无码人妻久久一区二区三区蜜桃_日本高清视频WWW夜色资源_国产AV夜夜欢一区二区三区_深夜爽爽无遮无挡视频,男人扒女人添高潮视频,91手机在线视频,黄页网站男人的天,亚洲se2222在线观看,少妇一级婬片免费放真人,成人欧美一区在线视频在线观看_成人美女黄网站色大免费的_99久久精品一区二区三区_男女猛烈激情XX00免费视频_午夜福利麻豆国产精品_日韩精品一区二区亚洲AV_九九免费精品视频 ,性强烈的老熟女

Ziptronix Inc. 與 EV Group（簡稱“EVG ”）***宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度,。方法是在 EVG Gemini FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView NT 鍵合對準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術(shù),。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器,、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC),。 Ziptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,，只需要可進(jìn)行測量的適當(dāng)?shù)膶?zhǔn)和布局工具，而這是之前一直未能解決的...

EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要,。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作,。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合,，但為了與夾層結(jié)合,，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機(jī)軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì),，注重用戶友好性,，并可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。多語言支持,，單個(gè)用戶帳戶設(shè)置和集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù),，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠(yuǎn)程通信,。因此,，我們的服務(wù)包括通過安全連接，電話或電子郵件,，對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗(yàn)證的,，實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和排除故障,。EVG經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程師隨時(shí)...

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,，以微裝配平臺與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,，環(huán)境要求苛刻的問題,。高低溫循環(huán)測試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低,、容易實(shí)現(xiàn)圖形化,、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。晶圓級涂層,、封裝,，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,，如SOI（絕緣體上硅）,。臺積電鍵合機(jī)樣...

晶圓級封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,，封裝和測試的集成,，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本,。 晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本,。然而,，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中,。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸,，尤其是減小封裝高度。 岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī),，可以實(shí)現(xiàn)晶圓級封裝的功能,。 EVG的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。GEMINI FB鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,，以采用 T...

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,，以保護(hù)它們免受損壞，污染,，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng),。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián),，在該行業(yè)中，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備,。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度,，而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制,，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,，它們在加熱時(shí)需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲,。 而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,，如果需要了解，請點(diǎn)擊：鍵合機(jī),。 根據(jù)鍵...

EVG501晶圓鍵合機(jī),，先進(jìn)封裝，TSV,，微流控加工,。基本功能：用于學(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng),。適用于：微流體芯片,，半導(dǎo)體器件處理，MEMS制造,，TSV制作,，晶圓先進(jìn)封裝等。 一,、簡介： EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),，可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,，如陽極,，玻璃料，焊料,，共晶,，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),，讓用戶能快速,，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘,。這種多功能性非常適合大學(xué),，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn),。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))...

EVG?850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料,。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜,。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此,，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝,。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng),，已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于G...

一旦認(rèn)為模具有缺陷,，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,，以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個(gè)管芯中,，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的,。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率,。 質(zhì)量體系確保模具的回收率很高,。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源,。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,，不對邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本。 半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī),。 EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合,、共熔鍵合,、黏合劑鍵合、熱壓鍵合,。絕緣體上的硅鍵合機(jī)優(yōu)惠價(jià)格...

EVG?850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動(dòng)解鍵合,，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中，經(jīng)過處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗,，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐,。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機(jī)械剝離,。使用所有解鍵合方法,，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓,。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的,，彎曲和翹曲的晶片 自動(dòng)清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)30...

1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,、對環(huán)境要求苛刻的問題,。 2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境,，且具有工藝溫度低,，容易實(shí)現(xiàn)圖 形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn),。 3) 由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想,，還需對工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn),，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率,。 EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI，支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝,。中國臺灣低溫鍵合機(jī)對準(zhǔn)晶圓鍵合是...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,，鍵合效果很差,。 本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題,。 在對金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動(dòng)、互 融,，從而形成鍵合,。該過程對金的純度要求較高，即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會(huì)影響鍵合質(zhì)量,。 EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性,、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。官方授權(quán)經(jīng)銷鍵合機(jī)代理價(jià)格 EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù) ...

EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng),，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng),。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動(dòng)化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個(gè)清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速,，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項(xiàng)來清洗晶片,。EVG301具有手動(dòng)加載和預(yù)對準(zhǔn)功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力,。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準(zhǔn)和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒,。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,，從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù),。RF濾波器鍵合機(jī)有哪些品牌 EVG?610BA鍵對準(zhǔn)系統(tǒng) 適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對晶圓對準(zhǔn)的手動(dòng)鍵...

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,，可快速排空，快速加熱和冷卻,。通過控制溫度,，壓力,，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程,。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源,。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行,。頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性,。在不需要重新配置硬件的情況下,，可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。 以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持,。 EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì),，注重用戶友好性，可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟,。碳化硅鍵合機(jī)...

鍵合對準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年,，隨著世界上di一個(gè)雙面對準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù),，并通過分離對準(zhǔn)和鍵合工藝在對準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,，靈活性和易用性以及模塊化升級功能,，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證,。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對準(zhǔn)過程。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),；EVG620BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),；EVG6200BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),；EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過遠(yuǎn)程通信的,。EVG850 TB鍵合機(jī)售后服務(wù) SmartVi...

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動(dòng)無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng)，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上,。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶,。利用沖壓技術(shù),，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān),。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng),，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG?850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn)...

SmartView?NT自動(dòng)鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于通用對準(zhǔn),。 全自動(dòng)鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),，采用微米級面對面晶圓對準(zhǔn)的專有方法進(jìn)行通用對準(zhǔn)。 用于通用對準(zhǔn)的SmartViewNT自動(dòng)鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準(zhǔn)的專有方法,。這種對準(zhǔn)技術(shù)對于在嶺先技術(shù)的多個(gè)晶圓堆疊中達(dá)到所需的精度至關(guān)重要,。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動(dòng)平臺上進(jìn)行長久鍵合,。 特征： 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?,，GEMINI?200和300mm配置）。 用于3D互連,，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊,。 晶圓鍵合系統(tǒng)EVG50...

晶圓級封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,，封裝和測試的集成,，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本,。 晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本,。然而,，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸,，尤其是減小封裝高度,。 岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī)，可以實(shí)現(xiàn)晶圓級封裝的功能,。 除了支持3D互連和MEMS制造,，晶圓級和先進(jìn)封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),，中試和批量生產(chǎn),。陜西臨時(shí)鍵合鍵合機(jī)鍵合...

EVG?6200鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸,，3英寸,，100毫米，150毫米,，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋,，可快速排空，快速加熱和冷卻,。解鍵合...

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,，以保護(hù)它們免受損壞，污染,，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng),。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián)，在該行業(yè)中,，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備,。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,，并且材料組合還存在其他限制，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,，它們在加熱時(shí)需要以相似的速率膨脹,，否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。 而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,，如果需要了解,，請點(diǎn)擊：鍵合機(jī)。 對于無...

對準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級涂層,，晶圓級封裝,，工程襯**造，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來,，這些工藝也讓MEMS器件,，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,，例如SOI（絕緣體上硅）,。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極,，直接/熔融,，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮,。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用,。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工,。同時(shí)，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。自動(dòng)鍵合系統(tǒng)EV...

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?,，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準(zhǔn)器（面對面,，背面,，紅外和透明對準(zhǔn)） 無需Z軸運(yùn)動(dòng)，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準(zhǔn)并夾緊,，然后再裝入鍵合室 手動(dòng)或全自動(dòng)配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動(dòng)化的晶圓到晶圓對準(zhǔn)動(dòng)作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶...

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護(hù)它們免受損壞,，污染,，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián),，在該行業(yè)中,，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,，并且材料組合還存在其他限制，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,，它們在加熱時(shí)需要以相似的速率膨脹,，否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲,。 而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解,，請點(diǎn)擊：鍵合機(jī),。 EVG...

EVG?620BA自動(dòng)鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)： 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動(dòng)鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于研究和試生產(chǎn),。 EVG620鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)以其高度的自動(dòng)化和可靠性而聞名,，專為蕞大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。EVGroup的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)具有蕞高的精度,，靈活性和易用性,，以及模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證,。EVG的鍵對準(zhǔn)系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程,。 特征： 蕞適合EVG?501，EVG?510和EVG?520是鍵合系統(tǒng),。 支持蕞大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準(zhǔn),。 手動(dòng)或電動(dòng)對準(zhǔn)臺。 ...

EVG501晶圓鍵合機(jī),，先進(jìn)封裝,，TSV，微流控加工,?；竟δ埽河糜趯W(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于：微流體芯片,，半導(dǎo)體器件處理,，MEMS制造，TSV制作,，晶圓先進(jìn)封裝等,。 一、簡介： EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),，可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片,。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極,，玻璃料，焊料,，共晶,，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),，讓用戶能快速,，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,，轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn),。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))...

EV Group開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術(shù)，通過消 除與掩模相關(guān)的困難和成本,，滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求,。 MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設(shè)備與快 速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,，可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級設(shè)計(jì),，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,，并具有多級冗余功能,，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。 EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,，而且還滿足MEMS,，生 物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。 EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性,、高真空鍵合室,、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。中芯...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售,，每個(gè)平臺針對不同的應(yīng)用,。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用,，例如存儲(chǔ)器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū),。 特征： 在單個(gè)平臺上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 通過等離子活化的直接晶圓鍵合,，可實(shí)現(xiàn)不同材料，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成 支持邏輯縮放,，3D集成（例如M3）,，3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧,，內(nèi)存邏輯,，集...

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大,。康興華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),，但不涉及對準(zhǔn)問題,，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小,。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進(jìn)行了圓片級封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,，但其硅片不涉及光刻,、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,，故其鍵合工藝限制較大,。EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程...

EVG?810LT LowTemp?等離子激/活系統(tǒng) 適用于SOI，MEMS,，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔**單元,。處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一激/活并結(jié)合在等離子體激/活室外部）,。 特征 表面等離子體活化,，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)） 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI,，MEMS，化合物半導(dǎo)體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),，實(shí)...

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來,，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn),，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額，并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500個(gè),。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO）,，并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率,。針對MEMS,，3D集成或gao級封裝的不同市場需求，EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個(gè)模塊,。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹,。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器，是專門為

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,，以微裝配平臺與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,，環(huán)境要求苛刻的問題,。高低溫循環(huán)測試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低,、容易實(shí)現(xiàn)圖形化,、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,，使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒,。高校鍵合機(jī)可以試用嗎EV...