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真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看,，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì),，因而被普遍應(yīng)用，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧,、氮,、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。真空鍍膜的操作規(guī)程：在離子轟擊和蒸發(fā)時(shí),，應(yīng)特別注意高壓電線(xiàn)接頭,，不得觸動(dòng)，以防觸電,。貴金屬真空鍍膜公司真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組...

在二極濺射中增加一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場(chǎng),，借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來(lái)增強(qiáng)電離效率,，增加離子密度和能量,，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射的過(guò)程。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下沉積在基片上,。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程，和靶原子碰撞,，把部分動(dòng)量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程,。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量,，離開(kāi)靶被濺射出來(lái)。真空鍍膜中離子鍍的鍍層棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù),，不致形成...

原子層沉積技術(shù)和其他薄膜制備技術(shù),。與傳統(tǒng)的薄膜制備技術(shù)相比，原子層沉積技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯,。傳統(tǒng)的溶液化學(xué)方法以及濺射或蒸鍍等物理方法（PVD）由于缺乏表面控制性或存在濺射陰影區(qū),，不適于在三維復(fù)雜結(jié)構(gòu)襯底表面進(jìn)行沉積制膜?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）方法需對(duì)前驅(qū)體擴(kuò)散以及反應(yīng)室溫度均勻性嚴(yán)格控制,，難以滿(mǎn)足薄膜均勻性和薄厚精確控制的要求。相比之下,，原子層沉積技術(shù)基于表面自限制,、自飽和吸附反應(yīng)，具有表面控制性，所制備薄膜具有優(yōu)異的三維共形性,、大面積的均勻性等特點(diǎn),，適應(yīng)于復(fù)雜高深寬比襯底表面沉積制膜，同時(shí)還能保證精確的亞單層膜厚控制,。因此,，原子層沉積技術(shù)在微電子、能源,、信息等領(lǐng)域得到應(yīng)用,。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等...

真空鍍膜：真空蒸鍍基本工藝鍍前處理：包括清洗鍍件和預(yù)處理。具體清洗方法有清洗劑清洗,、化學(xué)溶劑清洗,、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預(yù)處理有除靜電,，涂底漆等,。裝爐：包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發(fā)源安裝,、調(diào)試,、鍍件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6,。6Pa以上,，更早打開(kāi)擴(kuò)散泵的前級(jí)維持真空泵，加熱擴(kuò)散泵,。待預(yù)熱足夠后,，打開(kāi)高閥，用擴(kuò)散泵抽至6×10-3Pa半底真空度,。烘烤：將鍍件烘烤加熱到所需溫度,。離子轟擊：真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負(fù)高壓,，離擊時(shí)間為5min～30min,預(yù)熔：調(diào)整電流使鍍料預(yù)熔,，除氣1min～2min。蒸發(fā)沉積：根據(jù)要求調(diào)整蒸發(fā)電流,，直到所...

為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜,，我們通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜,。通過(guò)理論計(jì)算和性能測(cè)試,，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn)?？紤]Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達(dá)到均勻化的程度，因?yàn)樗仓苯佑绊慉l膜的其它性能,，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能,。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過(guò)程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度,、沉積速度,、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素,。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離,。遼寧真空鍍膜價(jià)錢(qián)真空鍍膜：電子...

基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響，基片溫度高,，使吸附原子的動(dòng)能增大,，跨越表面勢(shì)壘的幾率增多，容易結(jié)晶化,，并使薄膜缺陷減少,，同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少，基片溫度低,，則易形成無(wú)定形結(jié)構(gòu)膜,。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度,。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時(shí)電阻大電流加熱,，采用鎢，鉬,，鉑等高熔點(diǎn)的金屬,。真空鍍膜時(shí)，飛抵基片的氣化原子或分子,，一部分被反射,，一部分被蒸發(fā)離開(kāi)，剩下的要么結(jié)合在一起,，再捕獲其他原子或分子,，使得自己增大；或者單個(gè)原子或分子在基片上自由擴(kuò)散,，逐漸生長(zhǎng),，覆蓋整個(gè)基片，形成鍍膜,。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量真空鍍膜有蒸發(fā)鍍膜形式,。常州...

真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代，四五十年代開(kāi)始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開(kāi)始于20世紀(jì)80年代,，在電子、宇航、包裝,、裝潢,、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),，屬于物理的氣相沉積工藝。因?yàn)殄儗映榻饘俦∧?，故也稱(chēng)真空金屬化,。廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中,，以塑料較為常見(jiàn),，其次，為紙張鍍膜,。相對(duì)于金屬,、陶瓷、木材等材料,，塑料具有來(lái)源充足,、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢(shì),，因此種類(lèi)繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料,，大量應(yīng)用于汽車(chē)...

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面,，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過(guò)程稱(chēng)為濺射,。在真空條件下充入氬氣(Ar)，并在高電壓下使氬氣進(jìn)行輝光放電,，可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+),。氬離子在電場(chǎng)力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材,，靶材會(huì)被濺射出來(lái)而沉積到工件表面,。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱(chēng)作濺射鍍膜,。濺射鍍膜中的入射離子,，一般采用輝光放電獲得，在10-2Pa～10Pa范圍,。真空鍍膜技術(shù)被譽(yù)為較具發(fā)展前途的重要技術(shù)之一,，并已在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展中展現(xiàn)出誘人的市場(chǎng)前景。低壓氣相沉積真空鍍膜公司電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā),。大...

通過(guò)PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問(wèn)題,，不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力,，在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時(shí)存在多種形式的應(yīng)力。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì),、空位,、晶粒邊界,、錯(cuò)位等),、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯(cuò)配等.對(duì)于薄膜應(yīng)力主要有以下原因：1.薄膜生長(zhǎng)初始階段,，薄膜面和界面的表面張力的共同作用,；2.沉積過(guò)程中膜面溫度遠(yuǎn)高于襯底溫度產(chǎn)生熱應(yīng)變；3.薄膜和襯底間點(diǎn)陣錯(cuò)配而產(chǎn)生界面應(yīng)力,；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應(yīng)力,；5.斜入射造成各向異性成核、生長(zhǎng),；6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學(xué)組分改變導(dǎo)致原子體積變化 觀察窗的玻璃較好用鉛玻璃,，觀察時(shí)應(yīng)戴上鉛玻璃眼鏡，...

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種輔助鍍膜方法,。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí),，淀積分子在基板表面不斷受到來(lái)自離子源的荷能離子的轟擊，通過(guò)動(dòng)量轉(zhuǎn)移,，使淀積粒子獲得較大動(dòng)能,，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加,，使得薄膜生長(zhǎng)發(fā)生了根本變化,，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源,、霍爾離子源,。霍爾離子源是近年發(fā)展起來(lái)的一種低能離子源,。這種源沒(méi)有柵極,，陰極在陽(yáng)極上方發(fā)出熱電子，在磁場(chǎng)作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率,，從而提高了電離效率,。正離子因陰極與陽(yáng)極間的電位差而被引出。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高,，發(fā)散角大,，維護(hù)容易。多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜膜層不易脫落,。...

針對(duì)PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度,，有利于薄膜和襯底間原子擴(kuò)散,，并加速反應(yīng)過(guò)程，有利于形成擴(kuò)散附著,，降低內(nèi)應(yīng)力,；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因,，這些缺陷一般都是非平衡缺陷,，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能,。對(duì)薄膜進(jìn)行熱處理,，非平衡缺陷大量消失，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低,；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力,，利用應(yīng)變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜,，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài),，緩解應(yīng)力帶來(lái)的破壞作用，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力 從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離,。?？谡婵斟兡すに嘇LD是一種薄膜形成方法，其中將多種氣相原料（前體）交替暴露于...

真空鍍膜技術(shù)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,，特別是近幾年來(lái),，我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn),。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有極其重要的地位,。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法,、離子注人法,、擴(kuò)散法、電鍍法,、涂布法,、液相生長(zhǎng)法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學(xué)沉積法和放電聚合法等,。本次實(shí)驗(yàn)是使用物理沉積法,，由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進(jìn)行的，因此稱(chēng)它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g(shù),。真空蒸發(fā),、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱(chēng)為物理沉積法,，是基本的薄膜制備技術(shù)。真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中,，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料,，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流,，...

真空鍍膜：在真空中制備膜層,，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體,、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜,。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓,、低壓或等離子體等真空手段,，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,，即蒸發(fā)鍍膜,、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代,，四五十年代開(kāi)始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開(kāi)始于20世紀(jì)80年代，在電子,、宇航,、包裝、裝潢,、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用,。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料）,，屬于物理的氣相沉積工藝,。因?yàn)殄儗映榻饘俦∧ぃ室卜Q(chēng)真空金屬化,。只要鍍上一層真空鍍膜,，就能使材料具有許多新的、良好的物...

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中,，直接利用電子束加熱,，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向,。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn),，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法,。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外,，這樣不但簡(jiǎn)化了真空室內(nèi)部的空間布置,，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對(duì)被鍍材料的污染,，達(dá)到了膜層純潔的目的,。此外，激光加熱可以達(dá)到極高的溫度,，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M(jìn)行快速蒸發(fā),。這對(duì)于保證膜的成分，防止膜的分...

真空鍍膜：真空蒸鍍基本工藝鍍前處理：包括清洗鍍件和預(yù)處理,。具體清洗方法有清洗劑清洗,、化學(xué)溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等,。具體預(yù)處理有除靜電,，涂底漆等。裝爐：包括真空室清理及鍍件掛具的清洗,，蒸發(fā)源安裝,、調(diào)試、鍍件褂卡,。抽真空：一般先粗抽至6,。6Pa以上，更早打開(kāi)擴(kuò)散泵的前級(jí)維持真空泵,，加熱擴(kuò)散泵,。待預(yù)熱足夠后，打開(kāi)高閥,，用擴(kuò)散泵抽至6×10-3Pa半底真空度,。烘烤：將鍍件烘烤加熱到所需溫度。離子轟擊：真空度一般在10Pa～10-1Pa,，離子轟擊電壓200V～1kV負(fù)高壓,，離擊時(shí)間為5min～30min,預(yù)熔：調(diào)整電流使鍍料預(yù)熔，除氣1min～2min,。蒸發(fā)沉積：根據(jù)要求調(diào)整蒸發(fā)電流,，直到所...

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材,，通入一定比例的N2,，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,，反應(yīng)能得到SiNx薄膜,。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過(guò)改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整,，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整,。但反應(yīng)氣體過(guò)量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒,。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量,；3.使用孿生靶交替濺射,；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線(xiàn),，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式。物理的氣相沉積技術(shù)是真空鍍膜技術(shù)的...

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法,。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看,，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被普遍應(yīng)用,，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧,、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果,。湖南真空鍍膜服務(wù)價(jià)格所謂的原子層沉積技術(shù),，是指通過(guò)將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室...

真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴(yán)格的監(jiān)控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優(yōu)點(diǎn)在于能生長(zhǎng)極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結(jié)構(gòu)器件,從而為制作集成光學(xué)和超大規(guī)模集成電路提供了有力手段,。利用反應(yīng)分子束外延法制備TiO2薄膜時(shí),不需要考慮中間的化學(xué)反應(yīng),又不受質(zhì)量傳輸?shù)挠绊?并且利用開(kāi)閉擋板(快門(mén))來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)生長(zhǎng)和中斷的瞬時(shí)控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調(diào)整,。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優(yōu)點(diǎn)。真空鍍膜的操作規(guī)程：在用電...

離子輔助鍍膜是在真空熱蒸發(fā)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種輔助鍍膜方法,。當(dāng)膜料蒸發(fā)時(shí),，淀積分子在基板表面不斷受到來(lái)自離子源的荷能離子的轟擊，通過(guò)動(dòng)量轉(zhuǎn)移,，使淀積粒子獲得較大動(dòng)能,，提高了淀積粒子的遷移率，從而使膜層聚集密度增加,，使得薄膜生長(zhǎng)發(fā)生了根本變化,，使薄膜性能得到了改善。常用的離子源有克夫曼離子源,、霍爾離子源,。霍爾離子源是近年發(fā)展起來(lái)的一種低能離子源,。這種源沒(méi)有柵極,，陰極在陽(yáng)極上方發(fā)出熱電子,，在磁場(chǎng)作用下提高了電子碰撞工作氣體的幾率，從而提高了電離效率,。正離子因陰極與陽(yáng)極間的電位差而被引出,。離子能量一般很低（50-150eV），但離子流密度較高,，發(fā)散角大,，維護(hù)容易。真空鍍膜中離子鍍的鍍層無(wú)氣泡,。連云港...

電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法,，它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問(wèn)題。同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝,，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā),，沉積多種不同的物質(zhì)。通過(guò)電子束蒸發(fā),，任何材料都可以被蒸發(fā),，不同材料需要采用不同類(lèi)型的坩堝以獲得所要達(dá)到的蒸發(fā)速率。在高真空下,，電子燈絲加熱后發(fā)射熱電子,，被加速陽(yáng)極加速，獲得很大的動(dòng)能轟擊到的蒸發(fā)材料上,，把動(dòng)能轉(zhuǎn)化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化,，而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極,、電子加速極和作為陽(yáng)極的鍍膜材料組成,。電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中，使鍍膜材料局部達(dá)到高溫而蒸發(fā),。通過(guò)調(diào)節(jié)電子束的功率,，可以方便的控制...

原子層沉積過(guò)程由A,、B兩個(gè)半反應(yīng)分四個(gè)基元步驟進(jìn)行：1）前驅(qū)體A脈沖吸附反應(yīng)；2）惰氣吹掃多余的反應(yīng)物及副產(chǎn)物,；3）前驅(qū)體B脈沖吸附反應(yīng),；4）惰氣吹掃多余的反應(yīng)物及副產(chǎn)物，然后依次循環(huán)從而實(shí)現(xiàn)薄膜在襯底表面逐層生長(zhǎng),?；谠訉映练e的原理，利用原子層沉積制備高質(zhì)量薄膜材料，三大要素必不可少：1）前驅(qū)體需滿(mǎn)足良好的揮發(fā)性,、足夠的反應(yīng)活性以及一定熱穩(wěn)定性,，前驅(qū)體不能對(duì)薄膜或襯底具有腐蝕或溶解作用；2）前驅(qū)體脈沖時(shí)間需保證單層飽和吸附,；3）沉積溫度應(yīng)保持在ALD窗口內(nèi),，以避免因前驅(qū)體冷凝或熱分解等引發(fā)CVD生長(zhǎng)從而使得薄膜不均勻?；瘜W(xué)氣相沉積是真空鍍膜技術(shù)的一種,。海口UV真空鍍膜真空鍍膜：反應(yīng)性離子鍍...

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,，比起一般的電阻加熱蒸發(fā)熱效率高,、束流密度大、蒸發(fā)速度快,，制成的薄膜純度高,、質(zhì)量好，厚度可以較準(zhǔn)確地控制,，可以普遍應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜,。電子束蒸發(fā)的特點(diǎn)是不會(huì)或很少覆蓋在目標(biāo)三維結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，通常只會(huì)沉積在目標(biāo)表面,。這是電子束蒸發(fā)和濺射的區(qū)別,。常見(jiàn)于半導(dǎo)體科研工業(yè)領(lǐng)域。利用加速后的電子能量打擊材料標(biāo)靶,，使材料標(biāo)靶蒸發(fā)升騰,。較終沉積到目標(biāo)上。真空鍍膜：一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù),。中山光學(xué)真空鍍膜真空鍍膜：隨著沉積方法和技術(shù)的提升，物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜,、合金膜,、還可以沉積化合物、陶瓷,、半導(dǎo)體,、聚合物膜等。物理的氣相沉...

真空鍍膜的方法很多,，計(jì)有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達(dá)到約13,。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,，凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),，保持壓強(qiáng)約1,。33～13。3Pa,，然后將陰極接上2000V的直流電源,，便激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極,，使其射出原子,，濺射出的原子通過(guò)惰性氣氛沉積到基體上形成膜?；瘜W(xué)氣相沉積：通過(guò)熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物,，獲得沉積薄膜的過(guò)程。離子鍍：實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合,，兼有兩者的工藝特點(diǎn),。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。茂名真空鍍膜...

電子束蒸發(fā)是目前真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法,，它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問(wèn)題,。同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā),，沉積多種不同的物質(zhì),。通過(guò)電子束蒸發(fā)，任何材料都可以被蒸發(fā),，不同材料需要采用不同類(lèi)型的坩堝以獲得所要達(dá)到的蒸發(fā)速率,。在高真空下，電子燈絲加熱后發(fā)射熱電子,，被加速陽(yáng)極加速,，獲得很大的動(dòng)能轟擊到的蒸發(fā)材料上，把動(dòng)能轉(zhuǎn)化成熱使蒸發(fā)材料加熱氣化,，而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜,。電子束蒸發(fā)源由發(fā)射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽(yáng)極的鍍膜材料組成,。電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中,，使鍍膜材料局部達(dá)到高溫而蒸發(fā)。通過(guò)調(diào)節(jié)電子束的功率,，可以方便的控制...

熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同,，她是通過(guò)氧氣或水蒸氣擴(kuò)散到硅表面并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。熱氧化形成氧化硅時(shí),，會(huì)消耗相當(dāng)于氧化硅膜厚的45%的硅,。熱氧化氧化過(guò)程主要分兩個(gè)步驟：步驟一：氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面,，步驟二：氧氣或者水蒸氣等擴(kuò)散到硅表面，步驟三：氧氣或者水蒸氣等與硅反應(yīng)生成氧化硅,。熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化,，干法氧化是在硅片表面通入氧氣,，硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅，氧化速率比較慢,，氧化膜厚容易控制,。濕法氧化在爐管當(dāng)中通入氧氣和氫氣，兩者反應(yīng)生長(zhǎng)水蒸氣,，水蒸氣與硅片表面反應(yīng)生長(zhǎng)氧化硅,，濕法氧化，速率比較快,，可以生長(zhǎng)比較厚...

常用的薄膜制備方式主要有兩種,，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜,、電子束蒸發(fā)鍍膜,、熱阻蒸發(fā)等。另一種是化學(xué)法氣相沉積（CVD）,，主要有常壓CVD,、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強(qiáng)沉積法）等方法,。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學(xué)清洗（材料進(jìn)行有機(jī)清洗和無(wú)機(jī)清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過(guò)渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）,。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)的一種。吉林真空鍍膜價(jià)格磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischa...

為了獲得性能良好的半導(dǎo)體電極Al膜,，我們通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù),，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過(guò)理論計(jì)算和性能測(cè)試,，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點(diǎn),。考慮Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小,，密度以及能達(dá)到均勻化的程度，因?yàn)樗仓苯佑绊慉l膜的其它性能,，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能,。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過(guò)程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度,、沉積速度,、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間(或決定于裝料量),，并與源和基片的距離有...

真空鍍膜：離子鍍膜法：離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下,，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離,，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下,、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨稀８鶕?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類(lèi)型的離子鍍膜方式,。膜材的氣化方式有電阻加熱,、電子束加熱、等離子電子束加熱,、高頻感應(yīng)加熱,、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和啟動(dòng)方式有：輝光放電型,、電子束型,、熱電子型、等離子電子束型,、多弧型及高真空電弧放電型,，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合,。目前比較常用的組合方式有：真空鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶...

真空鍍膜的方法：離子鍍：總體來(lái)說(shuō)比較常用的有:直流放電二極型,、多陰極型、活性反應(yīng)蒸鍍(ARE),、空心陰極放電離子鍍(HCD),、射頻放電離子鍍(RFIP)、增強(qiáng)的ARE型,、低壓等離子型離子鍍(LP-PD),、電場(chǎng)蒸發(fā)、感應(yīng)加熱離子鍍,、多弧離子鍍,、電弧放電型高真空離子鍍、離化團(tuán)束鍍等,。由于離子鍍膜層具有非常優(yōu)良的性能,所以越來(lái)越受到人們的重視,特別是離子鍍TiN,、TiC在工具、模具的超硬鍍膜,、裝飾鍍膜等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越普遍,并將占據(jù)越來(lái)越重要的地位,。在鐘表行業(yè),因?yàn)殁仧o(wú)毒無(wú)污染,與人體皮膚接觸,不會(huì)引起過(guò)敏等不良反應(yīng),在表帶上沉積一層鈦膜還能起到表面裝飾的作用,可以做成金黃、黑色,、灰色,、紅棕色,、橙色...

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬,、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法,。例如，真空鍍鋁,、真空鍍鉻等,。真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ),，利用物理或化學(xué)方法,，并吸收電子束、分子束,、離子束,、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù),，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝,。簡(jiǎn)單地說(shuō)，在真空中把金屬,、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射,，使其在被涂覆的物體（稱(chēng)基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法,，稱(chēng)為真空鍍膜,。蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱(chēng)為離子鍍,。湛江光學(xué)真空鍍膜真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真...