng)管,。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,，用于放大或開關(guān)電路中的信號,。佛山MOS場效應(yīng)管批...

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者,。場效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極,、柵極和漏極三個引腳,，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電...

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣,。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看,。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ,；Coss = Cds ；Crss = Cgd,；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg,，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off),、上升/下降時間tr / tf,，各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID，柵極驅(qū)動電壓Vg進行判斷,。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,，場效應(yīng)管性能不斷提升，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,。深圳結(jié)型場效應(yīng)...

溝道增強型MOSFET場效應(yīng)管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時,，即使加上漏——源電壓vDS,，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏——源極間沒有導(dǎo)電溝道,，所以這時漏極電流iD≈0。② vGS>0 的情況,，若vGS＞0,，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個電場。電場方向垂直于半導(dǎo)體表面的由柵極指向襯底的電場,。這個電場能排斥空穴而吸引電子,。排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負(fù)離子),，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子...

場效應(yīng)管是一種電壓控制器件,，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比,，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導(dǎo)電,，因此也被稱為單極型晶體管,。分類：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：基于PN結(jié)形成的通道,，分為N溝道JFET和P溝道JFET。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）：分為增強型MOS管和耗盡型MOS管,，每種類型又分為N溝道和P溝道,。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時，耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,，即使沒有外加電壓，也會有漏極電流（ID）,。這是因為在制造過程中,，通過摻雜在絕緣層中引...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS,，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向,。注②：柵源較大電壓VGSS,，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層,，只要電壓一定值超過絕緣層耐壓均會擊穿,，故有兩個方向“±”,。注③：漏級較大電流ID與體二極管流過的反向漏級較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致,，均為流過N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度,，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù),。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度。使用場效應(yīng)管時,，應(yīng)注意...