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靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對(duì)于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 ,。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光,，正膠較慢，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3...

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連...

導(dǎo)體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動(dòng)態(tài)噴灑法。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在硅片的中心,，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開,，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過程中,，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非...

從90年代后半期開始,，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光,；而從2000年代開始，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源,。在那之后一直到目前的約20年里,，193nm波長的ArF準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能可靠,，使用較多的光刻光源...

黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度。主要衡量光刻膠抗?jié)穹ǜg能力,。它不僅與光刻膠本身的性質(zhì)有關(guān),，而且與襯底的性質(zhì)和其表面情況等有密切關(guān)系 。作為刻蝕阻擋層,，光刻膠層必須和晶圓表面黏結(jié)得很好,，才能夠忠實(shí)地把光刻層圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會(huì)導(dǎo)致...

通常光刻膠等微電子化學(xué)品不僅品質(zhì)要求高,，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需,。如果沒有規(guī)模效益，供應(yīng)商就無法承擔(dān)滿足多樣化需求帶來的開銷,。因此,，品種規(guī)模構(gòu)成了進(jìn)入該行業(yè)的重要壁壘。同時(shí),，一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性,，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)...

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù),，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù),。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的要點(diǎn)，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ),。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商,，不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客...

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié),，當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR,、信越化學(xué)、住友化學(xué),、東京應(yīng)化,、美國陶氏化學(xué)等制造商所壟斷，中國本土企業(yè)在光刻膠市場的份額較低,，與國外光刻膠制造商相比仍存明顯差距,。 光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游：主要涉及半導(dǎo)體、平...

日韓材料摩擦：半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化是必然趨勢,；2019年7月份,，在日韓貿(mào)易爭端的背景下，日本宣布對(duì)韓國實(shí)施三種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料實(shí)施禁運(yùn),，包含刻蝕氣體,，光刻膠和氟聚酰亞胺。韓國是全球存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地,，顯示屏生產(chǎn)基地,，也是全球晶圓代工基地,，三星，海力士,，東部高科等一大批晶...

在平板顯示行業(yè)：主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠,、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,，光刻膠涂覆于晶體薄膜表面,，經(jīng)曝光、顯影和蝕刻等工序?qū)⒐庹郑ㄑ谀ぐ妫┥系膱D形轉(zhuǎn)移到薄膜上,，形成與掩膜版對(duì)應(yīng)的幾何圖形,。 在PC...

根據(jù)2019年數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場87%份額,。其中日本占有四家,，分別是JSR、東京應(yīng)化(TOK),、信越化學(xué)與富士電子材料,，這四家的市場份額達(dá)到72%，市場集中度明顯,。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域，日本廠商在市場中具有較強(qiáng)話語權(quán),。（1）g...

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來光刻領(lǐng)域的進(jìn)展,。由于目前可供利用的光學(xué)材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源,。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推...

光刻膠是集成電路領(lǐng)域微加工的關(guān)鍵性材料,，為推動(dòng)光刻膠等半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展，近年來,，我國發(fā)布了多項(xiàng)利好政策支持光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展,，同時(shí)國內(nèi)企業(yè)也積極研發(fā)產(chǎn)品，主動(dòng)尋求光刻膠及其他材料國產(chǎn)化?，F(xiàn)階段,，我國光刻膠企業(yè)有晶瑞電材、彤程新材,、華懋科技,、南大光電等，在國產(chǎn)替...

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體,，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑,。未經(jīng)曝光的DQN成分作為抑制劑,，可以十倍或者更大的倍數(shù)降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后,，重氮萘醌(DQN)基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩?，與水接觸時(shí)，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u...

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對(duì)于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 ,。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光,，正膠較慢，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3...

光刻膠是集成電路領(lǐng)域微加工的關(guān)鍵性材料,，為推動(dòng)光刻膠等半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展,，近年來，我國發(fā)布了多項(xiàng)利好政策支持光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展,，同時(shí)國內(nèi)企業(yè)也積極研發(fā)產(chǎn)品,，主動(dòng)尋求光刻膠及其他材料國產(chǎn)化。現(xiàn)階段,，我國光刻膠企業(yè)有晶瑞電材,、彤程新材、華懋科技,、南大光電等,，在國產(chǎn)替...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則,，能夠避免結(jié)晶,，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，有機(jī)配體...

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè),。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié),，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,，對(duì)制造出更先進(jìn),，晶體管...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額,，行業(yè)集中度高。其中,，日本 JSR,、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%,。并且高分辨率...

半導(dǎo)體光刻膠市場中除了美國杜邦,，其余四家均為日本企業(yè)。其中JSR,、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,，尤其在EUV市場高度壟斷。近年來,，隨著光刻膠的需求攀升,，疊加日本減產(chǎn)，光刻膠出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象,。目前大陸企業(yè)在g/...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷,。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額，行業(yè)集中度高,。其中,，日本 JSR、東京應(yīng)化,、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%,。并且高分辨率...

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對(duì)的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射,，波長變...

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻,、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板,；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+,、H3+,、He+,，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） ,。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似,，不...

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻,。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+,、H2+,、H3+、He+,，以鏤空式模板,，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似,，不...

目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距,，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè),、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大,。當(dāng)今,，中國通過國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）撬動(dòng)全社會(huì)資源對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行投資和扶持...

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 ,。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連...

從90年代后半期開始,，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光,；而從2000年代開始，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源,。在那之后一直到目前的約20年里,，193nm波長的ArF準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能可靠，使用較多的光刻光源...

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠,。這種膠是將天然橡膠溶解后,，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性,，但是它的感光活性很差,。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低,，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難,。因此無法直接采用橡...

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對(duì)于波長更短的深紫外光（DUV）,、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光,，正膠較慢,，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3...

中國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)不斷縮小,，光刻工藝對(duì)光刻膠要求越來越高,，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),，2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元,，年復(fù)合增速為5.4%，預(yù)計(jì)未來5年年均增速約8%-10%,；中國半導(dǎo)體用光刻膠市場...