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光刻是半導(dǎo)體制造中常用的技術(shù)之一,，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ),。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應(yīng)的光學(xué)掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術(shù),，導(dǎo)致其價格都相對昂貴,。因此,，無掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法,。在這些無掩模方法中,，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的,、被廣采用的微處理技術(shù),，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量,。但是，實際應(yīng)用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比,，分辨率還不夠高,。微納加工技術(shù)具有高精度、科技含量高,、產(chǎn)品附加值高等特點,！三明微納加工 微納加工技術(shù)具有高精度、科...

高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作,，這類光刻技術(shù),，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,，具有很高的曝光精度,，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作,。近年來，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大,，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡、多臺階微光學(xué)元件等,。據(jù)悉,，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學(xué)元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件,。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進行制作,。直寫技術(shù)，通過在光束移動過程中進行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié),，可以實現(xiàn)良好的灰...

高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作,，這類光刻技術(shù)，像“寫字”一樣,，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低,，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作。近年來,，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡,、多臺階微光學(xué)元件等,。據(jù)悉，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學(xué)元件,，以及當下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件,。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進行制作。直寫技術(shù),，通過在光束移動過程中進行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié),，可以實現(xiàn)良好的灰...

在過去的50多年中，微納加工技術(shù)的進步極大地促進了微電子技術(shù)和光電子技術(shù)的發(fā)展,。微電子技術(shù)的發(fā)展以超大規(guī)模集成電路為,，集成度以每18個月翻一番的速度提高，使得以90nm為小電路尺寸的集成電路芯片已經(jīng)開始批量生產(chǎn).以光刻與刻蝕為基礎(chǔ)的平面為加工技術(shù)已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路的技術(shù),，隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn),，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術(shù)的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置。揭陽量子微納加工電子束的能量越高,，束斑的直徑就越小,，比如10keV的電子束斑直徑為4...

高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術(shù),，像“寫字”一樣,，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有很高的曝光精度,，但這兩種方法制作效率極低,，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作,。近年來,，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡,、多臺階微光學(xué)元件等。據(jù)悉,，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學(xué)元件,，以及當下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進行制作,。直寫技術(shù),，通過在光束移動過程中進行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié)，可以...

在微電子與光電子集成中,，薄膜的形成方法主要有兩大類,，及沉積和外延生長。沉積技術(shù)分為物理沉積,、化學(xué)沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法,；等離子體增強化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法,。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜,，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機的,，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長實質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法,，其含義是：在一個單晶的襯底上,，定向地生長出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法,，如電化學(xué)沉積,、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法,、自組裝法等,，也都廣用于微納制作工藝中。微機電系統(tǒng),、微光電系統(tǒng),、生物...

刻蝕工藝：是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù),?？涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路,、印刷電路和其他微細圖形的加工,。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺,，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高質(zhì)量檔次的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)...

微納測試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提,，它包括在微納器件的設(shè)計,、制造和系統(tǒng)集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術(shù),。微米測量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù)，目標是獲得微米級測量精度,，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何,、機械及力學(xué)特性；納米測量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué),，特別是納米材料,，目標是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息,。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬,、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等,。未來,，微納測試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部,、從靜態(tài)到動態(tài),、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展,。探索新的測量原理,、測試方法和表征技...

微納加工技術(shù)也可分為機械加工、化學(xué)腐蝕,、能量束加工,、復(fù)合加工、隧道掃描顯微技術(shù)加工等方法,。機械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割,、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削、磨削,、砂帶拋光等固定磨料工具的加工,、磨削、拋光等自由磨料的加工,。能束加工可以去除加工對象,、添加和表面改性。例如,，激光切割,、鉆孔和表面硬化改性。光刻、焊接,、微米和納米鉆孔,、切割、離子和等離子體蝕刻等,。能量束的加工方法還包括電火花加工,、電化學(xué)加工、電解射流加工,、分子束延伸等,。微納加工是的技術(shù)，可以進行原子級操作和原子去除,、添加和搬遷,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器...

微納加工技術(shù)也可分為機械加工,、化學(xué)腐蝕、能量束加工,、復(fù)合加工,、隧道掃描顯微技術(shù)加工等方法。機械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割,、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削,、磨削、砂帶拋光等固定磨料工具的加工,、磨削,、拋光等自由磨料的加工。能束加工可以去除加工對象,、添加和表面改性,。例如，激光切割,、鉆孔和表面硬化改性,。光刻、焊接,、微米和納米鉆孔,、切割、離子和等離子體蝕刻等,。能量束的加工方法還包括電火花加工,、電化學(xué)加工、電解射流加工,、分子束延伸等,。微納加工是的技術(shù),，可以進行原子級操作和原子去除、添加和搬遷,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺,，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器...

光刻是半導(dǎo)體制造中常用的技術(shù)之一,，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ),。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應(yīng)的光學(xué)掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術(shù),，導(dǎo)致其價格都相對昂貴,。因此，無掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法,。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的,、被廣采用的微處理技術(shù),，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是,，實際應(yīng)用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比,，分辨率還不夠高。濕法刻蝕較普遍,、也是成本較低的刻蝕方法,！丹東微納加工 微納測試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提...

刻蝕工藝：是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù),?？涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路,、印刷電路和其他微細圖形的加工,。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺,，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造高質(zhì)量檔次的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸）,，同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)...

微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分,，是衡量國家高質(zhì)量的制造業(yè)水平的標志之一,，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步,、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展,、拉動科技進步、保障**安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用,。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種,。很顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系,。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類,。“自上而下”是從宏觀對象出發(fā),，以光刻工藝為基礎(chǔ),，對材料或原料進行加工，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定,?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子,、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起,，形成微納結(jié)構(gòu)與器件。微...

微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米,、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計,、加工、組裝,、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù),，涉及領(lǐng)域廣、多學(xué)科交叉融合,，其主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）,。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列技術(shù)，研制微型傳感器,、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng),，具有微型化、批量化,、成本低的鮮明特點,，對現(xiàn)活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用,，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè),。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺,，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實...

微納加工即是微米級納米級單位的加工常常應(yīng)用在材料科學(xué)和芯片設(shè)計等領(lǐng)域,，通俗的講就是把圖形轉(zhuǎn)移到襯底上面去，一般襯底是Si,，做微納加工第一步是要做光刻版的,。第一步版圖：一般要用CAD，EDA,，Matlab,，L-edit，potel軟件做圖形第二步制作光刻版：這里比較復(fù)雜我分為三步來介紹首先我們要了解光刻版的材料和它的結(jié)構(gòu),，光刻版即是掩膜板材質(zhì)只有兩種石英和蘇打（石英的透光率要比蘇打的透光率要好）蘇打和石英上面呢有一層ge金屬（ge金屬不透光）ge金屬上面還有一層光刻膠。第一步：我們要確定我們光刻版的大?。ㄗ⒁夤饪贪嬉纫r底大一個英寸以便于光刻的時候光刻版能把襯底全部掩蓋?。┮约靶【€寬...

微納加工中蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構(gòu)或產(chǎn)生化學(xué)鍵合,。將襯底放入真空室內(nèi),，以電阻、電子束,、激光等方法加熱膜料,，使膜料蒸發(fā)或升華，氣化為具有一定能量（～eV）的粒子（原子,、分子或原子團）,。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運動飛速傳送至襯底，到達襯底表面的粒子一部分被反射,，另一部分吸附在襯底上并發(fā)生表面擴散,，沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞，形成簇團,，有的可能在表面短時停留后又蒸發(fā),。粒子簇團不斷地與擴散粒子相碰撞，或吸附單粒子,，或放出單粒子,。此過程反復(fù)進行,，當聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時...

MEMS（微機電系統(tǒng)），是指以微型化,、系統(tǒng)化的理論為指導(dǎo),，通過半導(dǎo)體制造等微納加工手段，形成特征尺度為微納米量級的系統(tǒng)裝置,。相對于先進的集成電路（IC）制造工藝（遵循摩爾定律）,，MEMS制造工藝不單純追求線寬而注重功能特色化，即利用微納結(jié)構(gòu)或/和敏感材料實現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能,，工藝節(jié)點通常從500nm到110nm,，襯底材料也不局限硅，還包括玻璃,、聚合物,、金屬等。由MEMS技術(shù)構(gòu)建的產(chǎn)品往往具有體積小,、重量輕,、功耗低、成本低等優(yōu)點,，已廣泛應(yīng)用于汽車,、手機、工業(yè),、醫(yī)療,、**、航空航天等領(lǐng)域,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺,，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前...

2012年北京工業(yè)大學(xué)Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對金屬鉬、鈦和不銹鋼進行了精密制孔研究,，并利用旋切制孔方式對厚度為0.3mm的金屬鉬實現(xiàn)了孔徑?小于200μm的微孔加工,，利用螺旋制孔方式在厚度為1mm不銹鋼上實現(xiàn)了孔徑為200μm的制孔效果。實驗指出大口徑微孔加工應(yīng)采用旋切制孔方式,，而加工較小口徑時則更宜選用螺旋制孔方式,。皮秒激光精密微孔加工過程中，對于厚度較小的材料(d<1μm),，由于激光與材料作用的時間較短,，以采用高峰值功率、窄脈寬的激光為宜,，而對于厚度在百微米甚至超過1mm的金屬材料的微孔加工,，除了要考慮激光峰值功率以及脈沖寬度外,，選擇合適的制孔方式是必要的。此外,，根據(jù)材料...

微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類,。“自上而下”是從宏觀對象出發(fā),，以光刻工藝為基礎(chǔ),，對材料或原料進行加工，小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定,?！白韵露稀奔夹g(shù)則是從微觀世界出發(fā)，通過控制原子,、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起,，形成微納結(jié)構(gòu)與器件?；诠饪坦に嚨奈⒓{加工技術(shù)主要包含以下過程：掩模（mask）制備,、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠、曝光,、顯影）,、薄膜沉積、刻蝕,、外延生長,、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠）,，曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上,，光（光子）的曝光過程是通過光化學(xué)作用使抗蝕膠發(fā)生光化學(xué)作用...

高精度的微細結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作,，這類光刻技術(shù),，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,，具有很高的曝光精度,，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術(shù)適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作,。近年來，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大,，如閃耀光柵,、菲涅爾透鏡、多臺階微光學(xué)元件等,。據(jù)悉,，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學(xué)元件,，以及當下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進行制作,。直寫技術(shù),，通過在光束移動過程中進行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié)，可以實現(xiàn)良好的灰...

光刻是半導(dǎo)體制造中常用的技術(shù)之一,，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ),。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應(yīng)的光學(xué)掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術(shù),，導(dǎo)致其價格都相對昂貴,。因此，無掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法,。在這些無掩模方法中,，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術(shù),，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量,。但是，實際應(yīng)用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比,，分辨率還不夠高,。機械微加工是微納制造中較方便，也較接近傳統(tǒng)材料加工方式的微成型技術(shù),?；葜莩煳⒓{加工 微納加工即是...

光刻是微納加工技術(shù)中關(guān)鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平,。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠,，再用光線（一般是紫外光、深紫外光,、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面,，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠,， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移,。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同,。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解,，并會固化，不會被溶劑洗掉,，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉,，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。微納加工包括光刻、磁控濺射,、電子束...

在過去的50多年中,，微納加工技術(shù)的進步極大地促進了微電子技術(shù)和光電子技術(shù)的發(fā)展。微電子技術(shù)的發(fā)展以超大規(guī)模集成電路為,，集成度以每18個月翻一番的速度提高,，使得以90nm為小電路尺寸的集成電路芯片已經(jīng)開始批量生產(chǎn).以光刻與刻蝕為基礎(chǔ)的平面為加工技術(shù)已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路的技術(shù)，隨著電子束光刻技術(shù)和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)的出現(xiàn),，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為的新一代納米電子學(xué)的發(fā)展.微納制造技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用標志著人類可以在微,、納米尺度認識和改造世界！撫順微納加工工藝 微納加工可以滿足高精度三維結(jié)構(gòu)制備,、多材料微納結(jié)構(gòu)加工以及器件成型與集成的加工需...

微納加工即是微米級納米級單位的加工常常應(yīng)用在材料科學(xué)和芯片設(shè)計等領(lǐng)域,，通俗的講就是把圖形轉(zhuǎn)移到襯底上面去，一般襯底是Si,，做微納加工第一步是要做光刻版的,。第一步版圖：一般要用CAD，EDA,，Matlab,，L-edit，potel軟件做圖形第二步制作光刻版：這里比較復(fù)雜我分為三步來介紹首先我們要了解光刻版的材料和它的結(jié)構(gòu),，光刻版即是掩膜板材質(zhì)只有兩種石英和蘇打（石英的透光率要比蘇打的透光率要好）蘇打和石英上面呢有一層ge金屬（ge金屬不透光）ge金屬上面還有一層光刻膠,。第一步：我們要確定我們光刻版的大小（注意光刻版要比襯底大一個英寸以便于光刻的時候光刻版能把襯底全部掩蓋?。┮约靶【€寬...

微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝,。在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積,、化學(xué)沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法,，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜,、合金薄膜、化合物等,。熱蒸發(fā)是在高真空下,，利用電阻加熱至材料的熔化溫度,，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空,，在電場的作用下,，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好,，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學(xué)氣相沉積（CVD）是典型的化學(xué)方法而等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）是物理與化學(xué)相...

在過去的二十年中,，微機電系統(tǒng),、微系統(tǒng)、微機械及其子領(lǐng)域,，微流體學(xué)片上實驗室,，光學(xué)MEMS、RFMEMS,、PowerMEMS,、BioMEMS及其擴展到納米級（例如，用于納米機電系統(tǒng)的NEMS)已經(jīng)重新使用,，調(diào)整或擴展了微制造方法,。平板顯示器和太陽能電池也正在使用類似的技術(shù)。各種設(shè)備的小型化在科學(xué)與工程的許多領(lǐng)域提出了挑戰(zhàn)：物理,、化學(xué),、材料科學(xué)、計算機科學(xué),、超精密工程,、制造工藝和設(shè)備設(shè)計。它也引起了各種各樣的跨學(xué)科研究,。微納加工的主要概念和原理是微光刻,、摻雜、薄膜,、蝕刻,、粘接和拋光。微納加工技術(shù)能突顯一個國家工業(yè)發(fā)展水平,！宜賓微納加工 刻蝕工藝：是在半導(dǎo)體工藝,，按照掩模圖形或...

納秒和飛秒之間,皮秒激光微納加工應(yīng)用獨具優(yōu)勢！與傳統(tǒng)的微納加工技術(shù)相比,，激光微納加工具有如下獨特的優(yōu)點：非接觸加工不損壞工具,、能量可調(diào)、加工方式靈活,、可實現(xiàn)柔性加工等,。其中全固態(tài)皮秒激光具有極窄的脈沖寬度(皮秒)、極高的峰值功率(兆瓦)以及優(yōu)異的光束質(zhì)量,，被廣泛應(yīng)用于各種金屬,、非金屬材料的精密加工。研究表明，脈沖寬度高于10ps的皮秒激光加工過程中有明顯的熱效應(yīng)存在,，而且隨著激光與材料作用時間的增加,，工件表面會產(chǎn)生微裂紋以及再鑄層；脈沖寬度低于5ps的皮秒激光與材料作用時會產(chǎn)生非線性效應(yīng),，這對金屬材料的加工非常不利,。因此，適合微納精密加工用的皮秒激光的脈沖寬度在5~10ps之間,。為了提高加工效...

微納加工技術(shù)也可分為機械加工,、化學(xué)腐蝕、能量束加工,、復(fù)合加工,、隧道掃描顯微技術(shù)加工等方法。機械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割,、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削,、磨削、砂帶拋光等固定磨料工具的加工,、磨削,、拋光等自由磨料的加工。能束加工可以去除加工對象,、添加和表面改性,。例如，激光切割,、鉆孔和表面硬化改性,。光刻、焊接,、微米和納米鉆孔,、切割、離子和等離子體蝕刻等,。能量束的加工方法還包括電火花加工,、電化學(xué)加工、電解射流加工,、分子束延伸等,。微納加工是的技術(shù)，可以進行原子級操作和原子去除,、添加和搬遷,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺，面向半導(dǎo)體光電子器件,、功率電子器...

微納加工技術(shù)的發(fā)展,，將促進納米光電子器件向更深更廣的方向發(fā)展。微納加工的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)在光電子領(lǐng)域帶來許多新的量子物理效應(yīng),，如量子點的庫侖阻塞效應(yīng)和光子輔助隧穿效應(yīng),，光子晶體的光子帶隙效應(yīng)等。對這些新的納米結(jié)構(gòu)帶來的新現(xiàn)象的研究將為研制新原理基礎(chǔ)上的新器件打下基礎(chǔ),。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺,，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件,、MEMS,、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性,、開放性,、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備,，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線,，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結(jié)合的專業(yè)人才隊伍,。平臺當前緊...

2012年北京工業(yè)大學(xué)Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對金屬鉬,、鈦和不銹鋼進行了精密制孔研究，并利用旋切制孔方式對厚度為0.3mm的金屬鉬實現(xiàn)了孔徑?小于200μm的微孔加工,，利用螺旋制孔方式在厚度為1mm不銹鋼上實現(xiàn)了孔徑為200μm的制孔效果,。實驗指出大口徑微孔加工應(yīng)采用旋切制孔方式，而加工較小口徑時則更宜選用螺旋制孔方式,。皮秒激光精密微孔加工過程中,，對于厚度較小的材料(d<1μm)，由于激光與材料作用的時間較短,，以采用高峰值功率,、窄脈寬的激光為宜，而對于厚度在百微米甚至超過1mm的金屬材料的微孔加工,，除了要考慮激光峰值功率以及脈沖寬度外,，選擇合適的制孔方式是必要的。此外,，根據(jù)材料...