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原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術(shù),，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy,，ALE）技術(shù)，是一種基于有序,、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù),。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀(jì)六七十年代，由前蘇聯(lián)科學(xué)家Aleskovskii和Koltsov報道,，隨后,，基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對高質(zhì)量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善,。然而,，受限于其復(fù)雜的表面化學(xué)過程等因素，原子層沉積技術(shù)在開始并沒有取得較大發(fā)展,，直到上世紀(jì)九十年代,，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的興起，對各種元器件尺寸,，集成度等方面的要求越來越高,，原子層沉積技術(shù)才迎來發(fā)展的黃金階段...

電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)的區(qū)別在于：電子束蒸發(fā)是用一束電子轟擊物體，產(chǎn)生高能量進行蒸發(fā),， 熱蒸發(fā)通過加熱完成這一過程,。與熱蒸發(fā)相比，電子束蒸發(fā)提供了高能量,；但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的,。在這種情況下，帶有厚度監(jiān)控器的良好熱蒸發(fā)器將更合適,。 與熱蒸發(fā)相比,，電子束蒸發(fā)具有許多優(yōu)點 1、電子束蒸發(fā)可以將材料加熱到比熱蒸發(fā)更高的溫度,。這允許高溫材料和難熔金屬（例如鎢、鉭或石墨）的非常高的沉積速率和蒸發(fā),。 2,、電子束蒸發(fā)可以沉積更薄、純度更高的薄膜,。坩堝的水冷將電子束加熱嚴(yán)格限制在由源材料占據(jù)的區(qū)域,，從而消除了相鄰組件的任何不必要的污染。 3,、電子束蒸發(fā)源有各種尺寸和配置,，包括單腔或多腔。真空...

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善,，無污染,，耗材少，成膜均勻致密,，與基體的結(jié)合力強,。該技術(shù)普遍應(yīng)用于航空航天、電子,、光學(xué),、機械、建筑,、輕工,、冶金、材料等領(lǐng)域,，可制備具有耐磨,、耐腐蝕、裝飾,、導(dǎo)電,、絕緣、光導(dǎo),、壓電,、磁性、潤滑,、超導(dǎo)等特性的膜層,。隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展，物理的氣相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進的亮點,，如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù),，大型矩形長弧靶和濺射靶，非平衡磁控濺射靶,，孿生靶技術(shù),，帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù)，條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等,，使用的鍍層成套設(shè)備,，向計算機全自動，大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展,。真空鍍膜的操作規(guī)程：鍍制多層介質(zhì)膜的鍍膜間,，應(yīng)安裝通風(fēng)吸塵裝置，及...

真空鍍膜：在真空中制備膜層,，包括鍍制晶態(tài)的金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓,、低壓或等離子體等真空手段,，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,，即蒸發(fā)鍍膜,、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代,，四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀(jì)80年代，在電子,、宇航,、包裝、裝潢,、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用,。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料）,，屬于物理的氣相沉積工藝,。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化,。真空鍍膜的操作規(guī)程：酸洗夾具應(yīng)在通風(fēng)裝置內(nèi)進行,，并要戴...

真空鍍膜：隨著沉積方法和技術(shù)的提升，物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜,、合金膜,、還可以沉積化合物、陶瓷,、半導(dǎo)體,、聚合物膜等。物理的氣相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用,，但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),，并向著環(huán)保型、清潔型趨勢發(fā)展,。在鐘表行業(yè),，尤其是較好手表金屬外觀件的表面處理方面達到越來越為普遍的應(yīng)用。物理的氣相沉積技術(shù)基本原理可分三個工藝步驟：鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā),，升華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源,。鍍料原子,、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子,、分子或離子經(jīng)過碰撞后，產(chǎn)生多種反應(yīng),。鍍料原子,、分子或離子在基體上沉積。真空鍍膜鍍層繞鍍能力強,。石家莊真空鍍膜廠磁控濺射的工作...

真空鍍膜：技術(shù)優(yōu)點：鍍層附著性能好：普通真空鍍膜時,，在工件表面與鍍層之間幾乎沒有連接的過渡層，好似截然分開,。而離子鍍時,，離子高速轟擊工件時，能夠穿透工件表面,，形成一種注入基體很深的擴散層,，離子鍍的界面擴散深度可達四至五微米，對離子鍍后的試件作拉伸試驗表明,，一直拉到快要斷裂時,，鍍層仍隨基體金屬一起塑性延伸，無起皮或剝落現(xiàn)象發(fā)生,可見附著多么牢固,，膜層均勻,，致密。繞鍍能力強：離子鍍時,，蒸發(fā)料粒子是以帶電離子的形式在電場中沿著電力線方向運動,，因而凡是有電場存在的部位，均能獲得良好鍍層,，這比普通真空鍍膜只能在直射方向上獲得鍍層優(yōu)越得多,。因此，這種方法非常適合于鍍復(fù)零件上的內(nèi)孔,、凹槽和窄縫,。等其他方法難...

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE)。利用電子束加熱使膜材氣化,；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣,、氮氣、乙炔等反應(yīng)氣體離化,。這種方法的特點是：基板溫升小,，要對基板加熱，蒸鍍效率高,，能獲得三氧化鋁,、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜,；可用于鍍機械制品,、電子器件,、裝飾品?？招年帢O離子鍍(HCD),。利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體,、反應(yīng)氣體離化,。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱,，離化率高,，電子束斑較大，能鍍金屬膜,、介質(zhì)膜,、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層,、機械制品...

真空鍍膜：等離子體鍍膜：在物理的氣相沉積中通常采用冷陰極電弧蒸發(fā),，以固體鍍料作為陰極，采用水冷使冷陰極表面形成許多亮斑,，即陰極弧斑,。弧斑就是電弧在陰極附近的弧根,。在真空條件下,，用引弧針引弧，使真空金壁(陽極)和鍍材(陰極)之間進行弧光放電,，陰極表面快速移動著多個陰極弧斑,，不斷迅速蒸發(fā)甚至“異華”鍍料，使之電離成以鍍料為主要成分的電弧等離子體,，并能迅速將鍍料沉積于基體,。在極小空間的電流密度極高，弧斑尺寸極小,，估計約為1μm～100μm,，電流密度高達105A/cm2～107A/cm2。真空鍍膜技術(shù)有真空束流沉積鍍膜,。重慶UV真空鍍膜真空鍍膜：隨著沉積方法和技術(shù)的提升,，物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金...

真空鍍膜技術(shù)在國民經(jīng)濟各個領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，特別是近幾年來,，我國國民經(jīng)濟的迅速發(fā)展,、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn)。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有極其重要的地位,。制膜方法可以分為氣相生成法,、氧化法,、離子注人法、擴散法,、電鍍法、涂布法,、液相生長法等,。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學(xué)沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法,，由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進行的,，因此稱它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g(shù)。真空蒸發(fā),、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法,，是基本的薄膜制備技術(shù)。真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中,，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料,，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流,，...

針對PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度,，有利于薄膜和襯底間原子擴散，并加速反應(yīng)過程,，有利于形成擴散附著,，降低內(nèi)應(yīng)力；2.熱退火處理,，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因,，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向,，但需要外界給予活化能,。對薄膜進行熱處理，非平衡缺陷大量消失,，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低,；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力，利用應(yīng)變相消原理,，在薄膜層之間再沉積一層薄膜,，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài)，緩解應(yīng)力帶來的破壞作用,，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力 真空鍍膜中離子鍍的鍍層組織致密,、無小孔、無氣泡,、厚度均勻,。成都來料真空鍍膜真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在射頻電壓下,利用電...

所謂的原子層沉積技術(shù),，是指通過將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續(xù)化學(xué)反應(yīng)的薄膜形成技術(shù),?；瘜W(xué)氣相沉積：1個是分類的（CVD的化學(xué)氣相沉積）。在許多情況下,，ALD是使用兩種稱為前體的化學(xué)物質(zhì)執(zhí)行的,。每種前體以連續(xù)和自我控制的方式與物體表面反應(yīng)。通過依次重復(fù)對每個前體的曝光來逐漸形成薄膜,。ALD是半導(dǎo)體器件制造中的重要過程,，部分設(shè)備也可用于納米材料合成。真空鍍膜中濺射鍍膜有很多種方式,。銅川小家電真空鍍膜真空鍍膜：反應(yīng)性離子鍍：如果采用電子束蒸發(fā)源蒸發(fā),，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導(dǎo)入...

真空鍍膜：等離子體增強化學(xué)氣相沉積：在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法,。等離子體增強化學(xué)氣相沉積是：在化學(xué)氣相沉積中,，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體,，增強反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性,，從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜,。例如在一個反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上,，通入反應(yīng)氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度,，以某種方式產(chǎn)生輝光放電,，基體表面附近氣體電離，反應(yīng)氣體得到活化,，同時基體表面產(chǎn)生陰極濺射,，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學(xué)反應(yīng),，還存在著復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng),。沉積膜就是在這兩種化學(xué)反應(yīng)的...

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點材料,，跟常規(guī)金屬蒸鍍,，蒸鍍方式需有所蓋上。根據(jù)之前的鍍膜經(jīng)驗,，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進,。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中，因為水冷坩堝導(dǎo)熱過快，材料難以達到其蒸發(fā)的溫度,。經(jīng)過實驗的驗證,，蒸發(fā)高熔點的材料可以采用材料薄片來蒸鍍,，如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿,，材料只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱，減緩散熱速率,，有利于達到蒸發(fā)的熔點,。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。真空鍍膜機真空壓鑄鈦鑄件的方法與標(biāo)準(zhǔn)的壓鑄工藝一樣,。珠海UV光固化真空鍍膜真空鍍膜：電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點材料，比起一般的電阻加熱蒸發(fā)熱效率高,、束流密度大,、蒸發(fā)速度快，制...

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單,，對環(huán)境改善，無污染,，耗材少,，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強,。該技術(shù)普遍應(yīng)用于航空航天,、電子、光學(xué),、機械,、建筑、輕工,、冶金,、材料等領(lǐng)域，可制備具有耐磨,、耐腐蝕,、裝飾、導(dǎo)電,、絕緣,、光導(dǎo)、壓電,、磁性,、潤滑、超導(dǎo)等特性的膜層。隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展,，物理的氣相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進的亮點,，如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù)，大型矩形長弧靶和濺射靶,，非平衡磁控濺射靶,，孿生靶技術(shù)，帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù),，條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等,，使用的鍍層成套設(shè)備，向計算機全自動,，大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展,。多弧離子真空鍍膜機鍍膜還會在電廠的作用下沉積在具有負(fù)電壓基體表面的...

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化,；被鍍基體作為陰極,，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點是：基板溫升大,、繞射性好,、附著性好，膜結(jié)構(gòu)及形貌差,，若用電子束加熱必須用差壓板,；可用于鍍耐腐蝕潤滑機械制品。多陰極型,。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化,；依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化,。這種方法的特點是：基板溫升小,，有時需要對基板加熱；可用于鍍精密機械制品,、電子器件裝飾品,。源或靶的不斷改進，擴大了真空鍍膜材料的選用范圍,。山西真空鍍膜實驗室真空鍍膜：真空蒸...

真空鍍膜技術(shù)在國民經(jīng)濟各個領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,，特別是近幾年來，我國國民經(jīng)濟的迅速發(fā)展,、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn),。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法,、氧化法,、離子注人法、擴散法,、電鍍法、涂布法,、液相生長法等,。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學(xué)沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法,，由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進行的,，因此稱它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g(shù)。真空蒸發(fā),、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法,，是基本的薄膜制備技術(shù)。真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中,，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出,，形成蒸氣流,，...

等離子體化學(xué)氣相沉積法，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),，使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行,。優(yōu)點是：反應(yīng)溫度降低，沉積速率較快,，成膜質(zhì)量好,，不容易破裂。缺點是：設(shè)備投資大,、對氣管有特殊要求,。PECVD，等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,，使局部形成等離子體,，而等離子體化學(xué)活性很強，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng),，在襯底上沉積出所期待的薄膜,。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng),，因此,，這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積。離子鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。寧波光學(xué)真空鍍膜磁控濺射由于其優(yōu)點應(yīng)用日趨增長,成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一,相應(yīng)的...

真空鍍膜：近些年來出現(xiàn)的新方法：除蒸發(fā)法和濺射法外,，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點,，取長補短，發(fā)展出一些新的方法,，如：等離子體束濺射等,。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面,，具有其它手段無可比擬的優(yōu)點,。高效率等離子體濺射(HighTargetUtilizationPlasmaSputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈,、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統(tǒng),。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。該等離子體束在電磁場的作用下被引導(dǎo)到靶上,，在靶的表面形成高密度等離子體,。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現(xiàn)高效可控的等...

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù),。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子,、分子或使其離化為離子,，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,，它利用某種物理過程,，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,，實現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程,。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好,、薄膜均勻致密,、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍,、濺射范圍寬,、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點,。真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果,。光學(xué)真空鍍膜真空...

真空鍍膜：真空蒸發(fā)鍍膜法：真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下,，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進入氣相,，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜,；由于環(huán)境是真空，因此,，無論是金屬還是非金屬,，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù),，其特點是：設(shè)備相對簡單,，沉積速率快，膜層純度高,，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣,，鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化，應(yīng)用相當(dāng)普遍,。按蒸發(fā)源的不同,，主要分為：電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā),、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等,。真空鍍膜在所有被鍍材料中，以塑料較為常見,。湛江真空鍍膜廠真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在射頻電壓下,利用電子和離子運動特征的不同,在靶表面感應(yīng)出負(fù)...

影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒,。反應(yīng)濺射工藝進行過程中靶表面濺射區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程,。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加,。在一定功率的情況下,，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加,。如果反應(yīng)氣體量增加過度,，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量,，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,，靶完全中毒,，不能繼續(xù)濺射真空鍍膜中真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。潮州真空鍍膜廠針對PVD制備薄膜...

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：活性反應(yīng)蒸鍍法(ABE),。利用電子束加熱使膜材氣化,；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣,、乙炔等反應(yīng)氣體離化,。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱,，蒸鍍效率高,，能獲得三氧化鋁、氮化鈦(TiN),、碳化鈦(TiC)等薄膜,；可用于鍍機械制品、電子器件,、裝飾品,。空心陰極離子鍍(HCD),。利用等離子電子束加熱使膜材氣化,；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應(yīng)氣體離化,。這種方法的特點是：基板溫升小,，要對基板加熱，離化率高,，電子束斑較大,，能鍍金屬膜、介質(zhì)膜,、化合物膜,；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品...

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間,，爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點處的鍍料,，蒸發(fā)離化后的金屬離子，在陰極表面也會產(chǎn)生新的弧斑,，許多弧斑不斷產(chǎn)生和消失,，所以又稱多弧蒸發(fā)。較早設(shè)計的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源,，是在陰極背后配置磁場,，使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應(yīng)效應(yīng)，有利于離子增大能量轟擊量體,，采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜,，離化率較高,，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產(chǎn)生多弧斑,，所以也稱多弧蒸發(fā)離化過程,。源或靶的不斷改進，擴大了真空鍍膜材料的選用范圍,。大連真空鍍膜廠真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜有很多種方式,。按電極結(jié)構(gòu)、電極相對位置以及濺射的過程,可以分為二極...

真空鍍膜：電阻加熱蒸發(fā)法：電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢,、鉬等高熔點金屬,，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料,，讓電流通過,，對蒸發(fā)材料進行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進行間接加熱蒸發(fā),。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡單,、造價便宜、使用可靠,，可用于熔點不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜,，尤其適用于對膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝,。電阻加熱方式的缺點是：加熱所能達到的較高溫度有限,，加熱器的壽命也較短。近年來,，為了提高加熱器的壽命,，國內(nèi)外已采用壽命較長的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。真空鍍膜的鍍層質(zhì)量好,。遼寧納米涂層真空鍍膜電子束...

PECVD（等離子體增強化學(xué)氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,，就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,，可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層,，來提高器件的可靠性,。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣,，氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對器件有一定的要求,，因為工藝溫度比較高,，所以器件需要耐高溫，高溫烘烤下不能變形,。真空鍍膜在鋼材,、鎳,、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材,、鈾,、金剛石等材料的耐腐蝕性能。PVD真空鍍膜機真空鍍膜：電子束蒸發(fā)是真空蒸鍍的一種方式,，它是...

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發(fā)射出來,進而在基片上沉積的技術(shù),。在濺射鍍鈦的實驗中,電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而由于離子在電場下易于加速并獲得較大動能,所以一般是用Ar+作為轟擊粒子,。與傳統(tǒng)的蒸發(fā)鍍膜相比,濺射鍍膜可以在低溫,、低損傷的條件下實現(xiàn)高速沉積、附著力較強,、制取高熔點物質(zhì)的薄膜,在大面積連續(xù)基板上可以制取均勻的膜層,。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術(shù),因此應(yīng)用十分普遍。真空鍍膜是一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù),。納米涂層真空鍍膜廠原子層沉積(atomiclayer depositi...

ALD是一種薄膜形成方法,，其中將多種氣相原料（前體）交替暴露于基板表面以形成膜。與CVD不同,，不同類型的前驅(qū)物不會同時進入反應(yīng)室,，而是作為單獨的步驟引入（脈沖）和排出（吹掃）。在每個脈沖中,，前體分子在基材表面上以自控方式起作用,，并且當(dāng)表面上不存在可吸附位時，反應(yīng)結(jié)束,。因此,，一個周期中的產(chǎn)品成膜量由前體分子和基板表面分子如何化學(xué)鍵合來定義。因此,，通過控制循環(huán)次數(shù),，可以在具有任意結(jié)構(gòu)和尺寸的基板上形成高精度且均勻的膜。真空鍍膜技術(shù)有化學(xué)氣相沉積鍍膜,。來料真空鍍膜機真空鍍膜：眾所周知,，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜,，就能使材料具有許多新的,、良好的物理和化學(xué)性能。20世紀(jì)70年代,，在物體表面上鍍...

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中,，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜,，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向,。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點,，特別適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法,。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外,，這樣不但簡化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣,，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對被鍍材料的污染,，達到了膜層純潔的目的。此外,，激光加熱可以達到極高的溫度,，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M行快速蒸發(fā)。這對于保證膜的成分,，防止膜的分...

真空鍍膜：離子鍍：離子鍍基本原理是在真空條件下,，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子,，同時產(chǎn)生許多高能量的中性原子,，在被鍍基體上加負(fù)偏壓。這樣在深度負(fù)偏壓的作用下,，離子沉積于基體表面形成薄膜,。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發(fā)離子化,，離子經(jīng)電場加速,，以較高能量轟擊工件表面，此時如通入二氧化碳,、氮氣等反應(yīng)氣體,，便可在工件表面獲得TiC、TiN覆蓋層,，硬度高達2000HV,。離子鍍技術(shù)較早在1963年由D。M,。Mattox提出,。1972年，Bunshah&Juntz推出活性反應(yīng)蒸發(fā)離子鍍(AREIP),，該方法可以沉積TiN,、TiC等超硬膜。1972年Moley&S...

基片溫度對薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響,，基片溫度高,，使吸附原子的動能增大,，跨越表面勢壘的幾率增多,，容易結(jié)晶化,，并使薄膜缺陷減少，同時薄膜內(nèi)應(yīng)力也會減少,，基片溫度低,，則易形成無定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大,，所以實驗時必須控制好蒸發(fā)源溫度,。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時電阻大電流加熱，采用鎢,，鉬,，鉑等高熔點的金屬。真空鍍膜時,，飛抵基片的氣化原子或分子,，一部分被反射，一部分被蒸發(fā)離開,，剩下的要么結(jié)合在一起,，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大,；或者單個原子或分子在基片上自由擴散,，逐漸生長，覆蓋整個基片,，形成鍍膜,。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量真空鍍膜鍍料的氣化：即通入交...