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光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù)、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等。同時,，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的...

日韓材料摩擦：半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化是必然趨勢,；2019年7月份，在日韓貿(mào)易爭端的背景下,，日本宣布對韓國實施三種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料實施禁運(yùn),，包含刻蝕氣體，光刻膠和氟聚酰亞胺,。韓國是全球存儲器生產(chǎn)基地,，顯示屏生產(chǎn)基地，也是全球晶圓代工基地，三星,，海力士,，東部高科等一大批晶...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光,、電子束,、離子束、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂,、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體,。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料,。半導(dǎo)體材料在表面加工時...

雖然在2007年之后,，一些波長更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn)，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作,。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料，比如氟化鈣（螢石）等,，成本長期居高不下,。再加上浸沒光刻和多重曝...

質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高,，包括不同批次間的一致性,，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平,，因此,，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定,。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計的...

在有機(jī)分子中引入三氟甲基基團(tuán), 能夠使其表現(xiàn)出獨特的物理和化學(xué)性質(zhì), 具有重要的意義,。因此, 三氟甲基的引入受到了科學(xué)工作者的關(guān)注, 并且發(fā)展出了一系列引入三氟甲基的方法, 包括鈀、銅及其他過渡金屬催化的三氟甲基化或者自由基三氟甲基化等方法,。新的三氟甲基化試劑...

三氟乙酸和水可以形成共沸物,，其沸點和組分分別為：bp 105.5 ℃, 含水20.8%，含三氟乙酸79.2%,。它易溶于水和大多數(shù)有機(jī)溶劑,，但在烷烴(特別是多于6 個碳的烷烴)和二硫化碳中的溶解度有限。該試劑是一種無色透明的液體,，國內(nèi)外大多數(shù)化學(xué)試劑公司均有銷售...

1941年,，美國教授開始研究利用電化學(xué)對有機(jī)物進(jìn)行氟化，并與1949年申請了專利，由此揭開了有機(jī)氟化物快速發(fā)展的大幕,。1961年,，利用三氟乙烷為原料，水為介質(zhì),，氧氣作為氧源,，利用電解的方法得到了三氟乙酸，這種方法原料比較廉價易得,，反應(yīng)的選擇性比較好,，不會發(fā)生副...

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來光刻領(lǐng)域的進(jìn)展。由于目前可供利用的光學(xué)材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射,，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源,。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導(dǎo)體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推...

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后,，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的,。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性,，但是它的感光活性很差,。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低,，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難,。因此無法直接采用橡...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光,、電子束,、離子束、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體,。在光刻工藝過程中,，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時...

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）,。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 ,。負(fù)膠通常需5~15 s時間曝光,，正膠較慢，其曝光時間為負(fù)膠的3...

此外,，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作,。90年代后半期,，遵從摩爾定律的指引，半導(dǎo)體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下,，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù),。深紫外光由于波長更短，衍射作用小,，所以可以用于更高分辨率的光刻光源,。隨...

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 ,。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連...

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié),，當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR、信越化學(xué),、住友化學(xué),、東京應(yīng)化、美國陶氏化學(xué)等制造商所壟斷,，中國本土企業(yè)在光刻膠市場的份額較低,，與國外光刻膠制造商相比仍存明顯差距。 光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游：主要涉及半導(dǎo)體,、平...

根據(jù)2019年數(shù)據(jù),，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家,，分別是JSR,、東京應(yīng)化(TOK)、信越化學(xué)與富士電子材料,，這四家的市場份額達(dá)到72%,，市場集中度明顯。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域,，日本廠商在市場中具有較強(qiáng)話語權(quán),。（1）g...

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣,。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體,。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體,。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變...

雖然在2007年之后，一些波長更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收,，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等,，成本長期居高不下。再加上浸沒光刻和多重曝...

雖然在2007年之后,，一些波長更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作,。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等，成本長期居高不下,。再加上浸沒光刻和多重曝...

在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外（DUV）光源以后,，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中,，樹脂是具有化學(xué)基團(tuán)保護(hù)因而難以溶解的聚乙烯,。化學(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑,。當(dāng)光刻膠曝光后,，曝光區(qū)域的光致酸劑（P...

按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。負(fù)性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反,；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,，區(qū)別在于主要原材料不同,。 按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類；光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型,，光交聯(lián)型和...

在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)；主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠,、KrF光刻膠、ArF光刻膠等,。在大規(guī)模集成電路的制造過程中,，一般要對硅片進(jìn)行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過預(yù)烘,、涂膠,、前烘、對準(zhǔn),、曝光,、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié),，將光罩（掩膜版...

根據(jù)2019年數(shù)據(jù),，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家,，分別是JSR,、東京應(yīng)化(TOK)、信越化學(xué)與富士電子材料,，這四家的市場份額達(dá)到72%,，市場集中度明顯。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域,，日本廠商在市場中具有較強(qiáng)話語權(quán),。（1）g...

在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),，就可以節(jié)省一次刻蝕,，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射,，在兩次曝光過程后，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0,，而...

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘,、曝光,、曝光后烘烤、顯影,、堅膜烘烤,、顯影檢查等工序。在光刻過程中,，光刻膠被均勻涂布在襯底上,，經(jīng)過曝光、顯影與刻蝕等工藝,，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35...

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域,，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù)、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測技術(shù)等。同時,，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的...

目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距,，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè),、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大,。當(dāng)今,，中國通過國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）撬動全社會資源對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行投資和扶持...

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度,。同時,，國內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點,，國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張,。當(dāng)前我國光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距，半導(dǎo)體國產(chǎn)化的大趨勢...

根據(jù)2019年數(shù)據(jù),，全球半導(dǎo)體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場87%份額,。其中日本占有四家，分別是JSR,、東京應(yīng)化(TOK),、信越化學(xué)與富士電子材料，這四家的市場份額達(dá)到72%,，市場集中度明顯,。在半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分領(lǐng)域，日本廠商在市場中具有較強(qiáng)話語權(quán),。（1）g...

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘,、曝光,、曝光后烘烤、顯影,、堅膜烘烤,、顯影檢查等工序。在光刻過程中,，光刻膠被均勻涂布在襯底上,，經(jīng)過曝光,、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形,。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35...