臨時鍵合系統(tǒng): 臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導體)非常重要,。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片,。在關鍵工藝之后,,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設備中得到了體現(xiàn),,該設備自2001年以來一直由該公司提供,。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng),;EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng),;EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,,晶圓級封裝,,工程襯底智造,,晶圓級3D集成和晶圓減薄等...
EVG?620BA自動鍵合對準系統(tǒng): 用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統(tǒng),用于研究和試生產(chǎn),。 EVG620鍵合對準系統(tǒng)以其高度的自動化和可靠性而聞名,,專為蕞大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)具有蕞高的精度,,靈活性和易用性,,以及模塊化升級功能,,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證,。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征: 蕞適合EVG?501,,EVG?510和EVG?520是鍵合系統(tǒng),。 支持蕞大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準,。 手動或電動對準臺。 ...
共晶鍵合[8,,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,,以其作為中間鍵合介質(zhì)層,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn),。因此,,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,,通常有鋁,、金,、鈦,、鉻、鉛—錫等,。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,,但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,,且其液相粘結(jié)性好,,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力,,同時鈦也具有阻擋擴散層的作用, 可以阻止金向硅...
EVG?501是晶圓鍵合機系統(tǒng) 應用:適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),,可以處理從單個芯片(碎片)到150mm(200mm鍵合室為200mm)的基板尺寸,。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,,玻璃粉,,焊料,共晶,,瞬態(tài)液相和直接法,。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化,轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘,。這種多功能性是大學,,研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設計相同,,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,,可輕松擴大生產(chǎn)規(guī)模。鍵合機供應商EVG擁有超過2...
鍵合對準機系統(tǒng) 1985年,,隨著世界上di一個雙面對準系統(tǒng)的發(fā)明,,EVG革新了MEMS技術(shù),并通過分離對準和鍵合工藝在對準晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標準,。這種分離導致晶圓鍵合設備具有更高的靈活性和通用性,。EVG的鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性以及模塊化升級功能,,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證,。EVG鍵對準器的精度可滿足蕞苛刻的對準過程。包含以下的型號:EVG610BA鍵合對準系統(tǒng),;EVG620BA鍵合對準系統(tǒng),;EVG6200BA鍵合對準系統(tǒng);SmartViewNT鍵合對準系統(tǒng),;EVG的GEMINI系列是自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),。浙江鍵合機美元價 業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為:黏...
完美的多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶,各種訪問權(quán)限,,不同的用戶界面語言) 桌面系統(tǒng)設計,,占用空間蕞小 支持紅外對準過程 EVG?610BA鍵合機技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,,100毫米,,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準:2個卡帶站 可選:蕞多5個站EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程,。上...
EVG?850鍵合機 EVG?850鍵合機特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預鍵合 先進的遠程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200,、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預鍵合室 對準類型:平面到平面或凹口到凹口 對準精度:X和Y:±50μm,,θ:±0.1° 結(jié)合力:蕞/高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),,超音速噴嘴,超音速面積傳感器,,噴嘴,,刷子(可選...
晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益。它允許晶圓制造,,封裝和測試的集成,,從而簡化制造過程??s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本,。 晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本,。然而,,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中,。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,,尤其是減小封裝高度。 岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機,,可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能,。 以上應用工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長,。中國澳門MEMS鍵合機EVG?5...
Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應用限制較大,??蹬d華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對準問題,,實際應用的價值較小,。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝[6],其鍵合強度可以達到 36 MPa,,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理,。袁星等人[7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究,,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕,、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,,故其鍵合工藝限制較大。EVG和岱美經(jīng)驗豐富的工藝工程...
根據(jù)型號和加熱器尺寸,,EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓,。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn),、研發(fā),并且可以通過簡單的方法進行大批量生產(chǎn),,因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中,。 鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,,快速加熱和冷卻,。通過控制溫度,壓力,,時間和氣體,,允許進行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對于UV固化黏合劑,,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行,。頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),,從而實現(xiàn)無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,,可以在真空下執(zhí)行SOI...
該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,,以保護它們免受損壞,污染,,濕氣和氧化或其他不良化學反應,。陽極鍵合尤其與微機電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關聯(lián),在該行業(yè)中,,陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備,。陽極鍵合的主要優(yōu)點是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,,而無需粘合劑或過高的溫度,,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限,,并且材料組合還存在其他限制,,因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,,否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲,。 而EVG的鍵合機所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,,請點擊:鍵合機,。 以上應...
EVG?850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加,烘焙,將設備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始,。與所有EVG的全自動工具一樣,,設備布局是模塊化的,這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進行優(yōu)化,??蛇x的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺,,因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑,,例如旋涂熱塑性塑料,熱固性材料或膠帶,。晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機,。氮化鎵鍵合機供應商 熔融和混合鍵合系統(tǒng): 熔融或...
EVG?540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機,,設計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝,,3D互連和MEMS應用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設計,,為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案,。特征單室鍵合機,蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計,,并結(jié)合了EVG手動鍵合...
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),,背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū),。 特征: 在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用 通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應用的異質(zhì)集成 支持邏輯縮放,,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),,N&P堆棧,,內(nèi)存邏輯,集...
封裝技術(shù)對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關鍵技術(shù)[1],。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝,。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,,SDB) 技術(shù)[2],。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,,要進行復雜的拋光處理,,這**加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率[3]。旋涂...
Plessey工程副總裁John Whiteman解釋說:“ GEMINI系統(tǒng)的模塊化設計非常適合我們的需求,。在一個系統(tǒng)中啟用預處理,,清潔,對齊(對準)和鍵合,,這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量,。EVG提供的質(zhì)量服務對于快 速有 效地使系統(tǒng)聯(lián)機至關重要?!? EVG的執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner表示:“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術(shù)開發(fā)路線圖和大批量生產(chǎn)計劃,。” 該公告標志著Plessey在生產(chǎn)級設備投 資上的另一個重要里程碑,,該設備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產(chǎn)品推向市場,。 同...
鍵合對準機系統(tǒng) 1985年,隨著世界上di一個雙面對準系統(tǒng)的發(fā)明,,EVG革新了MEMS技術(shù),,并通過分離對準和鍵合工藝在對準晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標準。這種分離導致晶圓鍵合設備具有更高的靈活性和通用性,。EVG的鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,,靈活性和易用性以及模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證,。EVG鍵對準器的精度可滿足蕞苛刻的對準過程,。包含以下的型號:EVG610BA鍵合對準系統(tǒng);EVG620BA鍵合對準系統(tǒng),;EVG6200BA鍵合對準系統(tǒng),;SmartViewNT鍵合對準系統(tǒng);EVG鍵合機軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設計,,注重用戶友好性,,可輕松引導操作員完...
半導體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導體,。它們是正(P)型半導體或負(N)型半導體的臨時形式,。硅晶片是非常常見的半導體晶片,因為硅是當***行的半導體,,這是由于其在地球上的大量供應,。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,,它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃,,以用于切割或切割單個裸片或方形子組件,,這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導體材料或多達整個電路,例如集成電路計算機處理器,。EVG鍵合機軟件,,支持多語言,集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置,,可以簡化用戶常規(guī)操作,。中芯國際鍵合機研發(fā)生產(chǎn)EV...
EVG?301特征 使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進行高/效清潔 單面清潔刷(選件) 用于晶圓清洗的稀釋化學品 防止從背面到正面的交叉污染 完全由軟件控制的清潔過程 選件 帶有紅外檢查的預鍵合臺 非SEMI標準基材的工具 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米 清潔系統(tǒng) 開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標準),,其他清潔介質(zhì)(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),,由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞...
EVG?810LT技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 50-200、100-300毫米 LowTemp?等離子活化室 工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2) 通用質(zhì)量流量控制器:自校準(高達20.000sccm) 真空系統(tǒng):9x10-2mbar 腔室的打開/關閉:自動化 腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上) 可選功能: 卡盤適用于不同的晶圓尺寸 無金屬離子活化 混合氣體的其他工藝氣體 帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力 符合LowTemp?等離...
目前關于晶片鍵合的研究很多,,工藝日漸成熟,,但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差,。 本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,,環(huán)境要求苛刻的問題。 在對金層施加一定的壓力和溫度時,,金層發(fā)生流動,、互 融,從而形成鍵合,。該過程對金的純度要求較高,,即當金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。 業(yè)內(nèi)主流鍵合機使用工藝:黏合劑,,陽極,,直接/熔融,玻璃料,,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮,。EVG850 DB鍵合機三維芯片應...
EVG?510晶圓鍵合機系統(tǒng): 用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設備完全兼容。 特色: EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),,可以處理從碎片到200mm的基板尺寸,。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,,玻璃粉,,焊料,,共晶,瞬態(tài)液相和直接法,。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化,,轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘,。這種多功能性非常適合大學,,研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)應用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設計相同,,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,,可輕松擴大生產(chǎn)規(guī)模。 EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行,。免稅...
EVG?501是晶圓鍵合機系統(tǒng) 應用:適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),,可以處理從單個芯片(碎片)到150mm(200mm鍵合室為200mm)的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,,例如陽極,,玻璃粉,焊料,,共晶,,瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化,,轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘,。這種多功能性是大學,研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇,。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設計相同,,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,可輕松擴大生產(chǎn)規(guī)模,。EVG鍵合機跟應用相對應,,鍵...
半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設備的重要工藝步驟,。然而,,需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸,并*小化鍵合界面處的互連面積,,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設備,。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范,。 imec 3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼Eric Beyne表示:“在imec,,我們相信3D技術(shù)的力量將為半導體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它,?!疤貏e關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合,,在這一方面,我們通過與...
EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng),,屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng),。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,,毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片,。EVG301具有手動加載和預對準功能,是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),,適用于靈活的清潔程序和300mm的能力,。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒,。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,,從而可以輕松設置不同的工藝。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器,,是專門為
ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),,高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底,,堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,,可以針對研發(fā)和高通量,,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去...
EVG501晶圓鍵合機,,先進封裝,,TSV,微流控加工,?;竟δ埽河糜趯W術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于:微流體芯片,,半導體器件處理,,MEMS制造,TSV制作,,晶圓先進封裝等,。 一、簡介: EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),,可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片,。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,,玻璃料,,焊料,,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合,。易于操作的鍵合室和工具設計,,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,,轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘,。這種多功能性非常適合大學,研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn),。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產(chǎn))...
在將半導體晶圓切割成子部件之前,,有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片,這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上,,以激勵,激勵和讀取相關的測試點,。這是一種實用的方法,,因為有缺陷的芯片不會被封裝到蕞終的組件或集成電路中,而只會在蕞終測試時被拒絕,。一旦認為模具有缺陷,,墨水標記就會滲出模具,以便于視覺隔離,。典型的目標是在100萬個管芯中,,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,,因此可以優(yōu)化芯片恢復率,。EVG鍵合機也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑,,可選的鍵合室蓋里具有UV源,。解鍵合鍵合機推薦型號GEMINI自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)集成的模塊化大批量生產(chǎn)系統(tǒng),...
EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米 清潔系統(tǒng) 開室,,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標準),,其他清潔介質(zhì)(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi)) 超音速噴嘴 頻率:1MHz(3MHz選件) 輸出功率:30-60W 去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘 有效清潔區(qū)域:?4.0mm 材質(zhì):聚四氟乙烯 兆聲區(qū)域傳感器 頻率:1MHz(3M...